CXSD62669宽电压输入降压DC-DC芯片：20A大电流同步整流方案

CXSD62669：高性能宽电压输入降压DC-DC电源管理芯片

          CXSD62669是一款专为工业级大电流场景设计的同步整流降压DC-DC电源管理芯片，支持10V-25V宽电压输入，可驱动20A以上输出电流。其创新架构集成多项保护功能，适用于PC电源、快充设备、工业控制系统等高可靠性应用场景。

核心特性优势

1.高效能设计

a.同步整流方案提升转换效率，降低功率损耗

b.开关频率可调（125kHz典型值），通过外部电阻（RI引脚）灵活配置

c.死区时间可编程（250ns-1000ns），适配不同MOS管需求

2.多重保护机制

a.短路锁存保护：输出电压低于设定值75%时触发锁定

b.逐周期限流：支持内置/外置电阻设置峰值电流（lₚₑₐₖ=0.19V/R₃）

c.155℃过温保护：防止热失控

d.80V高耐压悬浮电源（VB引脚），增强系统可靠性

3.简化电路设计

a.内置MOS取样保护，减少外部元件

b.SSOP16紧凑封装（4.9×6.0mm）节省空间

c.软启动（SS引脚）、使能控制（EN引脚）完善电源管理

典型应用设计指南

1.电压设置：通过FB引脚分压电阻配置输出电压，公式：

例：R1=10kΩ, R2=1kΩ → Vₒᵤₜ=14.3V

2.电感选型（连续模式）：

建议纹波电流(Iᵣᵢₚₚₗₑ) ≤ 30%最大输出电流

3.PCB布局关键

VCC/GND电容、VB/VS自举电容需贴近芯片引脚；大电流路径采用短而宽的走线。

工业场景应用

设计注意：输入电压＞18V时，建议外接CXLD78L12为VCC稳压，确保驱动可靠性。

应用设计参数详细描述

1  VCC 供电电压

VCC 供电电压建议 10-15V，可以有效彻底打开内部功率管。输入超过 18V 场合，建议加一个CXLD78L12给芯片  VCC 稳压。

2  开关频率的设置

通过芯片  RI 管脚和 GND 之间连接一个电阻来设置  PWM 开关频率，具体频率值可以由以下公式决定

Fosc(KHz)=6150/RI(KΩ)

3  死区时间的设置

  芯片 DT 管脚和 GND 之间连接一个电阻来设置死区时间，具体死区值可以由以下公式决定

DT（nS）=5*RT(KΩ)

4  PCB 板布局

VCC 跟 GND 的电容以及 VB 跟 VS 之间自举电容尽量靠近芯片管脚；大电流路径走线尽量宽、短连接。

5  MOS 管选型

MOS 管选择低内阻、低结电容，能给 CXSD62669  降压器提供好的性能。

6  输出电感

CXSD62669 工作在连续模式，电感的选取可根据下式公式：

式中 Vin  是输入电压，Vout
是输出电压，Fs 是 PWM 工作频率，Iripple 是电感中电流纹波的峰峰值，通常选择 Iripple 不超过最大输出电
流的 30%。

7  输出电容

输出电容 Co 用来对输出电压进行滤波，使  DC-DC 降压器输出比较平稳的直流电提供给负载，选取该
电容时尽可能选取低  ESR 的电容，选取电容值的大小主要由输出电压的纹波要求决定，可由下式公式确定：
式中ΔVo 是输出电压纹波，ΔIL 是电感电流纹波，Fs 是   PWM 工作频率，ESR
是输出电容等效串联电阻。

8  输出电压设置

CXSD62669 的输出电压由 FB 引脚上的两个分压电阻进行设定，内部误差放大器基准电压为  1.3V，如图 8.5
所示，输出电压    Vout=（1+R1/R2）*1.3V，如需设置输出电压到 14.3V，可设定 R1 为  10K，R2 为 1K，输出
电压  Vout=（1+10/1）*1.3V=14.3V。

9  峰值限流设置

CXSD62669 峰值电流限制由限流电阻 R3 参数决定
峰值电流  Ipeak=0.19V/R3。

内置功率管内阻限流情况下：CXSD62669  峰值电流限制由功率管内阻决定

10 短路保护功能

当输出过流时，输出电压低于输出设置电压的四分之三，芯片内部检测延时，进入短路保护，此时输
出功率管关闭。需要芯片 VCC 重新上电或者  EN 脚重新使能触发，才能恢复输出。

总结：CXSD62669凭借高集成度、灵活配置性及强保护能力，成为中大功率DC-DC转换的理想解决方案，显著降低系统开发复杂度与成本。

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   产品封装图 

   电路原理图 

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