CXMS5101高性价比的大功率MOS管IGBT管栅极驱动专用芯片集成逻辑信号输入处理死区时控制欠压关断闭锁电平位移脉冲滤波电路及输出驱动电路专用于无刷电机控制器中的驱动电路

CXMS5101是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
CXMS5101高端的工作电压可达 100V，Vcc 的电源电压范围宽 11V～30V，静态功耗低仅 4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个 10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构高端悬浮自举电源设计，耐压可达 100V
内建死区控制电路
电源电压欠压关断输出
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力
专用于无刷电机 N 沟道 MOS 管、IGBT 管栅极驱动
HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出
LIN 输入通道高电平有效，控制低端 LO 输出

目录

1.产品概述                        2.产品特点
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 
5.产品封装图                     6.电路原理图                   
7.功能概述                        8.相关产品

一,产品概述(General Description)  

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      CXMS5101是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
      CXMS5101高端的工作电压可达 100V，Vcc 的电源电压范围宽 11V～30V，静态功耗低仅 4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个 10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、
下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用 SOP8 封装。
二.产品特点(Features)

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高端悬浮自举电源设计，耐压可达 100V
内建死区控制电路
电源电压欠压关断输出
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力
专用于无刷电机 N 沟道 MOS 管、IGBT 管栅极驱动
HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出
LIN 输入通道高电平有效，控制低端 LO 输出
外围器件少
静态电流小：4.5mA
封装形式：SOP-8
三,应用范围 (Applications)

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电动摩托车控制器

电动自行车控制器
100V 降压型开关电源
变频水泵控制器
无刷电机驱动器
高压 Class-D 类功放

四.产品资料PDF文档 

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五,产品封装图 (Package)

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引脚序号	引脚名称	I/O	描述
1	Vcc	Power	芯片工作电源输入端，推荐工作电压典型值为 12V-15V,外接一个高频 0.1uF 旁路电容能降低芯片输入端的高频噪声
2	HIN	I	逻辑输入控制信号高电平有效，控制高端功率 MOS 管的导通与截止 “0”是关闭功率 MOS 管 “1”是开启功率 MOS 管
3	LIN	I	逻辑输入控制信号低电平有效，控制低端功率 MOS 管的导通与截止 “0”是关闭功率 MOS 管 “1”是开启功率 MOS 管
4	GND	GND	芯片的地端。
5	LO	O	输出控制低端 MOS 功率管的导通与截止
6	VS	O	高端悬浮地端
7	HO	O	输出控制高端 MOS 功率管的导通与截止
8	VB	Power	高端悬浮电源

六.电路原理图

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七,功能概述

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CXMS5101 主要功能有逻辑信号输入处理、死区时间控制、欠压关断电路、电平转换功能、悬浮自举电源
结构和上下桥图腾柱式输出。逻辑信号输入端高电平阀值为 2.5V 以上，低电平阀值为 1.0V 以下，要求逻
辑信号的输出电流小，可以使 MCU 输出逻辑信号直接连接到 CXMS5101 的输入通道上。
高端上桥臂和低端下桥臂图腾柱式输出驱动器的最大灌入可达 1A 和最大输出电流可达 0.8A, 高端上桥
臂通道可以承受 100V 的电压，输入逻辑信号与输出控制信号之间的传导延时小，低端输出开通传导延时为
500nS、关断传导延时为 50nS,高端输出开通传导延时为 300nS、关断传导延时为 400nS。低端输出开通的上
升时间为 400nS、关断的下降时间为 200nS, 高端输出开通的上升时间为 400nS、关断的下降时间为 200nS。
八,相关产品                更多同类产品.....

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半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC
型号	工作电压	静态电流	I/O拉电流	I/O灌电流	上升时间	下降时间	开延时	关延时	封装
CXMS5101B	10V-20V/高端工作电压120V	150uA	0.45A	0.9A	70nS	60nS	120nS	120nS	SOP8
CXMS5101	11V-30V/高端工作电压100V	4.5mA	0.8A	1A	400nS	200nS	300nS	400nS	SOP8
CXMS5102	11V-30V/高端工作电压100V	4.5mA	0.8A	1A	400nS	200nS	300nS	400nS	SOP8
CXMS5102B	10V-20V/高端工作电压600V	150uA	0.3A	0.6A	60nS	35nS	500nS	500nS	SOP8
CXMS5103	10V-20V/高端工作电压600V	150uA	0.3A	0.6A	90nS	40nS	20nS	20nS	SOP8
单通道大功率MOS管/IGBT驱动IC
型号	工作电压	静态电流	I/O拉电流	I/O灌电流	上升时间	下降时间	开延时	关延时	封装
CXMS5104	3V-30V	2mA	1A	1.2A	80nS	20nS	200nS	80nS	SOP8