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CXMS5101B基于P_SUB P_EPI工艺的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器浮动通道驱动器用于独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT工作电压120V逻辑输入与标准CMOS输出驱动器有高脉冲电流缓冲级
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本站网友 oumao18
ip:120.229.48.*
2025-05-21 09:29:42 发表
CXMS5101B是一种基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可用于独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达120v。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。传播延迟被匹配以简化在高频应用中的使用 完全工作至+120 V 3.3v逻辑兼容 为引导操作设计的浮动通道 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 输出源/汇电流能力450mA/900mA 独立逻辑输入，以适应所有拓扑 -5V负极Vs能力 两个信道的匹配传播延迟
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