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首页 > 产品中心 > 功率器件 > P沟道MOSFETs > CXCP5381 CXCP5381B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications
CXCP5381 CXCP5381B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications
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CXCP5381 CXCP5381B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications
● VDS = -20V,ID = -5A
RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=-4.5V
RDS(ON) < 60mΩ @ VGS=-10V
● High Power and current handing capability
● Lead free product is acquired
● Surface Mount Package

CXCP5381 CXCP5381B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications
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   产品概述 返回TOPeOS嘉泰姆

The CXCP5381 CXCP5381B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

   产品特点 返回TOPeOS嘉泰姆

● VDS = -20V,ID = -5A eOS嘉泰姆

RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=-4.5V eOS嘉泰姆

RDS(ON) < 60mΩ @ VGS=-10V eOS嘉泰姆

● High Power and current handing capability eOS嘉泰姆

● Lead free product is acquired eOS嘉泰姆

● Surface Mount PackageeOS嘉泰姆

   应用范围 返回TOPeOS嘉泰姆

●PWM applications eOS嘉泰姆

●Load switch eOS嘉泰姆

●Power managementeOS嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgeOS嘉泰姆

产品封装图 返回TOPeOS嘉泰姆

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电路原理图 返回TOPeOS嘉泰姆

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