CXSD62613 PFM控制器200V高雪崩能力智能功率MOSFET小功率非隔离开关电源固定输出电压降频调制技术有助于改善EMI特性

CXSD62613 PFM控制器200V高雪崩能力智能功率MOSFET小功率非隔离开关电源固定输出电压降频调制技术有助于改善EMI特性

产品型号:CXSD62613
产品类型:DC-DC转换器
产品系列:双路降压芯片
产品状态:量产
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产品简介

CXSD62613集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,固定输出电压。CXSD62613内置200V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能、静态电流2mA。该芯片提供了完整智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护

技术参数

输入电压范围 (VIN)≤ 30~200V
输出电压 (VOUT)3.3,5.14.5V
输出电流 (IOUT)2A
工作频率500KHz
转换效率95%%
封装类型SIP9
Topology双路降压芯片
Control methodPWM/PFM
Switching frequency500K
Protection过流/过压/过温
Features180V输入同步整流DCDC 降压型转换器
Application双通道高压同步DC-DC降压IC
Operating temp-40℃~85℃
Reference design设计资料
Precision±5%
Power consumption2mA

产品详细介绍

目录

1.产品概述       2.产品特点     

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)

5.产品封装       6.电路原理图  

7.相关产品

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    CXSD62613集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,固定输出电压。CXSD62613内置200V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能、静态电流2mA。该芯片提供了完整智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外CXSD62613的降频调制技术有助于改善EMI特性

   产品特点 返回TOP


■   内置200V高雪崩能力智能功率MOSFET 

■   内置高压启动电路,双路输出,输出可预设

■   优化适用于14.5V输出非隔离应用

■   SIP9 半稳态稳定输出15W 

■   改善EMI的降频调制技术 

■   优异的负载调整率和工作效率 

■   全面的保护功能 

2 过载保护(OLP) 

2 过温保护(OTP) 

2 欠压保护(UVLO) 

   应用范围 返回TOP


   a

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP 


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 QQ截图20160419174301.jpg

产品封装图 返回TOP


■   电动车控制器

■   车载设备

电路原理图 返回TOP


image.png
image.png

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型号

产品描述

VIN

(min)

(V)

VIN

(max)

(V)

VOUT

(min)

(V)

VOUT

(max)

(V)

IOUT

(max)

(A) 

开关频

率 (Hz)

IQ

(uA)

封装形式

CXSD62607

30V耐压3A同步降压

4

30

1

12

3

 380K

1

ESOP8 SOT23

CXSD62608

18V 2A高效率同步降压

4

18

   

2

500K

4

SOT23

CXSD62609

48V一2A降压

4

48

 

 3.3V, 5V, 12V,ADJ

2

150K

4

 SOP-8

CXSD62610

200V高耐压非隔离压DC降压型转换器 

23

200

   

2

500K

350

 SOP-8

CXSD62611

220V交流输入非隔离DC降压型转换器 

40

450

   

1

500K

350

 SOP-8

CXSD62612

12~120V输入降压恒压DCDC

12V

120V

0.8V

30V

2

200K

700

SIP9

CXSD62613

180V输入同步整流DC降压型转换器

30

200

 

3.3,5.14.5

2

500K

2mA

SIP9

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