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评论：内建死区控制电路大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片 CXLE82107高端的工作电压可达100V，Vcc 的电源电压范围宽11V～30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构 |
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