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首页 > 产品中心 > 电池充电芯片 > 电压检测器/复位IC > 电压检测与复位IC >低功耗的电压检测器CXDR7547C CXDR7547G CXDR7547A高精度低功耗的电压检测器芯片CMOS生产工艺和激光微调技术温度漂移特性的影响小电压检测精度很高CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择
低功耗的电压检测器CXDR7547C CXDR7547G CXDR7547A高精度低功耗的电压检测器芯片CMOS生产工艺和激光微调技术温度漂移特性的影响小电压检测精度很高CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择
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CXDR7547C CXDR7547G CXDR7547A系列是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。CXDR7547C CXDR7547G CXDR7547A系列受温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。CXDR7547C CXDR7547G CXDR7547A系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。

低功耗的电压检测器CXDR7547C CXDR7547G CXDR7547A高精度低功耗的电压检测器芯片CMOS生产工艺和激光微调技术温度漂移特性的影响小电压检测精度很高CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择
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产品简介

目录

1.产品概述       2.产品特点     j9J嘉泰姆

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)j9J嘉泰姆

5.产品封装       6.电路原理图  j9J嘉泰姆

7.相关产品j9J嘉泰姆

   产品概述 返回TOPj9J嘉泰姆


 

        CXDR7547C  CXDR7547G  CXDR7547A系列是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。CXDR7547C  CXDR7547G  CXDR7547A系列受温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。CXDR7547C  CXDR7547G  CXDR7547A系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。The CXDR7547C  CXDR7547G  CXDR7547A series are highly precise, low power consumption voltage detectors, manufactured using CMOS and laser trimming technologies. Detect voltage is extremely accurate with minimal temperature drift. Both CMOS and N-ch open drain output configurations are available.

   产品特点 返回TOPj9J嘉泰姆


   blob.pngj9J嘉泰姆

   应用范围 返回TOPj9J嘉泰姆


●Microprocessor reset circuitry j9J嘉泰姆

●Memory battery back-up circuits j9J嘉泰姆

●Power-on reset circuits j9J嘉泰姆

●Power failure detection j9J嘉泰姆

●System battery life and charge voltage monitorsj9J嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP j9J嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持j9J嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgj9J嘉泰姆

产品封装图 返回TOPj9J嘉泰姆


blob.pngj9J嘉泰姆

电路原理图 返回TOPj9J嘉泰姆

 j9J嘉泰姆


 j9J嘉泰姆

 

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 j9J嘉泰姆

单功能电压检测器j9J嘉泰姆

产品名称j9J嘉泰姆

特点j9J嘉泰姆

封装j9J嘉泰姆

检测j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MINj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

检测j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MAXj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

工作j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MINj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

工作j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MAXj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

