CXMS5104单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动芯片内部集成输入逻辑信号处理电路SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器

CXMS5104单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动芯片内部集成输入逻辑信号处理电路SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器

产品型号:CXMS5104
产品类型:IGBT驱动
产品系列: IGBT驱动IC
产品状态:量产
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产品简介

CXMS5104是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片,内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路,专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。
CXMS5104电源电压范围宽 3V~30V,静态功耗低仅 2mA,输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚,可以用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。

技术参数

输入电压范围 (VIN) V ~ 3V-30VV
输出电流 (IOUT)I/O灌电流:1.2A A
转换效率静态电流:2mA %
封装类型SOP-8

产品详细介绍

目录

1.产品概述                       2.产品特点
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 
5.产品封装图                     6.电路原理图                   
7.功能概述                        8.相关产品

一,产品概述(General Description)  


       CXMS5104是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片,内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路,专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。
        CXMS5104电源电压范围宽 3V~30V,静态功耗低仅 2mA,输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚,可以用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。 
二.产品特点(Features)


源出峰值驱动电流达 1A 和吸入峰值驱动电流达 1.2A

宽电压输入范围:+3V - +30V
输入端 IN 可承受最高为+30V 的输入电压
低输入供电电流:

逻辑 1 输入— 200uA(典型值)

逻辑 0 输入— 0uA(典型值)

独立的拉电流和灌电流输出结构可独立调节上升沿和下降沿时间
SD 引脚实现逐周关断控制,可用于短路或过流保护处理电路
封装形式:SOP-8
三,应用范围 (Applications)


电机驱动器
逆变器
步进电机驱动
DC/DC 转换器
驱动大功率双极型晶体管
UPS 不间断电源
Class-D 功率放大器
开关电源
脉冲变压器驱动器
无刷风扇
四.产品资料PDF文档 


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!

 QQ截图20160419174301.jpg

五,产品封装图 (Package)


image.png

引脚序号

引脚名称

I/O

描述

1

NC

NC

空脚

2

IN

I

驱动输入信号,控制 MOSFET 管的导通与截止,输入电压范围为-0.3V~+Vcc :
“0”是关闭功率 MOSFET 管
“1”是开启功率 MOSFET 管

3

SD

I

驱动输出关断控制脚:
“0”是开启输出驱动
“1”是关闭输出驱动

4

NC

NC

空脚

5

GND

GND

输入、输出公共地端,必须靠近被驱动的 MOSFET 源极

6

OUTS

O

驱动输出吸入端,能吸入 1.2A 的灌电流输出能力

7

OUTD

O

驱动输出源出端,能源出 1A 的拉电流输出能力

8

Vcc

Power

芯片工作电源及 MOSFET 驱动电源,电压范围为 3V 至 30V

六.电路原理图


image.png
七,功能概述

符号

参数名称

测试条件

最小

最大

单位

输出端

OUTD

-

-0.3

35

V

输出端

OUTS

-

-0.3

35

V

电源

VCC

-

-0.3

35

V

逻辑信号输入高
电平

IN

-

-0.3

35

V

逻辑信号输入低
电平

IN

-

-0.3

35

V

SD 控制端

SD

-

-0.3

7

V

TA

环境温度

-

-45

85

Tstr

储存温度

-

-65

125

TL

焊接温度

T=10S

-

300

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半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC

型号

工作电压

静态电流

I/O拉电流

I/O灌电流

上升时间

下降时间

开延时

关延时

封装 

CXMS5101B

10V-20V/高端工作电压120V

150uA

0.45A

0.9A

70nS

60nS

120nS

120nS

SOP8

CXMS5101

11V-30V/高端工作电压100V

4.5mA

0.8A

1A

400nS

200nS

300nS

400nS

SOP8

CXMS5102

11V-30V/高端工作电压100V

4.5mA

0.8A

1A

400nS

200nS

300nS

400nS

SOP8

CXMS5102B

10V-20V/高端工作电压600V

150uA

0.3A

0.6A

60nS

35nS

500nS

500nS

SOP8

CXMS5103

10V-20V/高端工作电压600V

150uA

0.3A

0.6A

90nS

40nS

20nS

20nS

SOP8

单通道大功率MOS管/IGBT驱动IC

型号

工作电压

静态电流

I/O拉电流

I/O灌电流

上升时间

下降时间

开延时

关延时

封装 

CXMS5104

3V-30V

2mA

1A

1.2A

80nS

20nS

200nS

80nS

SOP8

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