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首页 > 产品中心 > 电池充电芯片 > 电压检测器/复位IC > 电压检测与复位IC >CMOS和N沟道开沟两种输出模式CXDR7551 CXDR7552高精度低功耗采用CMOS工艺和激光微调技术生产的电压检测器端子和芯片工作电压输入端子相互独立当检测电压变为零时输出稳定的输出状态
CMOS和N沟道开沟两种输出模式CXDR7551 CXDR7552高精度低功耗采用CMOS工艺和激光微调技术生产的电压检测器端子和芯片工作电压输入端子相互独立当检测电压变为零时输出稳定的输出状态
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CXDR7551系列是高精度, 低功耗, 采用CMOS工艺和激光微调技术生产的电压检测器。CXDR7551 CXDR7552系列的电压检测引脚端子和芯片工作电压输入引脚端子是相互独立的,使得该芯片系列也可以检测其他的电压源。 由于该系列芯片的检测电压端子和芯片工作电压输入端子相互独立,即使当检测电压变为零时,该芯片的输出仍维持在一个稳定的输出状态。CXDR7551 CXDR7552系列内置延迟电路,通过外部电容可以任意设定IC延迟时间值。有CMOS和N沟道开沟两种输出模式供选择

CMOS和N沟道开沟两种输出模式CXDR7551 CXDR7552高精度低功耗采用CMOS工艺和激光微调技术生产的电压检测器端子和芯片工作电压输入端子相互独立当检测电压变为零时输出稳定的输出状态
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目录

1.产品概述       2.产品特点     1Bg嘉泰姆

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)1Bg嘉泰姆

5.产品封装       6.电路原理图  1Bg嘉泰姆

7.相关产品1Bg嘉泰姆

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      CXDR7551 CXDR7552系列是高精度, 低功耗, 采用CMOS工艺和激光微调技术生产的电压检测器。CXDR7551 CXDR7552系列的电压检测引脚端子和芯片工作电压输入引脚端子是相互独立的,使得该芯片系列也可以检测其他的电压源。 由于该系列芯片的检测电压端子和芯片工作电压输入端子相互独立,即使当检测电压变为零时,该芯片的输出仍维持在一个稳定的输出状态。CXDR7551 CXDR7552系列内置延迟电路,通过外部电容可以任意设定IC延迟时间值。有CMOS和N沟道开沟两种输出模式供选择。The CXDR7551 CXDR7552 series is highly precise, low power consumption voltage detector, manufactured using CMOS and laser trimming technologies. Since the sense pin is separated from power supply, it allows the IC to monitor added power supply. Using the IC with the sense pin separated from power supply enables output to maintain the state of detection even when voltage of the monitored power supply drops to 0V. Moreover, with the built-in delay circuit, connecting the delay capacitance pin to the capacitor enables the IC to provide an arbitrary release delay time. Both CMOS and N-channel open drain output configurations are available.1Bg嘉泰姆

   产品特点 返回TOP1Bg嘉泰姆


   blob.png1Bg嘉泰姆

   应用范围 返回TOP1Bg嘉泰姆


●Microprocessor reset circuitry 1Bg嘉泰姆

●Charge voltage monitors 1Bg嘉泰姆

●Memory battery back-up switch circuits 1Bg嘉泰姆

●Power failure detection circuits1Bg嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP 1Bg嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持1Bg嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpg1Bg嘉泰姆

产品封装图 返回TOP1Bg嘉泰姆


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电路原理图 返回TOP1Bg嘉泰姆

 1Bg嘉泰姆


 1Bg嘉泰姆

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 1Bg嘉泰姆

单功能电压检测器1Bg嘉泰姆

产品名称1Bg嘉泰姆

特点1Bg嘉泰姆

封装1Bg嘉泰姆

检测1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MIN1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

检测1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MAX1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

工作1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MIN1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

工作1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MAX1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

