CXBD3570是一款专为驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）而设计的单通道高速低侧栅极驱动器。该器件能够为电容负载提供高强度的峰值拉/灌电流脉冲，并具备轨到轨驱动能力，确保快速且稳定的开关操作。CXBD3570的宽电源电压范围（4V～20V）和低静态功耗使其在各种电源管理应用中表现出色。其双输入设计（可选择反相IN-或正相IN+驱动器配置）提供了灵活的应用选择。在VDD =12V时，CXBD3570能够提供峰值4A的对称驱动电流，确保高效驱动。器件采用SOT23-5封装，适合空间受限的应用场景。

CXBD3571是一款高性能单通道低侧栅极驱动器，专为驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）而设计。该器件在4V至20V的宽电压范围内工作，提供高达4A的峰值拉/灌电流，确保高效的电源开关控制。CXBD3571采用SOT23-5封装，具有外围器件少、传播延迟短的特点，是NPN和PNP离散解决方案的理想替代品。