CXLE8416 CXLE8417是一款单级、带有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流
控制芯片， 适用于85Vac～265Vac全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。CXLE8416
CXLE8417集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。
由于工作在电感电流临界连续模式， 功率MOS 管处于零电流开通状态，开关损耗得以减
小，同时变压器的利用率也较高。
CXLE8416 CXLE8417工作于原边反馈模式，无需次级反馈电路，即可实现高精度输
出恒流控制，节约了系统成本和体积，提高了系统的可靠性。 CXLE8416 CXLE8417内
部集成700V功率MOSFET，只需要很少的外围器件，节约了系统成本和体积，提高了系
统的可靠性。
CXLE8416 CXLE8417线电压调整率和负载调整率参数优异，同时线电压补偿系数还
可以通过外部元件灵活调整。
CXLE8416 CXLE8417内置多重保护功能来加强系统可靠性，包括LED开路保护、LED
短路保护、芯片供电过压保护、欠压保护、电流采样电阻开路保护和逐周期限流等。所有
的保护都具有自动重启功能。另外，CXLE8416 CXLE8417具有过热调节功能，在驱动电
源过热时减小输出电流，以提高系统的可靠性。CXLE8416 CXLE8417采用SOP-8/DIP-7
封装。
单级、有源功率因数校正，高PF 值，低THD
内置700V 高压功率MOSFET
原边反馈恒流控制，无需次级反馈电路
±3% LED 输出电流精度
优异的线电压调整率和负载调整率
电感电流临界连续模式
超低启动电流
FB 反馈电阻值高，功耗低
LED 开路/短路保护
电流采样电阻开路保护
逐周期原边电流限流
芯片供电过压/欠压保护
自动重启功能
过热调节功能
-
[ CXLE8416 ]
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（产品PDF文档）
5.产品封装图 6.电路原理图 7.功能概述 8.相关产品
一,产品概述(General Description)
CXLE8416 CXLE8417是一款单级、带有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流控制芯片， 适用于85Vac～265Vac全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。CXLE8416 CXLE8417集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临界连续模式， 功率MOS 管处于零电流开通状态，开关损耗得以减小，同时变压器的利用率也较高。
CXLE8416 CXLE8417工作于原边反馈模式，无需次级反馈电路，即可实现高精度输出恒流控制，节约了系统成本和体积，提高了系统的可靠性。 CXLE8416 CXLE8417内部集成700V功率MOSFET，只需要很少的外围器件，节约了系统成本和体积，提高了系统的可靠性。
CXLE8416 CXLE8417线电压调整率和负载调整率参数优异，同时线电压补偿系数还可以通过外部元件灵活调整。 CXLE8416 CXLE8417内置多重保护功能来加强系统可靠性，包括LED开路保护、LED短路保护、芯片供电过压保护、欠压保护、电流采样电阻开路保护和逐周期限流等。所有的保护都具有自动重启功能。另外，CXLE8416 CXLE8417具有过热调节功能，在驱动电源过热时减小输出电流，以提高系统的可靠性。CXLE8416 CXLE8417采用SOP-8/DIP-7
封装。
二.产品特点(Features)
单级、有源功率因数校正，高PF 值，低THD
内置700V 高压功率MOSFET
原边反馈恒流控制，无需次级反馈电路
±3% LED 输出电流精度
优异的线电压调整率和负载调整率
电感电流临界连续模式
超低启动电流
FB 反馈电阻值高，功耗低
LED 开路/短路保护
电流采样电阻开路保护
逐周期原边电流限流
芯片供电过压/欠压保护
自动重启功能
过热调节功能
三,应用范围 (Applications)
LED
四.技术规格书下载（产品PDF）
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五,产品封装图 (Package)
|
引脚号 |
符号 |
功能 |
|
1 |
COMP |
环路补偿点 |
|
2 |
VDD |
芯片电源 |
|
3 |
FB |
反馈信号采样端 |
|
4 |
ISEN |
电流采样端，接采样电阻到地 |
|
5、6 |
DRAIN |
内部 MOSFET 的漏端 |
|
7、8 |
GND |
芯片地 |
六.电路原理图
七,功能概述
|
项目 |
符号 |
参数范围 |
单位 |
|
电源电压 |
VDD |
-0.3～25 |
V |
|
VDD 引脚最大钳位电流 |
ICC_MAX |
5 |
mA |
|
环路补偿点电压 |
VCOMP |
-0.3～6 |
V |
|
辅助绕组的反馈端电压 |
VFB |
-0.3～6 |
V |
|
电流采样端电压 |
VISEN |
-0.3～6 |
V |
|
内部功率 MOSFET 漏极到源极的峰值电压 |
VMOS-DS |
-0.3～700 |
V |
|
o |
Ptot |
0.45@ SOP-8 |
W |
|
0.90@ DIP-7 |
|||
|
热阻结-环境 |
|||
|
Rthj-a |
145@ SOP-8 |
℃/W |
|
|
80@ DIP-7 |
|||
|
工作结温范围 |
|||
|
TJ |
-40～150 |
℃ |
|
|
存储温度范围 |
TSTG |
-55～150 |
℃ |
|
ESD |
2,000 |
V |
八,相关芯片选择指南
|
隔离产品 |
|||||
|
产品型号 |
隔离/非隔离 |
内置功率管 |
封装形式 |
功率范围 |
|
|
Y |
MOSFET,650V/0.8A |
SOP-8 |
5-7W |
(SOP-8)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,650V/1.2A |
SOP-8 |
7-9W |
(SOP-8)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,650/2.0A |
DIP-7 |
12-18W |
(DIP-7)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,700V/3.0A |
SOP-8,DIP-7 |
12-18W |
(SOP-8&DIP-7)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,700V/4.0A |
DIP-7 |
18-24W |
(DIP-7)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,BJT |
SOP-8 |
UP to 60W |
(SOP-8)_CN |
|
