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CXCP5367DR是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟道技术制造适合于最小化导通电阻
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The CXCP5367DR is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

CXCP5367DR是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟道技术制造适合于最小化导通电阻
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   产品概述 返回TOPZi4嘉泰姆

The CXCP5367DR is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

   产品特点 返回TOPZi4嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.48Ω @VGS=-4.5V Zi4嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.67Ω @VGS=-2.5V Zi4嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.95Ω @VGS=-1.8V Zi4嘉泰姆

● RDS(ON)= 2.20Ω @VGS=-1.5V Zi4嘉泰姆

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Zi4嘉泰姆

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability Zi4嘉泰姆

● Capable doing Cu wire bondingZi4嘉泰姆

   应用范围 返回TOPZi4嘉泰姆

● Power Management in Note book Zi4嘉泰姆

● Portable Equipment Zi4嘉泰姆

● Battery Powered SystemZi4嘉泰姆

   技术规格书（产品PDF) 返回TOP Zi4嘉泰姆

     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！Zi4嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgZi4嘉泰姆

产品封装图 返回TOPZi4嘉泰姆

blob.pngZi4嘉泰姆

电路原理图 返回TOPZi4嘉泰姆

blob.pngZi4嘉泰姆

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型号Zi4嘉泰姆

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IDZi4嘉泰姆

IDMZi4嘉泰姆

RDS(on)Zi4嘉泰姆

封装Zi4嘉泰姆

(Max)Zi4嘉泰姆

  

(Typ)Zi4嘉泰姆

(Max)Zi4嘉泰姆

  

(Max)Zi4嘉泰姆

BSS84Zi4嘉泰姆

P沟道Zi4嘉泰姆

-50VZi4嘉泰姆

20VZi4嘉泰姆

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P沟道Zi4嘉泰姆

-12VZi4嘉泰姆

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-12VZi4嘉泰姆

-12VZi4嘉泰姆

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-20VZi4嘉泰姆

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-12VZi4嘉泰姆

-12VZi4嘉泰姆

-0.65VZi4嘉泰姆

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-30VZi4嘉泰姆

-12VZi4嘉泰姆

-1.0VZi4嘉泰姆

-4.2AZi4嘉泰姆

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CXCP5371CZi4嘉泰姆

P沟道Zi4嘉泰姆

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72mΩZi4嘉泰姆

SOT23Zi4嘉泰姆

CXCP5371DZi4嘉泰姆

P沟道Zi4嘉泰姆

-30VZi4嘉泰姆

-12VZi4嘉泰姆

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-30VZi4嘉泰姆

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P沟道Zi4嘉泰姆

-30VZi4嘉泰姆

-20VZi4嘉泰姆

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17mΩZi4嘉泰姆

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-20VZi4嘉泰姆

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