内建死区控制电路大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片 CXLE82107高端的工作电压可达100V,Vcc 的电源电压范围宽11V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构

发布时间:2020-04-06 09:43:38 浏览次数:714 作者:嘉泰姆
摘要:内建死区控制电路大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片 CXLE82107高端的工作电压可达100V,Vcc 的电源电压范围宽11V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构

目录

1.产品概述       2.产品特点     4HW嘉泰姆

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)</span>4HW嘉泰姆

5.产品封装       6.电路原理图</strong>  4HW嘉泰姆

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         CXLE82107高端的工作电压可达100V,Vcc 的电源电压范围宽11V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。</span>CXLE82107是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。</span>

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   高端悬浮自举电源设计,耐压可达100V4HW嘉泰姆

内建死区控制电路4HW嘉泰姆

电源电压欠压关断输出4HW嘉泰姆

自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通</p>

采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力</p>

专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动</p>

HIN 输入通道控制高端HO 输出4HW嘉泰姆

LIN 输入通道控制低端LO 输出4HW嘉泰姆

外围器件少</p>

静态电流小:4.5mA4HW嘉泰姆

封装形式:SOP84HW嘉泰姆

   应用范围 返回TOP4HW嘉泰姆


4HW嘉泰姆

电动摩托车控制器4HW嘉泰姆

电动自行车控制器4HW嘉泰姆

100V 降压型开关电源</p>

变频水泵控制器</p>

无刷电机驱动器</p>

高压Class-D 类功放</p>

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