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评论：极低的导通电阻高密度的单元设计高级的加工技术20V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5254 CXMS5255高级的加工技术极低的导通电阻高密度的单元设计
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-21 09:29:42 发表
极低的导通电阻高密度的单元设计,高级的加工技术,20V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5254,CXMS5255 RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A = 48mΩ@TYP RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 75mΩ@TYP 高级的加工技术 极低的导通电阻高密度的单元设计
 
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