栅源电压

<strong><font color='FF4108'>CXMS5102高性价比的大功率MOS管IGBT管栅极驱动专用芯片内部集成了逻辑信号输入处理电路死区时控制电路闭锁电路电平位移电路脉冲滤波电路及输出驱动电路专用于无刷电机控制器中的驱动电路</font></strong>

CXMS5102高性价比的大功率MOS管IGBT管栅极驱动专用芯片内部集成了逻辑信号输入处理电路死区时控制电路闭锁电路电平位移电路脉冲滤波电路及输出驱动电路专用于无刷电机控制器中的驱动电路

2020-04-03 14:42:05

<strong><font color='FF4108'>CX30G120SW</font></strong>

CX30G120SW

2020-04-03 14:28:47

<strong><font color='FF4108'>N通道绝缘栅双极晶体管CX28G40GEJ CX28G40GEM CX30G40AEO高输入阻抗VCE高频峰值电流能力低速门驱动频闪灯应用</font></strong>

N通道绝缘栅双极晶体管CX28G40GEJ CX28G40GEM CX30G40AEO高输入阻抗VCE高频峰值电流能力低速门驱动频闪灯应用

2020-04-03 14:12:16

<strong><font color='FF4108'>CX20GT60SW</font></strong>

CX20GT60SW

2020-04-03 14:11:35

<strong><font color='FF4108'>高速开关集成电路N通道绝缘栅双极晶体管CX20GT60P CX20GT60SW CX20GT60W</font></strong>

高速开关集成电路N通道绝缘栅双极晶体管CX20GT60P CX20GT60SW CX20GT60W

2020-04-03 14:08:28

<strong><font color='FF4108'>CXMS5102B高速功率MOSFET和IGBT驱动器栅极驱动电源范围为10V至20V低压侧通道的紫外低辐射高脉冲电流缓冲级工作电压高达600v两个信道的匹配传播延迟</font></strong>

CXMS5102B高速功率MOSFET和IGBT驱动器栅极驱动电源范围为10V至20V低压侧通道的紫外低辐射高脉冲电流缓冲级工作电压高达600v两个信道的匹配传播延迟

2020-04-03 14:46:43

<strong><font color='FF4108'>CX28G40GEM</font></strong>

CX28G40GEM

2020-04-03 14:24:50

<strong><font color='FF4108'>CXMS5103基于P_SUB P_EPI工艺的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT其工作电压高达600V</font></strong>

CXMS5103基于P_SUB P_EPI工艺的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT其工作电压高达600V

2020-04-03 14:58:15

<strong><font color='FF4108'>CX20GT60W</font></strong>

CX20GT60W

2020-04-03 14:11:43

<strong><font color='FF4108'>带FRD的IGBT CX30G120ASW CX30G120SW高速开关低饱和电压CO-PAK带FRD的N沟道绝缘栅双极晶体管</font></strong>

带FRD的IGBT CX30G120ASW CX30G120SW高速开关低饱和电压CO-PAK带FRD的N沟道绝缘栅双极晶体管

2020-04-03 14:25:33

<strong><font color='FF4108'>CXMS5104单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动芯片内部集成输入逻辑信号处理电路SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器</font></strong>

CXMS5104单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动芯片内部集成输入逻辑信号处理电路SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器

2020-04-03 15:01:28

<strong><font color='FF4108'>CXMS5101高性价比的大功率MOS管IGBT管栅极驱动专用芯片集成逻辑信号输入处理死区时控制欠压关断闭锁电平位移脉冲滤波电路及输出驱动电路专用于无刷电机控制器中的驱动电路</font></strong>

CXMS5101高性价比的大功率MOS管IGBT管栅极驱动专用芯片集成逻辑信号输入处理死区时控制欠压关断闭锁电平位移脉冲滤波电路及输出驱动电路专用于无刷电机控制器中的驱动电路

2020-04-03 14:37:01

<strong><font color='FF4108'>CXMS5101B基于P_SUB P_EPI工艺的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器浮动通道驱动器用于独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT工作电压120V逻辑输入与标准CMOS输出驱动器有高脉冲电流缓冲级</font></strong>

CXMS5101B基于P_SUB P_EPI工艺的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器浮动通道驱动器用于独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT工作电压120V逻辑输入与标准CMOS输出驱动器有高脉冲电流缓冲级

2020-04-03 14:30:08

<strong><font color='FF4108'>CX30G40AEO</font></strong>

CX30G40AEO

2020-04-03 14:24:57

<strong><font color='FF4108'>N沟道增强型功率MOSFET CXMS5245K获得大功率高电流处理</font></strong>

N沟道增强型功率MOSFET CXMS5245K获得大功率高电流处理

2020-04-03 12:52:07

<strong><font color='FF4108'>CXMS5238NE CXMS5240NE总线采用先进的沟道技术在低至2.5V的栅极电压下提供RDS（ON）低栅极充电和操作适合用作负载开关或在PWM应用中使用</font></strong>

CXMS5238NE CXMS5240NE总线采用先进的沟道技术在低至2.5V的栅极电压下提供RDS（ON）低栅极充电和操作适合用作负载开关或在PWM应用中使用

2020-04-03 12:48:34

<strong><font color='FF4108'>CX13003T</font></strong>

CX13003T

2020-04-03 13:36:43

<strong><font color='FF4108'>CXMS5237E CXMS5239E采用先进的沟道技术在栅极电压低至2.5V的情况下提供RDS（ON）低栅极充电和操作适合用作负载开关或在脉宽调制应用中使用高功率和电流处理能力</font></strong>

CXMS5237E CXMS5239E采用先进的沟道技术在栅极电压低至2.5V的情况下提供RDS（ON）低栅极充电和操作适合用作负载开关或在脉宽调制应用中使用高功率和电流处理能力

2020-04-03 12:44:28

<strong><font color='FF4108'>N通道增强模式功率MOSFET CXMS5246 CXMS5246K高功率和电流处理能力逻辑级接口TTL/CMOS驱动继电器电磁阀</font></strong>

N通道增强模式功率MOSFET CXMS5246 CXMS5246K高功率和电流处理能力逻辑级接口TTL/CMOS驱动继电器电磁阀

2020-04-03 12:56:01

<strong><font color='FF4108'>CXMS5239E</font></strong>

CXMS5239E

2020-04-03 12:47:44

<strong><font color='FF4108'>CXMS5240NE</font></strong>

CXMS5240NE

2020-04-03 12:51:35

<strong><font color='FF4108'>CXMS5192 P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路</font></strong>

CXMS5192 P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路

2020-04-03 13:31:06

<strong><font color='FF4108'>CXMS5236采用先进的沟槽技术和设计以低栅极电荷提供优秀的无线电数据系统（ON）超低Rdson的高密度单元设计</font></strong>

CXMS5236采用先进的沟槽技术和设计以低栅极电荷提供优秀的无线电数据系统（ON）超低Rdson的高密度单元设计

2020-04-03 12:41:00

<strong><font color='FF4108'>CX13003TZ</font></strong>

CX13003TZ

2020-04-03 13:36:51

<strong><font color='FF4108'>CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻用于低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路</font></strong>

CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻用于低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路

2020-04-03 13:30:58

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