产品信息查询
产品 技术 新闻 资料
首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道P沟道双极MOSFETs >CXMS5237E CXMS5239E采用先进的沟道技术在栅极电压低至2.5V的情况下提供RDS(ON)低栅极充电和操作适合用作负载开关或在脉宽调制应用中使用高功率和电流处理能力
CXMS5237E CXMS5239E采用先进的沟道技术在栅极电压低至2.5V的情况下提供RDS(ON)低栅极充电和操作适合用作负载开关或在脉宽调制应用中使用高功率和电流处理能力
16

CXMS5237E CXMS5239E采用先进的沟道技术,在栅极电压低至2.5V的情况下,提供卓越的RDS(ON)、低栅极充电和操作。该设备适合用作负载开关或在脉宽调制应用中使用。它是防静电的高功率和电流处理能力获得无铅产品
VDS = 20V,ID =6A
Typ.RDS(ON) = 17m Ω @ VGS=4.5V
Typ.RDS(ON) = 22mΩ @ VGS=2.5V
ESD Rating: 2000V HBM

CXMS5237E CXMS5239E采用先进的沟道技术在栅极电压低至2.5V的情况下提供RDS(ON)低栅极充电和操作适合用作负载开关或在脉宽调制应用中使用高功率和电流处理能力
产品手册
样品申请

样品申请

产品简介

                          目录356嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)356嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品356嘉泰姆

一.产品概述356嘉泰姆


  The CXMS5237E CXMS5239E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested.356嘉泰姆

二.产品特点356嘉泰姆


● VDS = 20V,ID =6A 356嘉泰姆

 Typ.RDS(ON) = 17m Ω @ VGS=4.5V356嘉泰姆

    Typ.RDS(ON) = 22mΩ @ VGS=2.5V356嘉泰姆

      ESD Rating: 2000V HBM 356嘉泰姆

● High Power and current handing capability 356嘉泰姆

● Lead free product is acquired 356嘉泰姆

● Surface Mount Package356嘉泰姆

三.应用范围356嘉泰姆


●PWM application 356嘉泰姆

●Load switch    356嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)356嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!356嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpg356嘉泰姆

五.产品封装图356嘉泰姆


blob.png  356嘉泰姆

六.电路原理图356嘉泰姆


 blob.png  356嘉泰姆

七.相关芯片选择指南356嘉泰姆


MOSFET及分立器件>>金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)
Part No. Mode VDS(Max.) ID(Max.) RDS(on)(Max.) Package Reference
CXMS5225 P-Channel -20V -3A 64mΩ SOT23 APM2301  SI2301
CXMS5226 P-Channel -20V -4.1A 39mΩ SOT23 APM2305  SI2305
CXMS5227 P-Channel -30V -4.1A 55mΩ SOT23 3407 2307
CXMS5228 P-Channel -30V -4.2A 50mΩ SOT23 AO3401   2303
CXMS5229 P-Channel -30V -5.1A 48mΩ SOP8 9435
CXMS5230 Dual P-Channel -30V -5.1A 48mΩ SOP8 4953
CXMS5231 P-Channel -30V -9.1A 15mΩ SOP8 4435
CXMS5248 P-Channel -300V -170mA 17Ω TO92 BSP304
CXMS5232 N-Channel 20V 2.9A 30mΩ SOT23 SI2302
CXMS5233 Dual N-Channel 20V 4A 19.5mΩ SOT23-6 8205
CXMS5234 N-Channel 20V 5A 22mΩ SOT23  
CXMS5235A Dual N-Channel 20V 6A 21mΩ TSSOP8 8205A
CXMS5235B Dual N-Channel 20V 6A 16mΩ TSSOP8 SOT23-6  
CXMS5236 Dual N-Channel 20V 6A 26mΩ SOP8 9926
CXMS5237E Dual N-Channel(ESD) 20V 6A 17mΩ TSSOP8 8205E
CXMS5238NE Dual N-Channel(ESD) 20V 6A 17mΩ SOT23-6 8205E
CXMS5239E Dual N-Channel(ESD) 20V 7A 15mΩ TSSOP8 8205E
CXMS5240NE Dual N-Channel(ESD) 20V 7A 15mΩ SOT23-6 8205E
CXMS5241 N-Channel 30V 3.6A 39mΩ SOT23  
CXMS5242 N-Channel 30V 5.8A 28mΩ SOT23 3400
CXMS5243 N-Channel 30V 5.8A 25.5mΩ SOT23  
CXMS5244K N-Channel 30V 50A 8mΩ TO252  
CXMS5245K N-Channel(ESD) 50V 220mA SOT23  
CXMS5246 N-Channel 60V 115mA 1.1Ω SOT23 2N7002
CXMS5246K N-Channel(ESD) 60V 300mA SOT23 2N7002K
CXMS5247 N-Channel 200V 300mA TO92 BS108
CXMS5249 Dual N-Channel 12V 21A 5.5mΩ CSP6 EFC6611R

发表评论
    共有条评论
    用户名: 密码:
    验证码: 匿名发表

热门信息
  • 最新信息
    推荐信息
    相关文章
  • CXMS5236采用先进的沟槽技术和设计以低栅极电荷提供优
  • CXMS5235B
  • CXMS5235A CXMS5235B采用先进的沟道技术在栅极电压低
  • CXMS5233采用先进的沟道技术在低至2.5V的栅极电压下提
  • CXMS5230采用先进的沟道技术在栅极电压低至4.5V的情况
  • CXMS5224双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟
  • CXMS5223双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟
  • CXMS5221双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟
  • CXMS5219
  • CXMS5218
  • 推荐资讯
    智能电表驱动技术全景解析:从计量芯片到通信模块的完整指南
    智能电表驱动技术全景
    电子秤显示模块核心技术解析:从LCD驱动到智能接口的全方案指南
    电子秤显示模块核心技
    显示驱动电路深度解析:从基础原理到先进设计的完整指南  SEO关键词:
    显示驱动电路深度解析
    智能家电控制系统全面解析:从技术原理到未来趋势的深度指南
    智能家电控制系统全面
    串行通信接口终极指南:从基础原理到高速协议的全景解析
    串行通信接口终极指南
    家电显示控制系统全景解读:从UI设计到智能交互的技术演进
    家电显示控制系统全景
    辉度调节技术全面解析:从PWM调光到智能亮度控制的全景指南
    辉度调节技术全面解析
    串行接口终极指南:从UART到PCIe,详解串行通信原理与应用
    串行接口终极指南:从UA
    显示控制系统深度解析:从驱动原理到多屏交互的全景指南
    显示控制系统深度解析
    段码LED显示技术详解:原理、应用与选型指南
    段码LED显示技术详解:
    键盘扫描揭秘:从原理到应用,全面解析键盘如何识键如神
    键盘扫描揭秘:从原理到
    恒流驱动:终极指南 - 原理、优势与应用场景
    恒流驱动:终极指南 -