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CXSD62108单相恒定时间同步的脉宽调制控制器驱动N通道mosfet笔记本电脑中产生低压芯片组RAM电源的电压
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CXSD62108配备了精确的正电流限制、输出欠压和输出过电压保护,非常适合NB应用。
上电复位功能监控VCC和PVCC上的电压防止上电时误操作。CXSD62108具有1.2ms数字
软启动和内置的集成输出放电装置软停止。一个内部集成软启动可编程增加输出电压
降低启动电流的回转率。主动软停止功能放电输出电容器

CXSD62108单相恒定时间同步的脉宽调制控制器驱动N通道mosfet笔记本电脑中产生低压芯片组RAM电源的电压
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产品简介

目录ECy嘉泰姆

1.产品概述                       2.产品特点ECy嘉泰姆
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 ECy嘉泰姆
5.产品封装图                     6.电路原理图                   ECy嘉泰姆
7.功能概述                        8.相关产品ECy嘉泰姆

一,产品概述(General Description)         ECy嘉泰姆
      The CXSD62108 is a single-phase, constant-on-time,synchronous PWMECy嘉泰姆
controller, which drives N-channel MOSFETs. The CXSD62108 steps down highECy嘉泰姆
voltage to generate low-voltage chipset or RAM supplies in notebook computers.ECy嘉泰姆
      The CXSD62108 provides excellent transient response and accurate DCECy嘉泰姆
voltage output in either PFM or PWM Mode.In Pulse Frequency Mode (PFM),ECy嘉泰姆
the CXSD62108 provides very high efficiency over light to heavy loads with ECy嘉泰姆

loading-modulated switching frequencies. In PWM Mode, the converter worksECy嘉泰姆

nearly at constant frequency for low-noise requirements.ECy嘉泰姆
    The CXSD62108 is equipped with accurate positive current-limit, outputECy嘉泰姆
under-voltage, and output over-voltage protections, perfect for NB applications.ECy嘉泰姆
The Power-On-Reset function monitors the voltage on VCC and PVCC toECy嘉泰姆
prevent wrong operation during power-on. The CXSD62108 has a 1.2ms digitalECy嘉泰姆
soft-start and built-in an integrated output discharge device for soft-stop. An ECy嘉泰姆

internal integrated soft-start ramps up the output voltage with programmable ECy嘉泰姆

slew rate to reduce the start-up current. A soft-stop function actively ECy嘉泰姆

discharges the output capacitors.ECy嘉泰姆
       The CXSD62108 is available in 14pin TSSOP, 14pin QFN and 16pin TQFNECy嘉泰姆
packages respectively.ECy嘉泰姆
二.产品特点(Features)ECy嘉泰姆
Adjustable Output Voltage from +0.75V to +5.5VECy嘉泰姆
- 0.75V Reference VoltageECy嘉泰姆
- ±1% Accuracy Over-TemperatureECy嘉泰姆
Operates from An Input Battery Voltage Range ofECy嘉泰姆
+1.8V to +28VECy嘉泰姆
Power-On-Reset Monitoring on VCC Pin and PVCC PinECy嘉泰姆
Excellent Line and Load Transient ResponsesECy嘉泰姆
PFM Mode for Increased Light Load EfficiencyECy嘉泰姆
Programmable PWM Frequency from 100kHz to 500kHzECy嘉泰姆
Integrated MOSFET DriversECy嘉泰姆
Integrated Bootstrap Forward P-CH MOSFETECy嘉泰姆
Adjustable Integrated Soft-Start and Soft-StopECy嘉泰姆
Selectable Forced PWM or Automatic PFM/PWM ModeECy嘉泰姆
Power Good MonitoringECy嘉泰姆
70% Under-Voltage ProtectionECy嘉泰姆
125% Over-Voltage ProtectionECy嘉泰姆
Adjustable Current-Limit ProtectionECy嘉泰姆
- Using Sense Low-Side MOSFET’s RDS(ON)ECy嘉泰姆
Over-Temperature ProtectionECy嘉泰姆
TSSOP-14, QFN3.5x3.5-14, and TQFN3x3-16 PackagesECy嘉泰姆
Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)ECy嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)ECy嘉泰姆
NotebookECy嘉泰姆
Table PCECy嘉泰姆
Hand-Held PortableECy嘉泰姆
AIO PCECy嘉泰姆
四.下载产品资料PDF文档 ECy嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持ECy嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgECy嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)ECy嘉泰姆

