CXPR7169-AB内置高精度电压检测延迟电路单节锂离子锂聚合物可再充电电池的过充电过放电过电流进行保护IC CXPR7169-CB CXPR7169-DB CXPR7169-FB*

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CXPR7169-AB CXPR7169-CB CXPR7169-DB CXPR7169-FB*系列 IC，内置高精度电压检测电路和延迟电路，是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护 IC。本 IC 适合于对 1 节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。

产品手册

[ CXPR7169-AB ]

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产品简介

CXPR7169-AB CXPR7169-CB CXPR7169-DB CXPR7169-FB* 系列 IC，内置高精度电压检测电路和延迟电路，是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护 IC。本 IC 适合于对 1 节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。

产品特点 返回TOPEbO嘉泰姆

EbO嘉泰姆

CXPR7169全系列IC具备如下特点：EbO嘉泰姆

（1）高精度电压检测电路EbO嘉泰姆

 过充电检测电压 4.250~4.350V 精度±50mVEbO嘉泰姆

 过充电释放电压 4.050~4.150V 精度±50mVEbO嘉泰姆

 过放电检测电压 2.30~2.90V 精度±100mVEbO嘉泰姆

 过放电释放电压 2.90~3.00V 精度±100mVEbO嘉泰姆

 放电过流检测电压 150mV 精度±30mVEbO嘉泰姆

 负载短路检测电压0.85V（固定）精度±300mVEbO嘉泰姆

（2）各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容）EbO嘉泰姆

 过充电检测延迟时间典型值100msEbO嘉泰姆

 过放电检测延迟时间典型值25msEbO嘉泰姆

 放电过流检测延迟时间典型值10msEbO嘉泰姆

 负载短路检测延迟时间典型值500μsEbO嘉泰姆

（3）休眠功能：可以选择“有”或“无” （详见产品目录）EbO嘉泰姆

（4）过放自恢复功能：可以选择“有”或“无” （详见产品目录）EbO嘉泰姆

（5）低耗电流（具有休眠功能的型号）EbO嘉泰姆

 工作模式典型值3.0μA，最大值6.0μA（VDD=3.9V）EbO嘉泰姆

 休眠模式最大值0.1μA（VDD=2.0V）EbO嘉泰姆

（6）连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，绝对最大额定值是20V）EbO嘉泰姆

（7）向0V电池充电功能：可以选择“允许”或“禁止” （详见产品目录）EbO嘉泰姆

（8）宽工作温度范围： -40℃～+85℃EbO嘉泰姆

（9）小型封装： SOT-23-6EbO嘉泰姆

（10）无卤素绿色环保产品EbO嘉泰姆

应用范围 返回TOPEbO嘉泰姆

EbO嘉泰姆

 1节锂离子可再充电电池组EbO嘉泰姆

 1节锂聚合物可再充电电池组EbO嘉泰姆

技术规格书（产品PDF) 返回TOP EbO嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！EbO嘉泰姆

QQ截图20160419174301.jpg EbO嘉泰姆

产品封装图 返回TOPEbO嘉泰姆

EbO嘉泰姆

电路原理图 返回TOPEbO嘉泰姆

EbO嘉泰姆

相关芯片选择指南返回TOP 更多同类产品.......

