• [ CXMS5223 ]

样品申请

目录

1.产品概述    2.产品特点     hKI嘉泰姆

3.应用范围    4.技术规格书下载（PDF文档）hKI嘉泰姆

5.产品封装    6.电路原理图  hKI嘉泰姆

     7.相关产品hKI嘉泰姆

产品概述                                             返回TOP

        CXMS5223 Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation

产品特点  返回TOP

    20V/6A 

       RDS(ON) =20mΩ@ VGS=4.5V,ID=4.5AhKI嘉泰姆

       RDS(ON) =21mΩ@ VGS=3.85V,ID=3.5AhKI嘉泰姆

       RDS(ON) =26mΩ@ VGS=2.5V,ID=3AhKI嘉泰姆

  High Density Cell Design For Ultra Low On-ResistancehKI嘉泰姆

  Surface mount package:SOT23-6LhKI嘉泰姆

应用范围                                             返回TOP

  Battery management

  Power managementhKI嘉泰姆

  Portable equipmenthKI嘉泰姆

  Low power DC to DC converter.hKI嘉泰姆

  Load switchhKI嘉泰姆

  LCD adapterhKI嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！hKI嘉泰姆

 hKI嘉泰姆

产品封装图                                               返回TOP

电路原理图                                               返回TOP

相关芯片选择指南  返回TOP                          更多同类产品........

◀ 上一篇:CXMS5221双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合于低压应用和低功耗20V/5A超低导通电阻高密度电池设计

返回顶部

下一篇▶:CXMS5224双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低电压应用和低功耗。

共有条评论 用户名: 密码: 验证码: 匿名发表