消耗j9J嘉泰姆

电流j9J嘉泰姆

输出形式j9J嘉泰姆

温度j9J嘉泰姆

范围j9J嘉泰姆

(℃)j9J嘉泰姆

检测j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

精度j9J嘉泰姆

(%)j9J嘉泰姆

检测电j9J嘉泰姆

压温度j9J嘉泰姆

特性j9J嘉泰姆

ppm/℃j9J嘉泰姆

μAj9J嘉泰姆

CXDR7545j9J嘉泰姆

低消耗j9J嘉泰姆

电流j9J嘉泰姆

SOT24 j9J嘉泰姆

USP3j9J嘉泰姆

1j9J嘉泰姆

5j9J嘉泰姆

0.7j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.5j9J嘉泰姆

CMOS N-chj9J嘉泰姆

open drainj9J嘉泰姆

-40~+85j9J嘉泰姆

±2j9J嘉泰姆

±100j9J嘉泰姆

CXDR7546j9J嘉泰姆

检测电压j9J嘉泰姆

高精度j9J嘉泰姆

SOT24 j9J嘉泰姆

USPN4B02j9J嘉泰姆

1.5j9J嘉泰姆

5.5j9J嘉泰姆

0.7j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.7j9J嘉泰姆

CMOS N-chj9J嘉泰姆

open drainj9J嘉泰姆

-40~+85j9J嘉泰姆

±0.8j9J嘉泰姆

±50j9J嘉泰姆

CXDR7547Cj9J嘉泰姆

低检测电j9J嘉泰姆

压0.8Vj9J嘉泰姆

SOT23 j9J嘉泰姆

SOT89 j9J嘉泰姆

SOT24j9J嘉泰姆

0.8j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.7j9J嘉泰姆

10j9J嘉泰姆

0.8j9J嘉泰姆

CMOS N-chj9J嘉泰姆

open drainj9J嘉泰姆

-40~+85j9J嘉泰姆

±2j9J嘉泰姆

±100j9J嘉泰姆

CXDR7547Gj9J嘉泰姆

低检测电j9J嘉泰姆

压0.8Vj9J嘉泰姆

USP3j9J嘉泰姆

0.8j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.7j9J嘉泰姆

10j9J嘉泰姆

0.8j9J嘉泰姆

CMOS N-chj9J嘉泰姆

open drainj9J嘉泰姆

-40~+85j9J嘉泰姆

±2j9J嘉泰姆

±100j9J嘉泰姆

CXDR7547Aj9J嘉泰姆

Assures j9J嘉泰姆

Allj9J嘉泰姆

Temperaturej9J嘉泰姆

Rangej9J嘉泰姆

SOT23 j9J嘉泰姆

SOT89j9J嘉泰姆

1.6j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.7j9J嘉泰姆

10j9J嘉泰姆

0.8j9J嘉泰姆

CMOS N-chj9J嘉泰姆

open drainj9J嘉泰姆

-40~+85j9J嘉泰姆

±2j9J嘉泰姆

±400j9J嘉泰姆

电压检测器 延迟时间内部设定j9J嘉泰姆

产品名称j9J嘉泰姆

特点j9J嘉泰姆

封装j9J嘉泰姆

检测j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MINj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

检测j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MAXj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

工作j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MINj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

工作j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MAXj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

消耗j9J嘉泰姆

电流j9J嘉泰姆

输出j9J嘉泰姆

形式j9J嘉泰姆

手动复j9J嘉泰姆

位输入j9J嘉泰姆

解除延j9J嘉泰姆

迟时间j9J嘉泰姆

(ms)j9J嘉泰姆

检测电j9J嘉泰姆

压精度j9J嘉泰姆

(%)j9J嘉泰姆

检测电压j9J嘉泰姆

温度特性j9J嘉泰姆

ppm/℃j9J嘉泰姆

μAj9J嘉泰姆

CXDR7548j9J嘉泰姆

看门狗+j9J嘉泰姆

手动复位j9J嘉泰姆

SOT25 j9J嘉泰姆

USP6Cj9J嘉泰姆

1.6j9J嘉泰姆

5j9J嘉泰姆

1j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

8j9J嘉泰姆

CMOSj9J嘉泰姆

Yesj9J嘉泰姆

3.13 25j9J嘉泰姆

50 100j9J嘉泰姆

200 400j9J嘉泰姆

1600j9J嘉泰姆

±2j9J嘉泰姆

±100j9J嘉泰姆

CXDR7549j9J嘉泰姆

看门狗+j9J嘉泰姆

手动复位j9J嘉泰姆

SOT25 j9J嘉泰姆

USP6Cj9J嘉泰姆

1.6j9J嘉泰姆

5j9J嘉泰姆

1j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

8j9J嘉泰姆

CMOS N-chj9J嘉泰姆

open drainj9J嘉泰姆

Yesj9J嘉泰姆

3.13 25j9J嘉泰姆

50 100j9J嘉泰姆

200 400j9J嘉泰姆

1600j9J嘉泰姆

±2j9J嘉泰姆

±100j9J嘉泰姆

CXDR7550j9J嘉泰姆

检测电压,j9J嘉泰姆

高精度、j9J嘉泰姆

手动复位j9J嘉泰姆

SOT25 j9J嘉泰姆

SSOT24 j9J嘉泰姆

USPN4j9J嘉泰姆

1.5j9J嘉泰姆

5.5j9J嘉泰姆

0.7j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.7j9J嘉泰姆

CMOS N-chj9J嘉泰姆

open drainj9J嘉泰姆

Yesj9J嘉泰姆

50 100j9J嘉泰姆

200 400j9J嘉泰姆

800j9J嘉泰姆

±0.8j9J嘉泰姆

±50j9J嘉泰姆

CXDR7547Fj9J嘉泰姆

工作电压范围j9J嘉泰姆

0.7~10Vj9J嘉泰姆

SOT23 j9J嘉泰姆

SOT89j9J嘉泰姆

1.6j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.7j9J嘉泰姆

10j9J嘉泰姆

1j9J嘉泰姆

CMOS N-ch j9J嘉泰姆

open drainj9J嘉泰姆

Noj9J嘉泰姆

 

±2j9J嘉泰姆

±100j9J嘉泰姆

CXDR7547Hj9J嘉泰姆

带内置延迟电路j9J嘉泰姆

SOT23j9J嘉泰姆

1.6j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.7j9J嘉泰姆

10j9J嘉泰姆

1j9J嘉泰姆

CMOS N-ch j9J嘉泰姆

open drainj9J嘉泰姆

Noj9J嘉泰姆

1 50 80j9J嘉泰姆

±2j9J嘉泰姆

±100j9J嘉泰姆

电压检测器 延迟时间外部设定j9J嘉泰姆

产品名称j9J嘉泰姆

特点j9J嘉泰姆

封装j9J嘉泰姆

检测j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MINj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

检测j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MAXj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

工作j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MINj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

工作j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MAXj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

