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评论：30V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5252 CXMS5252C CXMS5252L先进的沟道工艺技术高密度超低电阻设计改良的成形工艺用于LED屏驱动高密度超低电阻设计先进的沟道工艺技术
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-21 09:29:42 发表
CXMS5252 VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 65mΩ@TYP RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 98mΩ@TYP 先进的沟道工艺技术 高密度超低电阻设计 改良的成形工艺
 
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