消耗1Bg嘉泰姆

电流1Bg嘉泰姆

输出形式1Bg嘉泰姆

温度1Bg嘉泰姆

范围1Bg嘉泰姆

(℃)1Bg嘉泰姆

检测1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

精度1Bg嘉泰姆

(%)1Bg嘉泰姆

检测电1Bg嘉泰姆

压温度1Bg嘉泰姆

特性1Bg嘉泰姆

ppm/℃1Bg嘉泰姆

μA1Bg嘉泰姆

CXDR75451Bg嘉泰姆

低消耗1Bg嘉泰姆

电流1Bg嘉泰姆

SOT24 1Bg嘉泰姆

USP31Bg嘉泰姆

11Bg嘉泰姆

51Bg嘉泰姆

0.71Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.51Bg嘉泰姆

CMOS N-ch1Bg嘉泰姆

open drain1Bg嘉泰姆

-40~+851Bg嘉泰姆

±21Bg嘉泰姆

±1001Bg嘉泰姆

CXDR75461Bg嘉泰姆

检测电压1Bg嘉泰姆

高精度1Bg嘉泰姆

SOT24 1Bg嘉泰姆

USPN4B021Bg嘉泰姆

1.51Bg嘉泰姆

5.51Bg嘉泰姆

0.71Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.71Bg嘉泰姆

CMOS N-ch1Bg嘉泰姆

open drain1Bg嘉泰姆

-40~+851Bg嘉泰姆

±0.81Bg嘉泰姆

±501Bg嘉泰姆

CXDR7547C1Bg嘉泰姆

低检测电1Bg嘉泰姆

压0.8V1Bg嘉泰姆

SOT23 1Bg嘉泰姆

SOT89 1Bg嘉泰姆

SOT241Bg嘉泰姆

0.81Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.71Bg嘉泰姆

101Bg嘉泰姆

0.81Bg嘉泰姆

CMOS N-ch1Bg嘉泰姆

open drain1Bg嘉泰姆

-40~+851Bg嘉泰姆

±21Bg嘉泰姆

±1001Bg嘉泰姆

CXDR7547G1Bg嘉泰姆

低检测电1Bg嘉泰姆

压0.8V1Bg嘉泰姆

USP31Bg嘉泰姆

0.81Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.71Bg嘉泰姆

101Bg嘉泰姆

0.81Bg嘉泰姆

CMOS N-ch1Bg嘉泰姆

open drain1Bg嘉泰姆

-40~+851Bg嘉泰姆

±21Bg嘉泰姆

±1001Bg嘉泰姆

CXDR7547A1Bg嘉泰姆

Assures 1Bg嘉泰姆

All1Bg嘉泰姆

Temperature1Bg嘉泰姆

Range1Bg嘉泰姆

SOT23 1Bg嘉泰姆

SOT891Bg嘉泰姆

1.61Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.71Bg嘉泰姆

101Bg嘉泰姆

0.81Bg嘉泰姆

CMOS N-ch1Bg嘉泰姆

open drain1Bg嘉泰姆

-40~+851Bg嘉泰姆

±21Bg嘉泰姆

±4001Bg嘉泰姆

电压检测器 延迟时间内部设定1Bg嘉泰姆

产品名称1Bg嘉泰姆

特点1Bg嘉泰姆

封装1Bg嘉泰姆

检测1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MIN1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

检测1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MAX1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

工作1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MIN1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

工作1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MAX1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

