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CXLE82105大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片闭锁功能防止输出功率管同时导通输入通道LIN内建上拉5V高电位HIN内建10K下拉电阻输入悬空时使上下功率MOS管处于关闭状态输出采用半桥式达林顿管结构
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CXLE82105高端的工作电压可达120V,Vcc 的电源电压范围宽8V~30V,静态功耗低仅3.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道LIN 内建了上拉5V 高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。CXLE82105 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。
高端悬浮自举电源设计,耐压可达120V
内建死区控制电路
自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力
专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动
HIN 输入通道控制高端HO 输出
LIN 输入通道控制低端LO 输出
外围器件少
静态电流小:3.5mA

CXLE82105大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片闭锁功能防止输出功率管同时导通输入通道LIN内建上拉5V高电位HIN内建10K下拉电阻输入悬空时使上下功率MOS管处于关闭状态输出采用半桥式达林顿管结构
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产品简介

目录

1.产品概述       2.产品特点     wgn嘉泰姆

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)wgn嘉泰姆

5.产品封装       6.电路原理图  wgn嘉泰姆

7.相关产品wgn嘉泰姆

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         CXLE82105 高端的工作电压可达120V,Vcc 的电源电压范围宽8V~30V,静态功耗低仅3.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道LIN 内建了上拉5V 高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。CXLE82105 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。

   产品特点 返回TOPwgn嘉泰姆


 高端悬浮自举电源设计,耐压可达120Vwgn嘉泰姆

内建死区控制电路wgn嘉泰姆

自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通wgn嘉泰姆

采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力wgn嘉泰姆

专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动wgn嘉泰姆

HIN 输入通道控制高端HO 输出wgn嘉泰姆

LIN 输入通道控制低端LO 输出wgn嘉泰姆

外围器件少wgn嘉泰姆

静态电流小:3.5mAwgn嘉泰姆

封装形式:SOP-8wgn嘉泰姆

   应用范围 返回TOPwgn嘉泰姆


电动摩托车控制器wgn嘉泰姆

电动自行车控制器wgn嘉泰姆

100V 降压型开关电源wgn嘉泰姆

变频水泵控制器wgn嘉泰姆

无刷电机驱动器wgn嘉泰姆

高压Class-D 类功放wgn嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP wgn嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!wgn嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgwgn嘉泰姆

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电路原理图 返回TOPwgn嘉泰姆


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型号wgn嘉泰姆

工作型号wgn嘉泰姆

电流wgn嘉泰姆

封装wgn嘉泰姆

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