CXPR7178-AF1A CXPR7178-BF1A CXPR7178-CF1A CXPR7178-DF1A CXPR7178-EF1A CXPR7179-DA1C内置高精度电压检测电路和延迟电路，是用于锂离子/锂聚合物可再充 电电池的二级保护 IC。 本 IC 适合于对 2 节/3 节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电进行保护
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CXPR7178-AF1A CXPR7178-BF1A CXPR7178-CF1A CXPR7178-DF1A CXPR7178-EF1A CXPR7179-DA1C，内置高精度电压检测电路和延迟电路，是用于锂离子/锂聚合物可再充 电电池的二级保护 IC。 本 IC 适合于对 2 节/3 节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电进行保护。
产品特点 返回TOP
CXPR7178 全系列 IC 具备如下特点：
（1） 高精度电压检测电路
过充电检测电压VCUn
过充电释放电压V （n＝1，2，3） 4.000~4.550V 精度±20mV CRn
待机检测电压V （n＝1，2，3） 3.800~4.500V 精度±50mV SBn
（2） 延迟时间由内部电路设置（不需外接电容） 6.0s 精度±20% （n＝1，2，3） 3.500V 精度±0.4V
（3） 延时时间缩短功能：通过特定的设置可以缩短过充电检测延迟时间。 12ms 精度±50% 例如：当 VC2 =VC3 =VSS，缩短cell1 的过充电检测延迟时间；当VC1 =VC2，VC3 =VSS， 缩短cell2 的过充电检测延迟时间；当VC1 =VC2 =VC3
（4） 输出逻辑：CMOS 输出，高电平有效；高电平由稳压器输出 4.7V（典型值）。 ，缩短cell3 的过充电检测延迟时 间。
（5） 低耗电流 工作模式 典型值 3.0μA ，最大值 6.0μA（VCelln 待机模式 最大值 0.5μA（V =3.9V） Celln
（6） 2 节/3 节应用选择：通过外部线路，2 节或 3 节应用可选。 =3.1V） （7） 高耐压设计：绝对最大额定值是 30V。
（8） 宽工作温度范围： -40℃～+85℃
（9） 小型封装： TSOT-23-6 （10） 无卤素绿色环保产品
应用范围 返回TOP
2 节/3 节锂离子可再充电电池组（二次保护用）
2 节/3 节锂聚合物可再充电电池组（二次保护用）
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
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产品封装图 返回TOP
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多节保护晶片 |
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IC型号 |
过充电检测电压VCU |
过充电解除电压VCL |
过放电检测电压VDL |
过放电释放电压VDR |
放电过电流检测电压VDIP |
负载短路检测电压 VSIP |
充电过流检测电压 VCIP |
过充电 检测延 迟时间TOC |
过放电检测延迟时间TOD |
放电过流 检测延迟时间TDIP |
充电过电流检测延迟时间TCIP |
负载短路 检测延迟时间TSIP |
封装型式 |
|
4.350 V |
4.150 V |
2.300 V |
3.000 V |
300 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
4.350 V |
4.150 V |
2.300 V |
3.000 V |
200 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
4.280 V |
4.080 V |
2.900 V |
3.000 V |
200 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
4.280 V |
4.080 V |
2.250 V |
2.950 V |
200 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
4.280 V |
4.080 V |
2.250 V |
2.950 V |
150 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
4.300 V |
4.100 V |
2.900 V |
3.000 V |
200 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
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|
4.280 V |
4.080 V |
3.100 V |
3.200 V |
200 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
4.380 V |
4.180 V |
2.400 V |
2.600 V |
200 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
4.250 V |
4.050 V |
2.800 V |
3.000 V |
200 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
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|
4.450 V |
4.250 V |
2.250 V |
2.950 V |
200 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
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|
4.280 V |
4.080 V |
2.800 V |
3.000 V |
200 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
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|
4.250 V |
4.050 V |
2.800 V |
3.000 V |
100 mV |
1.0V |
-100 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
4.250 V |
4.050 V |
2.400 V |
3.000 V |
200 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
4.400 V |
4.250 V |
2.500 V |
3.000 V |
180 mV |
0.5V |
-170 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
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|
4.450 V |
4.300 V |
2.500 V |
3.000 V |
180 mV |
0.5V |
-170 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
4.275 V |
4.150 V |
2.600 V |
2.600 V |
250 mV |
1.0V |
-210 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
3.650 V |
3.450 V |
2.000 V |
2.500 V |
200 mV |
1.0 V |
-200 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
3.650 V |
3.450 V |
2.000 V |
2.500 V |
200 mV |
1.0 V |
-200 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
3.750 V |
3.250 V |
1.800 V |
2.300 V |
200 mV |
1.0 V |
-200 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
3.900 V |
3.500 V |
2.200 V |
2.500 V |
200 mV |
1.0 V |
-200 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
|
|
3.650 V |
3.500 V |
2.500 V |
2.800 V |
200 mV |
1.0 V |
-200 mV |
1000 ms |
110 ms |
10 ms |
7 ms |
250 μs |
SOT23-6 |
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注1.:省电功能=省电 / 过放自动恢复功能=过放恢复 |
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注2:是标有“*”的特定机型型号。 |
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Product Ｎame |
Overcharge Detection VoltageVCUn |
Overcharge Release Voltage |
Standby Detection Voltage VSB |
Overcharge Detection Delay TimeTOC |
Overcharge Release Delay Time TCR |
Reset Delay Time of Overcharge Detection Counter TDTR |
Package Type |
|
|
4.350 V |
4.050 V |
3.5 V |
6000 ms |
16 ms |
6 ms |
TSOT23-6 |
||
|
4.450 V |
4.150 V |
3.5 V |
6000 ms |
16 ms |
6 ms |
TSOT23-7 |
||
|
4.400 V |
4.100 V |
3.5 V |
6000 ms |
16 ms |
6 ms |
TSOT23-8 |
||
|
4.500 V |
4.200 V |
3.5 V |
6000 ms |
16 ms |
6 ms |
TSOT23-9 |
||
|
4.550 V |
4.250 V |
3.5 V |
6000 ms |
16 ms |
6 ms |
TSOT23-10 |
||
|
IC型号 |
过充电检测电压 |
过充电释放电压 |
关闭模式2检测电压 |
过充电检测 |
过充电释放 |
过充电检 测计数器 |
LDO输出电压 |
关闭模式2检测 |
|
VCUn |
VCRn |
VSD2n |
延迟时间 |
延迟时间 |
复位延迟时间 |
VLDO |
延迟时间 |
|
|
TOCn |
TCRn |
TDTR |
TSD2n |
|||||
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4.500 V |
4.200 V |
2.500 V |
6.0s |
16ms |
6ms |
3.300 V |
6.0s |
|