单串保护晶片EbO嘉泰姆

IC型號EbO嘉泰姆

過充電檢測電壓VCUEbO嘉泰姆

過充電釋放電壓VCREbO嘉泰姆

過放電檢測電壓EbO嘉泰姆
VDLEbO嘉泰姆

過放電釋放電壓EbO嘉泰姆
VDREbO嘉泰姆

放電過流檢測電壓 EbO嘉泰姆
VDIPEbO嘉泰姆

負載短路檢測電壓EbO嘉泰姆
VSIPEbO嘉泰姆

充電器檢測電壓VCHA/充電過流檢測電VCIP註3.EbO嘉泰姆

過充電檢測延遲時間EbO嘉泰姆
TOCEbO嘉泰姆

過放電檢測延遲時間TODEbO嘉泰姆

放電過流檢測延遲時間 EbO嘉泰姆
TDIPEbO嘉泰姆

充電過電流檢測延遲時間 EbO嘉泰姆
TCIPEbO嘉泰姆

負載短路檢測延遲時間 EbO嘉泰姆
TSIPEbO嘉泰姆

封裝型式EbO嘉泰姆

CXPR7169-ABEbO嘉泰姆

4.300 VEbO嘉泰姆

4.100 VEbO嘉泰姆

2.400 VEbO嘉泰姆

3.000 VEbO嘉泰姆

150 mVEbO嘉泰姆

0.85VEbO嘉泰姆

-300 mVEbO嘉泰姆

100 msEbO嘉泰姆

25 msEbO嘉泰姆

10 msEbO嘉泰姆

—EbO嘉泰姆

500 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7169-CBEbO嘉泰姆

4.280 VEbO嘉泰姆

4.080 VEbO嘉泰姆

2.400 VEbO嘉泰姆

3.000 VEbO嘉泰姆

150 mVEbO嘉泰姆

0.85VEbO嘉泰姆

-300 mVEbO嘉泰姆

100 msEbO嘉泰姆

25 msEbO嘉泰姆

10 msEbO嘉泰姆

—EbO嘉泰姆

500 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7169-DBEbO嘉泰姆

4.280 VEbO嘉泰姆

4.080 VEbO嘉泰姆

2.400 VEbO嘉泰姆

3.000 VEbO嘉泰姆

150 mVEbO嘉泰姆

0.85VEbO嘉泰姆

-300 mVEbO嘉泰姆

100 msEbO嘉泰姆

25 msEbO嘉泰姆

10 msEbO嘉泰姆

—EbO嘉泰姆

500 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7169-FB*EbO嘉泰姆

4.280 VEbO嘉泰姆

4.080 VEbO嘉泰姆

2.400 VEbO嘉泰姆

3.000 VEbO嘉泰姆

150 mVEbO嘉泰姆

0.85VEbO嘉泰姆

-300 mVEbO嘉泰姆

100 msEbO嘉泰姆

25 msEbO嘉泰姆

10 msEbO嘉泰姆

—EbO嘉泰姆

500 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7170-DB*EbO嘉泰姆

4.280 VEbO嘉泰姆

4.080 VEbO嘉泰姆

2.900 VEbO嘉泰姆

3.000 VEbO嘉泰姆

75 mVEbO嘉泰姆

0.85VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

100 msEbO嘉泰姆

25 msEbO嘉泰姆

10 msEbO嘉泰姆

12msEbO嘉泰姆

500 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7170-EB*EbO嘉泰姆

4.280 VEbO嘉泰姆

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2.400 VEbO嘉泰姆

2.500 VEbO嘉泰姆

150 mVEbO嘉泰姆

0.85VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

100 msEbO嘉泰姆

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500 μsEbO嘉泰姆

SOT-23-6EbO嘉泰姆

CXPR7170-GBEbO嘉泰姆

4.280 VEbO嘉泰姆

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2.900 VEbO嘉泰姆

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150 mVEbO嘉泰姆

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-100 mVEbO嘉泰姆

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SOT-23-6EbO嘉泰姆

CXPR7170-HBEbO嘉泰姆

4.280 VEbO嘉泰姆

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0.85VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

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SOT-23-6EbO嘉泰姆

CXPR7170-KBEbO嘉泰姆

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SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7170-NBEbO嘉泰姆

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150 mVEbO嘉泰姆

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SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7170-RBEbO嘉泰姆

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-200 mVEbO嘉泰姆

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SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7171-BBEbO嘉泰姆

3.750 VEbO嘉泰姆

3.600 VEbO嘉泰姆

2.100 VEbO嘉泰姆

2.300 VEbO嘉泰姆

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0.85 VEbO嘉泰姆

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1300 msEbO嘉泰姆

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SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7171-CBEbO嘉泰姆

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0.85 VEbO嘉泰姆

-200 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

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8 msEbO嘉泰姆

300 μsEbO嘉泰姆

SOT-23-6EbO嘉泰姆

CXPR7171-EBEbO嘉泰姆

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3.750 VEbO嘉泰姆

2.100 VEbO嘉泰姆

2.300 VEbO嘉泰姆

200 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-200 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

145 msEbO嘉泰姆

12 msEbO嘉泰姆

8 msEbO嘉泰姆

300 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7171-GBEbO嘉泰姆

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100 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

145 msEbO嘉泰姆

12 msEbO嘉泰姆

8 msEbO嘉泰姆

300 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7171-HBEbO嘉泰姆

3.650 VEbO嘉泰姆

3.450 VEbO嘉泰姆

2.500 VEbO嘉泰姆

3.000 VEbO嘉泰姆

200 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-250 mVEbO嘉泰姆

1000 msEbO嘉泰姆

145 msEbO嘉泰姆

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300 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7172-AA1AEbO嘉泰姆

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DFN6 (1.8X2.0mm)EbO嘉泰姆

CXPR7172-AB1AEbO嘉泰姆

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125 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

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1300 msEbO嘉泰姆

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CXPR7172-BA1AEbO嘉泰姆

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DFN6 (1.8X2.0mm)EbO嘉泰姆

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150 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

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SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7172-CA1AEbO嘉泰姆

4.275 VEbO嘉泰姆

4.075 VEbO嘉泰姆

2.300 VEbO嘉泰姆

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0.85 VEbO嘉泰姆

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1300 msEbO嘉泰姆

145 msEbO嘉泰姆

12 msEbO嘉泰姆

8 msEbO嘉泰姆

300 μsEbO嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)EbO嘉泰姆

CXPR7172-CB1AEbO嘉泰姆

4.275 VEbO嘉泰姆

4.075 VEbO嘉泰姆

2.300 VEbO嘉泰姆

150 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

145 msEbO嘉泰姆

12 msEbO嘉泰姆

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300 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7172-DA1AEbO嘉泰姆

