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CXLB73311 超级电容充电管理芯片 | 支持1.5A恒流恒压与自动均衡 | JTM-IC官方型号
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在现代电子系统中,超级电容因其高功率密度、长寿命和快速充放电特性,被广泛应用于备用电源、智能电表、工业控制及便携设备中。为超级电容提供高效、安全、稳定的充电管理成为系统设计的关键。CXLB73311作为一款专为超级电容设计的线性充电管理芯片,集成恒流恒压控制、自动电压均衡与多重保护功能,适用于单节或双节超级电容的充电管理。本文将全面介绍CXLB73311的功能特性、工作原理、设计要点及典型应用,助力工程师构建高可靠性的超级电容充电系统。

CXLB73311 超级电容充电管理芯片 | 支持1.5A恒流恒压与自动均衡 | JTM-IC官方型号
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产品简介

       在现代电子系统中,超级电容因其高功率密度、长寿命和快速充放电特性,被广泛应用于备用电源、智能电表工业控制及便携设备中。为超级电容提供高效、安全、稳定的充电管理成为系统设计的关键。CXLB73311作为一款专为超级电容设计的线性充电管理芯片,集成恒流恒压控制、自动电压均衡与多重保护功能,适用于单节或双节超级电容的充电管理。本文将全面介绍CXLB73311的功能特性、工作原理、设计要点及典型应用,助力工程师构建高可靠性的超级电容充电系统。GO5嘉泰姆


一、芯片概述与核心技术特性

CXLB73311是一款高集成度的线性充电管理芯片,输入电压范围为2.7V至6V,内置功率MOSFET,无需外接阻流二极管或电流检测电阻,极大简化了外围电路设计。其核心特性包括:GO5嘉泰姆

·   支持单节或双节超级电容串联充电;GO5嘉泰姆

·   充电电流最高达1.5A,可通过外部电阻灵活设置;GO5嘉泰姆

·   集成恒流(CC)、恒压(CV)和恒温(Thermal Regulation)三种充电模式;GO5嘉泰姆

·   内置电容电压自动均衡电路,防止充电过程中电容过压;GO5嘉泰姆

·   具备输入电源低电压锁定(UVLO)、睡眠模式与电源准备好状态输出;GO5嘉泰姆

·   采用ESOP8封装,散热优良,适合紧凑型设计;GO5嘉泰姆

·   产品符合无铅、RoHS与无卤素环保标准。GO5嘉泰姆


二、引脚功能与电气参数

CXLB73311采用8引脚ESOP封装,关键引脚功能如下:GO5嘉泰姆

·   CE:芯片使能输入端,高电平有效,支持TTL/CMOS电平;GO5嘉泰姆

·   ISET:恒流充电电流设置与监测引脚,外接电阻设定充电电流;GO5嘉泰姆

·   VIN:输入电源正极,内部电路工作电源;GO5嘉泰姆

·   TOP:超级电容正极连接端,提供充电电流;GO5嘉泰姆

·   MID:双电容串联时的中间连接点;GO5嘉泰姆

·   FB:电压反馈输入端,通过外部分压电阻设置恒压充电电压;GO5嘉泰姆

·   PG:漏极开路输出,指示电容电压是否接近设定值;GO5嘉泰姆

·   Exposed Pad:散热焊盘,必须接地以提升散热性能。GO5嘉泰姆

芯片具备良好的温度适应性,工作结温范围为-40℃至85℃,并在内部设定130℃的过热保护阈值,确保系统在各种环境下稳定运行。GO5嘉泰姆


三、工作模式与充电流程

CXLB73311采用三段式充电管理机制:恒流(CC)→ 恒压(CV)→ 恒温(Thermal Regulation),具体流程如下:GO5嘉泰姆

3.1.  恒流充电:当超级电容电压较低时,芯片以设定电流进行快速充电,电流值由ISET引脚电阻决定,计算公式为:GO5嘉泰姆

ICH​=​1188​/RISET

3.2.  恒压充电:当电容电压接近设定值时,芯片转入恒压模式,电压由FB引脚外接电阻分压设置:GO5嘉泰姆

VOUT​=1.205×(1+R1/R2​)