消耗1Bg嘉泰姆

电流1Bg嘉泰姆

输出1Bg嘉泰姆

形式1Bg嘉泰姆

手动复1Bg嘉泰姆

位输入1Bg嘉泰姆

解除延1Bg嘉泰姆

迟时间1Bg嘉泰姆

(ms)1Bg嘉泰姆

检测电1Bg嘉泰姆

压精度1Bg嘉泰姆

(%)1Bg嘉泰姆

检测电压1Bg嘉泰姆

温度特性1Bg嘉泰姆

ppm/℃1Bg嘉泰姆

μA1Bg嘉泰姆

CXDR75481Bg嘉泰姆

看门狗+1Bg嘉泰姆

手动复位1Bg嘉泰姆

SOT25 1Bg嘉泰姆

USP6C1Bg嘉泰姆

1.61Bg嘉泰姆

51Bg嘉泰姆

11Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

81Bg嘉泰姆

CMOS1Bg嘉泰姆

Yes1Bg嘉泰姆

3.13 251Bg嘉泰姆

50 1001Bg嘉泰姆

200 4001Bg嘉泰姆

16001Bg嘉泰姆

±21Bg嘉泰姆

±1001Bg嘉泰姆

CXDR75491Bg嘉泰姆

看门狗+1Bg嘉泰姆

手动复位1Bg嘉泰姆

SOT25 1Bg嘉泰姆

USP6C1Bg嘉泰姆

1.61Bg嘉泰姆

51Bg嘉泰姆

11Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

81Bg嘉泰姆

CMOS N-ch1Bg嘉泰姆

open drain1Bg嘉泰姆

Yes1Bg嘉泰姆

3.13 251Bg嘉泰姆

50 1001Bg嘉泰姆

200 4001Bg嘉泰姆

16001Bg嘉泰姆

±21Bg嘉泰姆

±1001Bg嘉泰姆

CXDR75501Bg嘉泰姆

检测电压,1Bg嘉泰姆

高精度、1Bg嘉泰姆

手动复位1Bg嘉泰姆

SOT25 1Bg嘉泰姆

SSOT24 1Bg嘉泰姆

USPN41Bg嘉泰姆

1.51Bg嘉泰姆

5.51Bg嘉泰姆

0.71Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.71Bg嘉泰姆

CMOS N-ch1Bg嘉泰姆

open drain1Bg嘉泰姆

Yes1Bg嘉泰姆

50 1001Bg嘉泰姆

200 4001Bg嘉泰姆

8001Bg嘉泰姆

±0.81Bg嘉泰姆

±501Bg嘉泰姆

CXDR7547F1Bg嘉泰姆

工作电压范围1Bg嘉泰姆

0.7~10V1Bg嘉泰姆

SOT23 1Bg嘉泰姆

SOT891Bg嘉泰姆

1.61Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.71Bg嘉泰姆

101Bg嘉泰姆

11Bg嘉泰姆

CMOS N-ch 1Bg嘉泰姆

open drain1Bg嘉泰姆

No1Bg嘉泰姆

 

±21Bg嘉泰姆

±1001Bg嘉泰姆

CXDR7547H1Bg嘉泰姆

带内置延迟电路1Bg嘉泰姆

SOT231Bg嘉泰姆

1.61Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.71Bg嘉泰姆

101Bg嘉泰姆

11Bg嘉泰姆

CMOS N-ch 1Bg嘉泰姆

open drain1Bg嘉泰姆

No1Bg嘉泰姆

1 50 801Bg嘉泰姆

±21Bg嘉泰姆

±1001Bg嘉泰姆

电压检测器 延迟时间外部设定1Bg嘉泰姆

产品名称1Bg嘉泰姆

特点1Bg嘉泰姆

封装1Bg嘉泰姆

检测1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MIN1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

检测1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MAX1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

工作1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MIN1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

工作1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MAX1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

消耗1Bg嘉泰姆

电流1Bg嘉泰姆

输出1Bg嘉泰姆

形式1Bg嘉泰姆

工作1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

MAX1Bg嘉泰姆

V1Bg嘉泰姆

消耗1Bg嘉泰姆

电流1Bg嘉泰姆

手动1Bg嘉泰姆

复位1Bg嘉泰姆

输入1Bg嘉泰姆

检测1Bg嘉泰姆

电压1Bg嘉泰姆

精度1Bg嘉泰姆

检测电压温度特性1Bg嘉泰姆

μA1Bg嘉泰姆

μA1Bg嘉泰姆

(%)1Bg嘉泰姆

ppm/℃1Bg嘉泰姆

CXDR75511Bg嘉泰姆

独立电压检测端子1Bg嘉泰姆

SOT25 USP41Bg嘉泰姆

0.81Bg嘉泰姆

51Bg嘉泰姆

11Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.8*21Bg嘉泰姆

CMOS N-ch open drain1Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.8*21Bg嘉泰姆

