CXMS5102B高速功率MOSFET和IGBT驱动器栅极驱动电源范围为10V至20V低压侧通道的紫外低辐射高脉冲电流缓冲级工作电压高达600v两个信道的匹配传播延迟

CXMS5102B高速功率MOSFET和IGBT驱动器栅极驱动电源范围为10V至20V低压侧通道的紫外低辐射高脉冲电流缓冲级工作电压高达600v两个信道的匹配传播延迟

产品型号:CXMS5102B
产品类型:IGBT驱动
产品系列: IGBT驱动IC
产品状态:量产
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产品简介

CXMS5102B是一种基于P_SUB P_EPI 工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可用于驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT,采用半桥结构,工作电压高达600v。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小驱动器交叉传导。传播延迟被匹配以简化在高频应用中的使用。
完全工作至+600 V
3.3V逻辑兼容
dV/dt抗扰度±50v/nsec
为引导操作设计的浮动通道
栅极驱动电源范围为10 V至20 V
低压侧通道的紫外低辐射
输出源/汇电流能力300毫安
-5V负极Vs能力
两个信道的匹配传播延迟

技术参数

输入电压范围 (VIN) V ~ 11V-30VV
输出电流 (IOUT)I/O灌电流:0.6AA
转换效率静态电流:150uA%
封装类型SOP-8
Driver typeIGBTS
Output currentI/O拉电流:0.3A
Drive voltage工作电压:10V-20V/高端工作电压600V
Isolation voltage下降时间:35nS
Protection function开延时间:500nS
Switching frequency关延时间:500nS
Target application上升时间:60nS

产品详细介绍

目录

1.产品概述       2.产品特点     

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)

5.产品封装       6.电路原理图  

7.相关产品

   产品概述 返回TOP


The CXMS5102B is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications.

   产品特点 返回TOP


z Fully operational to +600 V z 3.3 V logic compatible 

z dV/dt Immunity ±50 V/nsec 

z Floating channel designed for bootstrap operation 

z Gate drive supply range from 10 V to 20 V 

z UVLO for low side channel 

z Output Source / Sink Current Capability 300 mA / P$ 

z -5V negative Vs ability 

z Matched propagation delay for both channels

   应用范围 返回TOP


z Small and medium- power motor driver 

z Power MOSFET or IGBT driver 

z Half-Bridge Power Converters z Full-Bridge Power Converters

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP 


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 QQ截图20160419174301.jpg

产品封装图 返回TOP


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电路原理图 返回TOP


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半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC
型号 工作电压 静态电流 I/O拉电流 I/O灌电流 上升时间 下降时间 开延时 关延时 封装 
CXMS5101B 10V-20V/高端工作电压120V 150uA 0.45A 0.9A 70nS 60nS 120nS 120nS SOP-8
CXMS5101 11V-30V/高端工作电压100V 4.5mA 0.8A 1A 400nS 200nS 300nS 400nS SOP-8
CXMS5102 11V-30V/高端工作电压100V 4.5mA 0.8A 1A 400nS 200nS 300nS 400nS SOP-8
CXMS5102B 10V-20V/高端工作电压600V 150uA 0.3A 0.6A 60nS 35nS 500nS 500nS SOP-8
CXMS5103 10V-20V/高端工作电压600V 150uA 0.3A 0.6A 90nS 40nS 20nS 20nS SOP-8
单通道大功率MOS管/IGBT驱动IC
型号 工作电压 静态电流 I/O拉电流 I/O灌电流 上升时间 下降时间 开延时 关延时 封装 
CXMS5104 3V-30V 2mA 1A 1.2A 80nS 20nS 200nS 80nS SOP

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