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CXCP5367D是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造
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CXCP5367D是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。

CXCP5367D是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造
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   产品概述 返回TOPtQe嘉泰姆

The CXCP5367D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

   产品特点 返回TOPtQe嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.48Ω @VGS=-4.5V tQe嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.67Ω @VGS=-2.5V tQe嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.95Ω @VGS=-1.8V tQe嘉泰姆

● RDS(ON)= 2.20Ω @VGS=-1.5V tQe嘉泰姆

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON) tQe嘉泰姆

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability tQe嘉泰姆

● Capable doing Cu wire bondingtQe嘉泰姆

   应用范围 返回TOPtQe嘉泰姆

● Power Management in Note book tQe嘉泰姆

● Portable Equipment tQe嘉泰姆

● Battery Powered SystemtQe嘉泰姆

   技术规格书（产品PDF) 返回TOP tQe嘉泰姆

     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！tQe嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgtQe嘉泰姆

产品封装图 返回TOPtQe嘉泰姆

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电路原理图 返回TOPtQe嘉泰姆

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单P沟道低压MOS场效应管tQe嘉泰姆

型号tQe嘉泰姆

沟道tQe嘉泰姆

VDStQe嘉泰姆

VGStQe嘉泰姆

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IDtQe嘉泰姆

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DNF2*2-6tQe嘉泰姆

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DFN2*3-8tQe嘉泰姆

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P沟道tQe嘉泰姆

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SOT23-6LtQe嘉泰姆

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