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CXMS5108极低阈值电压超高密度电池设计是N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装采用先进的沟道技术和设计提供低栅极电荷的优秀RDS(ON)
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CXMS5108是N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管,作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装,采用先进的沟道技术和设计,以提供低栅极电荷的优秀RDS(ON)。标准产品CXMS5108不含铅和卤素。
沟槽技术
超高密度电池设计
优良的电阻
极低阈值电压

CXMS5108极低阈值电压超高密度电池设计是N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装采用先进的沟道技术和设计提供低栅极电荷的优秀RDS(ON)
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   产品概述 返回TOPBxG嘉泰姆


The CXMS5108 is the N-Channel and P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor as a single package for DC-DC converter or level shift applications, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. Standard Product CXMS5108 is Pb-free and Halogen-free.

   产品特点 返回TOPBxG嘉泰姆


 Trench Technology BxG嘉泰姆

 Supper high density cell design BxG嘉泰姆

 Excellent ON resistance BxG嘉泰姆

 Extremely Low Threshold Voltage BxG嘉泰姆

 Small package SOT-23-6LBxG嘉泰姆

   应用范围 返回TOPBxG嘉泰姆


 Driver: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers BxG嘉泰姆

 Power supply converters circuit BxG嘉泰姆

 Load/Power Switching for portable deviceBxG嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP BxG嘉泰姆


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电路原理图 返回TOPBxG嘉泰姆


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Polarity Channel VDS VGS VGS(th) RDS(ON)@VGS=4.5V ID@TA=25oC Package Size
(Max.) (Max.) (Max.) (Typ.) (MAX.) (L×W)
(V) (V) (V) (Ω) (A) (mm)
CXMS5105 N + P 2 20/-20 ±6/±8 0.85/-1.0 0.18/0.085 0.65/-3.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5106 N + P 2 20/-20 ±6 0.9/-0.9 0.23/0.52 0.8/-0.59 SOT-363 2.1 x 2.3
CXMS5107 N + P 2 20/-20 ±6 0.9/-0.9 0.18/0.45 0.79/-0.5 SOT-563 1.6 x 1.6
CXMS5108 N + P 2 20/-20 ±8 1/-1 0.033/0.085 4.4/-2.8 SOT-23-6L 2.9 x 2.8
CXMS5109 N + P 2 12/-12 ±8 1.2/-1.2 0.028/-0.057 5.1/-4.0 DFN2020-6L 2.0 x 2.0

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