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CXMS5221双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合于低压应用和低功耗20V/5A超低导通电阻高密度电池设计
| 产品型号： | CXMS5221 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品系列： | N沟道P沟道双极MOSFETs |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 45 次 |
产品简介
20V/5A，RDS（开）=29mΩ@VGS=3.85V，ID=5A
超低导通电阻高密度电池设计
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | V ~ VDS(Max):20VV |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 20VV |
| 输出电流 (IOUT) | 6AA |
| 封装类型 | SOP8 |
| Channel type | Double N |
| Rated voltage | VGS(Max):12V |
| Rated current | ID (Max):6A |
| On resistance | 22mΩ |
产品详细介绍
目录
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产品概述 返回TOP
CXMS5221SG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation
产品特点 返回TOP
l 20V/5A， RDS(ON) =29mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
l High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
l surface mount package：SOP8
应用范围 返回TOP
l Battery management
l power management
l Portable equipment
l Low power DC to DC converter.
l Load switch
l LCD adapter
技术规格书（产品PDF) 返回TOP要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管) |
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Part |
Mode |
VDS(Max) |
VGS |
ID(Max) |
RDS(on) |
Application |
Package |
|
N channel |
20V |
12V |
5.2A |
37mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
N channel |
20V |
8V |
3A |
22mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
|
|
N channel |
20V |
12V |
5.2A |
29mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
Double N |
20V |
12V |
6A |
22mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOP8 |
|
|
N channel |
30V |
12V |
5.8A |
25mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
|
|
N channel |
30V |
20V |
4.4A |
35mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
Double N |
20V |
12V |
6A |
21mΩ |
①②③④⑤ |
SOT23-6/ TSSOP8 |
|
|
Double N |
20V |
12V |
5A |
19mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
TSSOP8/SOT26 |
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Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection |
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用户评论