消耗j9J嘉泰姆

电流j9J嘉泰姆

输出j9J嘉泰姆

形式j9J嘉泰姆

工作j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

MAXj9J嘉泰姆

Vj9J嘉泰姆

消耗j9J嘉泰姆

电流j9J嘉泰姆

手动j9J嘉泰姆

复位j9J嘉泰姆

输入j9J嘉泰姆

检测j9J嘉泰姆

电压j9J嘉泰姆

精度j9J嘉泰姆

检测电压温度特性j9J嘉泰姆

μAj9J嘉泰姆

μAj9J嘉泰姆

(%)j9J嘉泰姆

ppm/℃j9J嘉泰姆

CXDR7551j9J嘉泰姆

独立电压检测端子j9J嘉泰姆

SOT25 USP4j9J嘉泰姆

0.8j9J嘉泰姆

5j9J嘉泰姆

1j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.8*2j9J嘉泰姆

CMOS N-ch open drainj9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.8*2j9J嘉泰姆

Noj9J嘉泰姆

±2j9J嘉泰姆

±100j9J嘉泰姆

CXDR7552j9J嘉泰姆

带外置延迟电容j9J嘉泰姆

SSOT24j9J嘉泰姆

0.8j9J嘉泰姆

5j9J嘉泰姆

0.7j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.9*1j9J嘉泰姆

CMOS N-ch open drainj9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.9*1j9J嘉泰姆

Noj9J嘉泰姆

±2j9J嘉泰姆

±100j9J嘉泰姆

CXDR7553j9J嘉泰姆

独立电压检测端子j9J嘉泰姆

SOT25 USP4j9J嘉泰姆

0.8j9J嘉泰姆

5j9J嘉泰姆

1j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.8*2j9J嘉泰姆

CMOS N-ch open drainj9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.8*2j9J嘉泰姆

Noj9J嘉泰姆

±2j9J嘉泰姆

±100j9J嘉泰姆

CXDR7554j9J嘉泰姆

带外置延迟电容j9J嘉泰姆

SSOT24 USPN4j9J嘉泰姆

0.8j9J嘉泰姆

5j9J嘉泰姆

0.7j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.9*1j9J嘉泰姆

CMOS N-ch open drainj9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.9*1j9J嘉泰姆

Noj9J嘉泰姆

±2j9J嘉泰姆

±100j9J嘉泰姆

CXDR7555j9J嘉泰姆

外接电容延迟式j9J嘉泰姆

SSOT24 USPN4j9J嘉泰姆

1.5j9J嘉泰姆

5.5j9J嘉泰姆

1.3j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.58*1j9J嘉泰姆

CMOS N-ch open drainj9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

0.58*1j9J嘉泰姆

Yesj9J嘉泰姆

±0.8j9J嘉泰姆

±50j9J嘉泰姆

CXDR7556j9J嘉泰姆

浪涌电压保护功能外调滞后宽度j9J嘉泰姆

SOT26 USP6Cj9J嘉泰姆

0.8j9J嘉泰姆

2j9J嘉泰姆

1.6j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

1.43*1j9J嘉泰姆

CMOS N-ch open drainj9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

1.43*1j9J嘉泰姆

Yesj9J嘉泰姆

±1.2j9J嘉泰姆

±50j9J嘉泰姆

CXDR7557j9J嘉泰姆

电容延迟式j9J嘉泰姆

SOT26 USP6Cj9J嘉泰姆

1j9J嘉泰姆

5j9J嘉泰姆

1.6j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

1.32*3j9J嘉泰姆

CMOS N-ch open drainj9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

1.32*3j9J嘉泰姆

Yesj9J嘉泰姆

±1.2j9J嘉泰姆

±50j9J嘉泰姆

CXDR7558j9J嘉泰姆

外部调整滞后电容延迟式j9J嘉泰姆

SOT26 USP6Cj9J嘉泰姆

0.8j9J嘉泰姆

5j9J嘉泰姆

1.6j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

1.32*3j9J嘉泰姆

CMOS N-ch open drainj9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

1.32*3j9J嘉泰姆

Yesj9J嘉泰姆

±1.2j9J嘉泰姆

±50j9J嘉泰姆

CXDR7556Aj9J嘉泰姆

车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式j9J嘉泰姆

USP6Cj9J嘉泰姆

0.8j9J嘉泰姆

2j9J嘉泰姆

1.6j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

1.43*1j9J嘉泰姆

CMOS N-ch open drainj9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

1.43*1j9J嘉泰姆

Yesj9J嘉泰姆

±1.2j9J嘉泰姆

±50j9J嘉泰姆

CXDR7557Aj9J嘉泰姆

车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式j9J嘉泰姆

SOT26 USP6Cj9J嘉泰姆

1j9J嘉泰姆

5j9J嘉泰姆

1.6j9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

1.32j9J嘉泰姆

CMOS N-ch open drainj9J嘉泰姆

6j9J嘉泰姆

1.32j9J嘉泰姆

Yesj9J嘉泰姆

±1.2j9J嘉泰姆

±50j9J嘉泰姆