首页 > 产品中心 > 功率器件 > P沟道MOSFETs >30V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5252 CXMS5252C CXMS5252L先进的沟道工艺技术高密度超低电阻设计改良的成形工艺用于LED屏驱动高密度超低电阻设计先进的沟道工艺技术
30V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5252 CXMS5252C CXMS5252L先进的沟道工艺技术高密度超低电阻设计改良的成形工艺用于LED屏驱动高密度超低电阻设计先进的沟道工艺技术
16
CXMS5252
VDS= -20V
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 65mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 98mΩ@TYP
先进的沟道工艺技术
高密度超低电阻设计
改良的成形工艺
产品手册
-
[ CXMS5252 ]
样品申请
产品简介
目录
产品概述 返回TOP
VDS= -20V
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 65mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 98mΩ@TYP
产品特点 返回TOP
先进的沟道工艺技术
高密度超低电阻设计
改良的成形工艺
应用范围 返回TOP
LED屏驱动等
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
相关芯片选择指南 返回TOP 更多同类产品......
| MOSFET类 MOSFET CLASS>>>MOS管 MOS TUBE | |||
| 型号 | 功能 | 适用范围 | 封装 |
| CXMS5264 | 18V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | 电源管理、小功率驱动等 | SOT23-3 |
| CXMS5254 | P 沟道增强型 MOS 场效应管 | 笔记本、便携式设备等 | SOT23-3 |
| CXMS5256 | 电源管理、小功率驱动等 | SOT23-3 | |
| CXMS5266 | 30V P 沟道 MOS 场效应管 | 笔记本、便携式设备等 | SOT-23 |
| CXMS5268 | 20V P 沟道增加型 MOS 场效应管 | TFT屏、数码相机、便携式小音响等 | SOP-8 |
| CXMS5255 | P 沟道增强型 MOS 场效应管 | 笔记本、便携式设备等 | SOT23 |
| CXMS5251 | -30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | LED屏驱动等 | SOT23-6 |
| CXMS5271 | 20V 高密度 P 沟道 MOS 管 | 笔记本、便携式设备等 | SOP-8 |
| CXMS5261 | 30V P 沟道增加型 MOS 场效应管 | 电源管理、小功率驱动等 | SOP-8 |
| CXMS5262 | 双重增强型 MOSFET(N-P 沟道) | 笔记本电脑的电源管理系统、便携式设备和供电系统 | SOP-8 |
| CXMS5252 | 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | LED屏驱动等 | SOP-8 |
| CXMS5252C | 30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | LED屏驱动等 | SOP-8 |
| CXMS5252L | 30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | LED屏驱动等 | SOP-8 |
发表评论
| 热门信息 |
|---|
| 最新信息 |
|---|
| 推荐信息 |
|---|
