P沟道增强型场效应管CXCP5363B  CXCP5363低导通电阻高可靠性驱动要求简单2.5V驱动

P沟道增强型场效应管CXCP5363B CXCP5363低导通电阻高可靠性驱动要求简单2.5V驱动

产品型号:CXCP5363
产品类型:MOSFET
产品系列: P沟道MOSFETs
产品状态:量产
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产品简介

P沟道增强型场效应管CXCP5363B CXCP5363低导通电阻高可靠性驱动要求简单2.5V驱动

技术参数

输入电压范围 (VIN) V ~ VDS(Max):-20V
输出电流 (IOUT)-2.8A
封装类型SOT-23-3
Channel typeP沟道
Rated voltageVGS(Max):±12
Rated currentID (Max):-0.8
On resistance6.0mΩ
Power dissipationIs(A):-0.58

产品详细介绍

一,产品概述(General Description)         


Vdss=-20V 
Vgss=±12V 
Id=-1.1A 
Idm=-2.4A 
Is=-0.26A 
封装形式:SOT-523 

VDSS

ID

RDS(ON)(mΩ)TYP

-20V

-0.45A

 300 @ VGS=-4.5V

-0.35A

450 @ VGS=-2.5V

二.产品特点(Features)


导通电阻 
可靠性 
驱动要求简单 
2.5V 驱动 
采用 SOT-523 封装
三,应用范围 (Applications)
四.下载产品资料PDF文档 


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!

 QQ截图20160419174301.jpg

五,产品封装图 (Package)


image.png
六.电路原理图


image.png

七,功能概述


参数

符号

条件

最小

典型

最大

单位

       

静态特性

漏源击穿电压

V(BR)DSS

VGS=0V, ID=-250μA

-20

   

V

栅极阈值电压

VGS(th)

VDS=VGS, ID=-250μA

-0.35

 

-1

V

栅-衬漏电流

IGSS

VDS =0V, VGS=±12V

   

±100

nA

零栅压漏电流

IDSS

VDS=-20V, VGS=0V

   

-1

μA

VDS=-20V, VGS=0V

   

-5

通态漏电流

           

ID(ON)

VDS≤-4.5V,VGS=-5V

-0.7

   

A

 

漏源通态电阻

RDS(ON)

VGS=-4.5V, ID=-0.45A

 

0.23

0.3

Ω

VGS=-2.5V, ID=-0.35A

 

0.37

0.45

VGS=-1.8V, ID=-0.25A

     
 

0.51

0.58

       

正向跨导

           

gfs

VDS=-10V, ID=-0.25A

 

1

 

S

 

漏源二极管正向电压

VSD

VGS=0V,Is=-0.15A

 

-0.8

-1.2

V

动态特性

栅极总电荷

Qg

VDS=-10V,ID=-0.6A

 

1.5

2

nC

栅源电荷

Qgs

VGS=-4.5V

 

0.3

 

栅漏电荷

         

Qgd

 

0.35

       

开通延迟时间

           

td (ON)

VDD=-10V

 

5

10

ns

 

VGEN=-4.5V

 

上升时间

ID=-0.4A

tr

 

15

25

关断延迟时间

RL=10Ω

       

td (OFF)

RG=6Ω

 

8

15

 

下降时间

           

tf

 

1.4

1.8

     

八,相关产品


产品名称

Vdss(V)

Vgss(V)

Id(A)

Idm(A)

Is(A)

封装形式

CXCP5362

-30

±20

-4.4

-30

-1

SOT-23-3

CXCP5363B

-20

±12

-1.1

-2.4

-0.26

SOT-523

CXCP5363

-20

±12

-0.8

-2.8

-0.58

SOT-23-3

CXCP5364

-20

±12

-0.8

-1.8

-0.58

SOT-23-3

CXCP5365

-20

±12

-3.6

-11

-1.25

SOT-23-3

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