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六.电路原理图ECy嘉泰姆


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七,功能概述ECy嘉泰姆


Layout Consideration (Cont.)ECy嘉泰姆
· The signals going through theses traces have both high dv/dt and high di/dt with high peak charging and dis-ECy嘉泰姆
charging current. The traces from the gate drivers to the MOSFETs (UGATE and LGATE) should be short and wide.ECy嘉泰姆
· Place the source of the high-side MOSFET and the drain of the low-side MOSFET as close as possible. Minimiz-ECy嘉泰姆
ing the impedance with wide layout plane between the two pads reduces the voltage bounce of the node. InECy嘉泰姆
addition, the large layout plane between the drain of the MOSFETs (VIN and PHASE nodes) can get better heatECy嘉泰姆
sinking.ECy嘉泰姆
· The PGND is the current sensing circuit reference ground and also the power ground of the LGATE low-ECy嘉泰姆
side MOSFET. On the hand, the PGND trace should be a separate trace and independently go to the source of theECy嘉泰姆
low-side MOSFET. Besides, the current sense resistor should be close to OCSET pin to avoid parasitic capaci-ECy嘉泰姆
tor effect and noise coupling.ECy嘉泰姆
· Decoupling capacitors, the resistor-divider, and boot capacitor should be close to their pins. (For example, placeECy嘉泰姆
the decoupling ceramic capacitor close to the drain of the high-side MOSFET as close as possible.)ECy嘉泰姆
· The input bulk capacitors should be close to the drain of the high-side MOSFET, and the output bulk capacitorsECy嘉泰姆
should be close to the loads. The input capacitor’s ground should be close to the grounds of the output capacitorsECy嘉泰姆
and low-side MOSFET.ECy嘉泰姆
· Locate the resistor-divider close to the FB pin to mini-mize the high impedance trace. In addition, FB pin tracesECy嘉泰姆
can’t be close to the switching signal traces (UGATE, LGATE, BOOT, and PHASE).ECy嘉泰姆
八,相关产品                      更多同类产品...... ECy嘉泰姆


Switching Regulator >   Buck ControllerECy嘉泰姆

Part_No ECy嘉泰姆

Package ECy嘉泰姆

ArchiECy嘉泰姆

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PhaseECy嘉泰姆

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PWMECy嘉泰姆

OutputECy嘉泰姆

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VoltageECy嘉泰姆

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CXSD6274CECy嘉泰姆

SOP-8ECy嘉泰姆

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CXSD6275ECy嘉泰姆

QFN4x4-24ECy嘉泰姆

VMECy嘉泰姆

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CXSD6277/A/BECy嘉泰姆

SOP8|TSSOP8ECy嘉泰姆

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CXSD6278ECy嘉泰姆

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VMECy嘉泰姆

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CXSD6283ECy嘉泰姆

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CXSD6287ECy嘉泰姆

SOP-8-P|DIP-8ECy嘉泰姆

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-ECy嘉泰姆

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1ECy嘉泰姆

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CXSD62101|LECy嘉泰姆

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1ECy嘉泰姆

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5~12ECy嘉泰姆

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CXSD62103ECy嘉泰姆

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CXSD62104ECy嘉泰姆

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1ECy嘉泰姆

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QFN3.5x3.5-14ECy嘉泰姆

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COTECy嘉泰姆

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TQFN3x3-16ECy嘉泰姆

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1.8|1.5|0.5ECy嘉泰姆

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CXSD62111ECy嘉泰姆

TQFN4x4-24ECy嘉泰姆

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3000ECy嘉泰姆

CXSD62112ECy嘉泰姆

TDFN3x3-10ECy嘉泰姆

COTECy嘉泰姆

1ECy嘉泰姆

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CXSD62113|CECy嘉泰姆

TQFN3x3-20ECy嘉泰姆

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CXSD62113EECy嘉泰姆

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CXSD62114ECy嘉泰姆

TQFN3x3-20ECy嘉泰姆

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CXSD62115ECy嘉泰姆

QFN4x4-24ECy嘉泰姆

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CXSD62116A|B|CECy嘉泰姆

SOP-8PECy嘉泰姆

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CXSD62117ECy嘉泰姆

SOP-20ECy嘉泰姆

VMECy嘉泰姆

2ECy嘉泰姆

2ECy嘉泰姆

30ECy嘉泰姆

10ECy嘉泰姆

13.2ECy嘉泰姆

1ECy嘉泰姆

12ECy嘉泰姆

5000ECy嘉泰姆

CXSD62118ECy嘉泰姆

TDFN3x3-10ECy嘉泰姆

COTECy嘉泰姆

1ECy嘉泰姆

1ECy嘉泰姆

25ECy嘉泰姆

1.8ECy嘉泰姆

28ECy嘉泰姆

0.7ECy嘉泰姆

5ECy嘉泰姆

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TQFN3x3-20ECy嘉泰姆

COTECy嘉泰姆

2ECy嘉泰姆

1ECy嘉泰姆

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1.8ECy嘉泰姆

25ECy嘉泰姆

REFIN SettingECy嘉泰姆

5ECy嘉泰姆

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QFN 3x3 20ECy嘉泰姆

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COTECy嘉泰姆

1ECy嘉泰姆

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1.8|1.5 1.35|1.2 0.5ECy嘉泰姆

5ECy嘉泰姆

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15ECy嘉泰姆

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 ECy嘉泰姆

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