CXMS5104是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。
CXMS5104电源电压范围宽 3V～30V，静态功耗低仅 2mA，输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚，可以用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。
-
[ CXMS5104 ]
目录
1.产品概述 2.产品特点
3.应用范围 4.下载产品资料PDF文档
5.产品封装图 6.电路原理图
7.功能概述 8.相关产品
一,产品概述(General Description)
CXMS5104是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。
CXMS5104电源电压范围宽 3V～30V，静态功耗低仅 2mA，输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚，可以用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。
二.产品特点(Features)
源出峰值驱动电流达 1A 和吸入峰值驱动电流达 1.2A
宽电压输入范围：+3V - +30V
输入端 IN 可承受最高为+30V 的输入电压
低输入供电电流：
逻辑 1 输入— 200uA（典型值）
逻辑 0 输入— 0uA（典型值）
独立的拉电流和灌电流输出结构可独立调节上升沿和下降沿时间
SD 引脚实现逐周关断控制，可用于短路或过流保护处理电路
封装形式：SOP-8
三,应用范围 (Applications)
电机驱动器
逆变器
步进电机驱动
DC/DC 转换器
驱动大功率双极型晶体管
UPS 不间断电源
Class-D 功率放大器
开关电源
脉冲变压器驱动器
无刷风扇
四.产品资料PDF文档
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
五,产品封装图 (Package)
|
引脚序号 |
引脚名称 |
I/O |
描述 |
|
1 |
NC |
NC |
空脚 |
|
2 |
IN |
I |
驱动输入信号，控制 MOSFET 管的导通与截止，输入电压范围为-0.3V~+Vcc ： |
|
3 |
SD |
I |
驱动输出关断控制脚： |
|
4 |
NC |
NC |
空脚 |
|
5 |
GND |
GND |
输入、输出公共地端，必须靠近被驱动的 MOSFET 源极 |
|
6 |
OUTS |
O |
驱动输出吸入端,能吸入 1.2A 的灌电流输出能力 |
|
7 |
OUTD |
O |
驱动输出源出端,能源出 1A 的拉电流输出能力 |
|
8 |
Vcc |
Power |
芯片工作电源及 MOSFET 驱动电源，电压范围为 3V 至 30V |
六.电路原理图
七,功能概述
|
符号 |
参数名称 |
测试条件 |
最小 |
最大 |
单位 |
|
输出端 |
OUTD |
- |
-0.3 |
35 |
V |
|
输出端 |
OUTS |
- |
-0.3 |
35 |
V |
|
电源 |
VCC |
- |
-0.3 |
35 |
V |
|
逻辑信号输入高 |
IN |
- |
-0.3 |
35 |
V |
|
逻辑信号输入低 |
IN |
- |
-0.3 |
35 |
V |
|
SD 控制端 |
SD |
- |
-0.3 |
7 |
V |
|
TA |
环境温度 |
- |
-45 |
85 |
℃ |
|
Tstr |
储存温度 |
- |
-65 |
125 |
℃ |
|
TL |
焊接温度 |
T=10S |
- |
300 |
℃ |
八,相关产品 更多同类产品.....
|
半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC |
|||||||||
|
型号 |
工作电压 |
静态电流 |
I/O拉电流 |
I/O灌电流 |
上升时间 |
下降时间 |
开延时 |
关延时 |
封装 |
|
10V-20V/高端工作电压120V |
150uA |
0.45A |
0.9A |
70nS |
60nS |
120nS |
120nS |
SOP8 |
|
|
11V-30V/高端工作电压100V |
4.5mA |
0.8A |
1A |
400nS |
200nS |
300nS |
400nS |
SOP8 |
|
|
11V-30V/高端工作电压100V |
4.5mA |
0.8A |
1A |
400nS |
200nS |
300nS |
400nS |
SOP8 |
|
|
10V-20V/高端工作电压600V |
150uA |
0.3A |
0.6A |
60nS |
35nS |
500nS |
500nS |
SOP8 |
|
|
10V-20V/高端工作电压600V |
150uA |
0.3A |
0.6A |
90nS |
40nS |
20nS |
20nS |
SOP8 |
|
|
单通道大功率MOS管/IGBT驱动IC |
|||||||||
|
型号 |
工作电压 |
静态电流 |
I/O拉电流 |
I/O灌电流 |
上升时间 |
下降时间 |
开延时 |
关延时 |
封装 |
|
3V-30V |
2mA |
1A |
1.2A |
80nS |
20nS |
200nS |
80nS |
SOP8 |
|
◀ 上一篇:CXMS5103基于P_SUB P_EPI工艺的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT其工作电压高达600V
下一篇▶:返回列表