No1Bg嘉泰姆

±21Bg嘉泰姆

±1001Bg嘉泰姆

CXDR75521Bg嘉泰姆

带外置延迟电容1Bg嘉泰姆

SSOT241Bg嘉泰姆

0.81Bg嘉泰姆

51Bg嘉泰姆

0.71Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.9*11Bg嘉泰姆

CMOS N-ch open drain1Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.9*11Bg嘉泰姆

No1Bg嘉泰姆

±21Bg嘉泰姆

±1001Bg嘉泰姆

CXDR75531Bg嘉泰姆

独立电压检测端子1Bg嘉泰姆

SOT25 USP41Bg嘉泰姆

0.81Bg嘉泰姆

51Bg嘉泰姆

11Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.8*21Bg嘉泰姆

CMOS N-ch open drain1Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.8*21Bg嘉泰姆

No1Bg嘉泰姆

±21Bg嘉泰姆

±1001Bg嘉泰姆

CXDR75541Bg嘉泰姆

带外置延迟电容1Bg嘉泰姆

SSOT24 USPN41Bg嘉泰姆

0.81Bg嘉泰姆

51Bg嘉泰姆

0.71Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.9*11Bg嘉泰姆

CMOS N-ch open drain1Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.9*11Bg嘉泰姆

No1Bg嘉泰姆

±21Bg嘉泰姆

±1001Bg嘉泰姆

CXDR75551Bg嘉泰姆

外接电容延迟式1Bg嘉泰姆

SSOT24 USPN41Bg嘉泰姆

1.51Bg嘉泰姆

5.51Bg嘉泰姆

1.31Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.58*11Bg嘉泰姆

CMOS N-ch open drain1Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

0.58*11Bg嘉泰姆

Yes1Bg嘉泰姆

±0.81Bg嘉泰姆

±501Bg嘉泰姆

CXDR75561Bg嘉泰姆

浪涌电压保护功能外调滞后宽度1Bg嘉泰姆

SOT26 USP6C1Bg嘉泰姆

0.81Bg嘉泰姆

21Bg嘉泰姆

1.61Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

1.43*11Bg嘉泰姆

CMOS N-ch open drain1Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

1.43*11Bg嘉泰姆

Yes1Bg嘉泰姆

±1.21Bg嘉泰姆

±501Bg嘉泰姆

CXDR75571Bg嘉泰姆

电容延迟式1Bg嘉泰姆

SOT26 USP6C1Bg嘉泰姆

11Bg嘉泰姆

51Bg嘉泰姆

1.61Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

1.32*31Bg嘉泰姆

CMOS N-ch open drain1Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

1.32*31Bg嘉泰姆

Yes1Bg嘉泰姆

±1.21Bg嘉泰姆

±501Bg嘉泰姆

CXDR75581Bg嘉泰姆

外部调整滞后电容延迟式1Bg嘉泰姆

SOT26 USP6C1Bg嘉泰姆

0.81Bg嘉泰姆

51Bg嘉泰姆

1.61Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

1.32*31Bg嘉泰姆

CMOS N-ch open drain1Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

1.32*31Bg嘉泰姆

Yes1Bg嘉泰姆

±1.21Bg嘉泰姆

±501Bg嘉泰姆

CXDR7556A1Bg嘉泰姆

车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式1Bg嘉泰姆

USP6C1Bg嘉泰姆

0.81Bg嘉泰姆

21Bg嘉泰姆

1.61Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

1.43*11Bg嘉泰姆

CMOS N-ch open drain1Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

1.43*11Bg嘉泰姆

Yes1Bg嘉泰姆

±1.21Bg嘉泰姆

±501Bg嘉泰姆

CXDR7557A1Bg嘉泰姆

车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式1Bg嘉泰姆

SOT26 USP6C1Bg嘉泰姆

11Bg嘉泰姆

51Bg嘉泰姆

1.61Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

1.321Bg嘉泰姆

CMOS N-ch open drain1Bg嘉泰姆

61Bg嘉泰姆

1.321Bg嘉泰姆

Yes1Bg嘉泰姆

±1.21Bg嘉泰姆

±501Bg嘉泰姆

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  • CXLC8972低功耗的字段式LCD显示驱动控制专用芯片有52
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