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CXMS5221双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合于低压应用和低功耗20V/5A超低导通电阻高密度电池设计
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CXMS5221系列双N沟道增强型场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造,主要用于减小导通电阻。这种装置特别适合于低压应用和低功耗
20V/5A,RDS(开)=29mΩ@VGS=3.85V,ID=5A
超低导通电阻高密度电池设计

CXMS5221双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合于低压应用和低功耗20V/5A超低导通电阻高密度电池设计
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产品概述                                             返回TOP


 CXMS5221SG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation

产品特点           返回TOP


l 20V/5A, RDS(ON) =29mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A 

l High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance iyt嘉泰姆

l surface mount package:SOP8iyt嘉泰姆

应用范围                                             返回TOP


l Battery management 

l power management iyt嘉泰姆

l Portable equipment iyt嘉泰姆

l Low power DC to DC converter. iyt嘉泰姆

l Load switch iyt嘉泰姆

l LCD adapteriyt嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgiyt嘉泰姆

产品封装图                                               返回TOP


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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)iyt嘉泰姆

Partiyt嘉泰姆
Numberiyt嘉泰姆

Modeiyt嘉泰姆

VDS(Max)iyt嘉泰姆

VGSiyt嘉泰姆

ID(Max)iyt嘉泰姆

RDS(on)iyt嘉泰姆

Applicationiyt嘉泰姆

Packageiyt嘉泰姆

CXMS5213iyt嘉泰姆

N channeliyt嘉泰姆

20Viyt嘉泰姆

12Viyt嘉泰姆

5.2Aiyt嘉泰姆

37mΩiyt嘉泰姆

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SOT23iyt嘉泰姆

CXMS5220iyt嘉泰姆

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CXMS5220-Niyt嘉泰姆

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20Viyt嘉泰姆

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CXMS5221iyt嘉泰姆

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20Viyt嘉泰姆

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CXMS5222iyt嘉泰姆

N channeliyt嘉泰姆

30Viyt嘉泰姆

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20Viyt嘉泰姆

12Viyt嘉泰姆

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19mΩiyt嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧iyt嘉泰姆

TSSOP8/SOT26iyt嘉泰姆

Applications: ①Mobile   phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD   Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protectioniyt嘉泰姆

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