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100 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

145 msEbO嘉泰姆

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8 msEbO嘉泰姆

300 μsEbO嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)EbO嘉泰姆

CXPR7172-DB1AEbO嘉泰姆

4.275 VEbO嘉泰姆

4.175 VEbO嘉泰姆

2.300 VEbO嘉泰姆

2.400 VEbO嘉泰姆

100 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

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12 msEbO嘉泰姆

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300 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7172-EA1BEbO嘉泰姆

4.300 VEbO嘉泰姆

4.100 VEbO嘉泰姆

2.300 VEbO嘉泰姆

250 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

145 msEbO嘉泰姆

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300 μsEbO嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)EbO嘉泰姆

CXPR7172-EB1BEbO嘉泰姆

4.300 VEbO嘉泰姆

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0.85 VEbO嘉泰姆

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1300 msEbO嘉泰姆

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300 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7172-FA2BEbO嘉泰姆

4.250 VEbO嘉泰姆

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0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

1000 msEbO嘉泰姆

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DFN6 (1.8X2.0mm)EbO嘉泰姆

CXPR7172-FB2BEbO嘉泰姆

4.250 VEbO嘉泰姆

4.050 VEbO嘉泰姆

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2.800 VEbO嘉泰姆

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0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

1000 msEbO嘉泰姆

20 msEbO嘉泰姆

12 msEbO嘉泰姆

8 msEbO嘉泰姆

300 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7172-GA3AEbO嘉泰姆

4.280 VEbO嘉泰姆

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0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

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6 msEbO嘉泰姆

8 msEbO嘉泰姆

300 μsEbO嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)EbO嘉泰姆

CXPR7172-GB3AEbO嘉泰姆

4.280 VEbO嘉泰姆

4.080 VEbO嘉泰姆

3.000 VEbO嘉泰姆

75 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

145 msEbO嘉泰姆

6 msEbO嘉泰姆

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300 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7172-HA3AEbO嘉泰姆

4.280 VEbO嘉泰姆

2.800 VEbO嘉泰姆

50 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-50 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

145 msEbO嘉泰姆

6 msEbO嘉泰姆

8 msEbO嘉泰姆

300 μsEbO嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)EbO嘉泰姆

CXPR7172-HB3AEbO嘉泰姆

4.280 VEbO嘉泰姆

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0.85 VEbO嘉泰姆

-50 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

145 msEbO嘉泰姆

6 msEbO嘉泰姆

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300 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7172-IA2CEbO嘉泰姆

4.190 VEbO嘉泰姆

2.700 VEbO嘉泰姆

3.000 VEbO嘉泰姆

100 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-40 mVEbO嘉泰姆

1000 msEbO嘉泰姆

20 msEbO嘉泰姆

12 msEbO嘉泰姆

8 msEbO嘉泰姆

300 μsEbO嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)EbO嘉泰姆

CXPR7172-IB2CEbO嘉泰姆

4.190 VEbO嘉泰姆

2.700 VEbO嘉泰姆

3.000 VEbO嘉泰姆

100 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-40 mVEbO嘉泰姆

1000 msEbO嘉泰姆

20 msEbO嘉泰姆

12 msEbO嘉泰姆

8 msEbO嘉泰姆

300 μsEbO嘉泰姆

SOT23-6EbO嘉泰姆

CXPR7172-JA1BEbO嘉泰姆

4.275 VEbO嘉泰姆

4.075 VEbO嘉泰姆

2.800 VEbO嘉泰姆

150 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

145 msEbO嘉泰姆

12 msEbO嘉泰姆

8 msEbO嘉泰姆

300 μsEbO嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)EbO嘉泰姆

CXPR7172-JB1BEbO嘉泰姆

4.275 VEbO嘉泰姆

4.075 VEbO嘉泰姆

2.800 VEbO嘉泰姆

150 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

1300 msEbO嘉泰姆

145 msEbO嘉泰姆

12 msEbO嘉泰姆

8 msEbO嘉泰姆

300 μsEbO嘉泰姆

SOT-23-6EbO嘉泰姆

CXPR7172-KA5BEbO嘉泰姆

4.250 VEbO嘉泰姆

4.190 VEbO嘉泰姆

2.800 VEbO嘉泰姆

3.000 VEbO嘉泰姆

150 mVEbO嘉泰姆

0.85 VEbO嘉泰姆

-100 mVEbO嘉泰姆

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註1.:省電功能=省電 / 過放自動恢復功能=過放恢復EbO嘉泰姆

註2:是標有“*”的特定機型型號。EbO嘉泰姆

註3:CXPR7169系列為VCHA,其它系列為VCIPEbO嘉泰姆

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