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P沟道增强型场效应管CXCP5364
| 产品型号： | CXCP5364 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品系列： | P沟道MOSFETs |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 36 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | V ~ VDS(Max):-20V |
|---|---|
| 输出电流 (IOUT) | -1.8A |
| 封装类型 | SOT-23-3 |
| Channel type | P沟道 |
| Rated voltage | VGS(Max):±12 |
| Rated current | ID (Max):-0.8 |
| On resistance | 6.0mΩ |
| Power dissipation | Is(A):-0.58 |
产品详细介绍
一,产品概述(General Description)
|
VDSS |
ID |
RDS(ON)(mΩ)TYP |
|
-20V |
-4.5A/-0.3A |
135 @ VGS=-4.5V |
|
115 @ VGS=-2.5V |
Vdss=-30V
Vgss=±20V
Id=-4.4A
Idm=-30A
Is=-1A
封装形式:SOT-23-3L/B
二.产品特点(Features)
低导通电阻
高可靠性
驱动要求简单
采用 SOT-23-3L/B 封装
三,应用范围 (Applications)
四.下载产品资料PDF文档
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
五,产品封装图 (Package)
六.电路原理图
七,功能概述
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
|
关态特性 |
||||||
|
漏源击穿电压 |
BVDSS |
VGS=0V, ID=-250μA |
-30 |
V |
||
|
零栅压漏电流 |
IDSS |
VDS=-24V, VGS=0V |
-1 |
μA |
||
|
栅－衬漏电流 |
IGSS |
VDS=0V, VGS=±20V |
±100 |
nA |
||
|
开态特性 |
||||||
|
栅极阈值电压 |
VGS(th) |
VDS=VGS, ID=-250μA |
-0.7 |
-1 |
-1.5 |
V |
|
漏源通态电阻 |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-4.2A |
45 |
52 |
mΩ |
|
|
VGS=-4.5V, ID=-4A |
58 |
65 |
||||
|
正向跨导 |
||||||
|
gfs |
VGS=-5V, ID=-5A |
10 |
S |
|||
|
动态参数 |
||||||
|
输入电容 |
CISS |
VDS=-15V ,VGS=0V |
950 |
pF |
||
|
输出电容 |
COSS |
f=1.0MHz |
115 |
|||
|
反向传输电容 |
||||||
|
CRSS |
75 |
|||||
|
开关特性 |
||||||
|
开通延迟时间 |
tD(ON) |
VDD=-15V |
7 |
ns |
||
|
上升时间 |
tr |
ID=-3.2A |
3 |
|||
|
关断延迟时间 |
VGEN=-10V |
|||||
|
tD(OFF) |
RGEN=6ohm |
30 |
||||
|
下降时间 |
||||||
|
tf |
12 |
|||||
|
栅极总电荷 |
||||||
|
Qg |
VDS=-15V,ID=-4A |
9.5 |
nC |
|||
|
栅源电荷 |
VGS=-4.5V |
Qgs |
2 |
|||
|
栅漏电荷 |
||||||
|
Qgd |
3 |
|||||
|
漏源二极管特征参数 |
||||||
|
漏源二极管正向电压 |
VSD |
VGS=0V,Is=-1 A |
-0.81 |
-1.2 |
V |
|
八,相关产品
|
产品名称 |
Vdss(V) |
Vgss(V) |
Id(A) |
Idm(A) |
Is(A) |
封装形式 |
|
-30 |
±20 |
-4.4 |
-30 |
-1 |
SOT-23-3 |
|
|
-20 |
±12 |
-1.1 |
-2.4 |
-0.26 |
SOT-523 |
|
|
-20 |
±12 |
-0.8 |
-2.8 |
-0.58 |
SOT-23-3 |
|
|
-20 |
±12 |
-0.8 |
-1.8 |
-0.58 |
SOT-23-3 |
|
|
-20 |
±12 |
-3.6 |
-11 |
-1.25 |
SOT-23-3 |
用户评论