3.3.  恒温调节:若芯片结温超过130℃,系统自动降低充电电流,将温度控制在安全范围内,避免过热损坏。GO5嘉泰姆

在整个充电过程中,芯片还通过PG引脚输出状态信号:当电容电压达到设定值的94.1%时,PG输出低电平,表示电容已接近满电状态。GO5嘉泰姆


四、关键功能详解

4.1. 自动电压均衡

在双电容串联充电应用中,CXLB73311内置的自动均衡电路可实时监测并调整两节电容的电压差。当检测到电压不平衡时,芯片通过内部旁路电路降低高压电容的充电电流,实现动态均衡。该功能有效延长超级电容寿命,避免因电压不均导致的过压风险。GO5嘉泰姆

4.2. 睡眠模式与低功耗管理

当输入电压低于电容电压10mV时,芯片自动进入睡眠模式,此时TOP与MID引脚的总电流消耗低于3μA,极大降低系统待机功耗。只有当输入电压恢复至高于电容电压60mV时,芯片才重新启动充电。GO5嘉泰姆

4.3. 软启动与输入保护

CXLB73311集成软启动功能,在上电或重新启动时,充电电流在约320μs内从零逐渐上升至设定值,有效抑制浪涌电流。此外,建议在VIN引脚附近布置1μF以上的陶瓷电容,必要时可加入TVS二极管或串联二极管,以抑制电源线上的瞬态过压。GO5嘉泰姆


五、典型应用场景

CXLB73311非常适合以下应用:GO5嘉泰姆

·   智能电表与远程抄表系统:作为超级电容备用电源的充电管理单元;GO5嘉泰姆

·   工业控制与通信模块:提供断电时的快速能量补充;GO5嘉泰姆

·   USB调制解调器与PC卡设备:支持便携设备中的超级电容充电;GO5嘉泰姆

·   医疗电子与便携仪器:满足高可靠性、长寿命的电源需求;GO5嘉泰姆

·   汽车电子与IoT设备:适用于低压、高效率的备用电源系统。GO5嘉泰姆


六、设计要点与PCB布局建议

6.1. 电流与电压设置

·   使用1%精度的金属膜电阻设置RISET与R1/R2,确保电流与电压精度;GO5嘉泰姆

·   避免在ISET引脚并联电容,以防影响环路稳定性;GO5嘉泰姆

·   若需监测充电电流,可通过测量ISET引脚电压并代入下式计算:GO5嘉泰姆

ICH​=​VISET/RISET​​×986

6.2. 散热与布局优化

·   将芯片底部散热焊盘充分焊接至PCB地平面,并通过多个过孔连接底层铜层;GO5嘉泰姆

·   VIN、TOP、MID引脚的旁路电容应尽量靠近芯片引脚;GO5嘉泰姆

·   功率回路(VIN–TOP–GND)应短而宽,减少寄生电阻与电感;GO5嘉泰姆

·   ISET、FB等敏感信号线应远离高频开关节点。GO5嘉泰姆


七、保护机制与可靠性

CXLB73311具备全面的系统保护功能:GO5嘉泰姆

·   输入欠压锁定(UVLO),阈值典型值2.4V,回滞0.12V;GO5嘉泰姆

·   过流保护限制最大充电电流不超过1.6A;GO5嘉泰姆

·   结温保护在130℃时启动,自动降流以控制温度;GO5嘉泰姆

·   睡眠模式下极低的自耗电,延长超级电容待机时间。GO5嘉泰姆


八、结语

      CXLB73311作为一款高集成度、高可靠性的超级电容充电管理芯片,以其简洁的外围电路、灵活的电流电压设置、智能的温控与均衡功能,为各类备用电源系统提供了理想的单芯片解决方案。无论是在智能电表工业控制还是便携设备中,该芯片都能帮助设计师实现高效、安全、紧凑的电源管理架构。GO5嘉泰姆

       JTM-IC(jtm-ic.com)作为专业的集成电路解决方案提供商,致力于为客户提供高性能、高可靠性的芯片产品与完整的技术支持。如需获取CXLB73311样品、技术资料或设计协助,欢迎访问我们的官方网站或联系技术支持团队。GO5嘉泰姆


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