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500mA 30V 肖特基二极管CXLN65128P11R CXLN65128V13R CXLN65128V15R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器。Schottky Barrier Diode, 500mA, 30V Type
500mA 30V 肖特基二极管CXLN65128P11R CXLN65128V13R CXLN65128V15R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器。Schottky Barrier Diode, 500mA, 30V Type
2020
2020-04-06 09:43:38
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1A 40V 肖特基二极管CXLN65129P11R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器
1A 40V 肖特基二极管CXLN65129P11R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器
2020
2020-04-06 09:43:38
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2A 30V 肖特基二极管CXLN65130V19R集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器,Schottky Barrier Diode, 2A, 30V Type
2A 30V 肖特基二极管CXLN65130V19R集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器,Schottky Barrier Diode, 2A, 30V Type
2020
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2A 40V 肖特基二极管CXLN65131S19R CXLN65131V19R集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等,Schottky Barrier Diode, 2A, 40V Type
2A 40V 肖特基二极管CXLN65131S19R CXLN65131V19R集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等,Schottky Barrier Diode, 2A, 40V Type
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2A 60V 肖特基二极管CXLN65132S19R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等Schottky Barrier Diode, 2A, 60V Type
2A 60V 肖特基二极管CXLN65132S19R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等Schottky Barrier Diode, 2A, 60V Type
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2020-04-06 09:43:38
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3A 30V 肖特基二极管CXLN65133V19R CXLN65133V29R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器。Schottky Barrier Diode, 3A, 30V Type
3A 30V 肖特基二极管CXLN65133V19R CXLN65133V29R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器。Schottky Barrier Diode, 3A, 30V Type
2020
2020-04-06 09:43:38
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3A 60V 肖特基二极管CXLN65135P11R CXLN65135S19R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器Schottky Barrier Diode, 3A, 60V Type
3A 60V 肖特基二极管CXLN65135P11R CXLN65135S19R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器Schottky Barrier Diode, 3A, 60V Type
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Schottky Barrier Diode 5A 40V 肖特基二极管CXLN65136V1AR是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等
Schottky Barrier Diode 5A 40V 肖特基二极管CXLN65136V1AR是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等
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5A 60V 肖特基二极管CXLN65137S1AR是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等Schottky Barrier Diode
5A 60V 肖特基二极管CXLN65137S1AR是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等Schottky Barrier Diode
2020
2020-04-06 09:43:38
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瞬态电压抑制器（TVS瞬态抑制二极管）
瞬态电压抑制器（TVS瞬态抑制二极管）
2020
2020-04-06 09:43:38
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低容量TVS二极管矩阵CXLN14E5UFN安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC,Low Capacitance TVS Diode Array
低容量TVS二极管矩阵CXLN14E5UFN安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC,Low Capacitance TVS Diode Array
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2020-04-06 09:43:38
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CXLN06V1E4MR CXLN06V4E2HR CXLN06V4E4GR适用于4沟道的TVS二极管矩阵。采用了小型表面安装式封装,最适用于高密度电子仪器Four elements in SOT-25 package (Anode Common) High ESD
CXLN06V1E4MR CXLN06V4E2HR CXLN06V4E4GR适用于4沟道的TVS二极管矩阵。采用了小型表面安装式封装,最适用于高密度电子仪器Four elements in SOT-25 package (Anode Common) High ESD
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Low Capacitance TVS Diode Array 低容量TVS二极管矩阵CXLN65140安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC
Low Capacitance TVS Diode Array 低容量TVS二极管矩阵CXLN65140安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC
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Low Capacitance TVS Diode Array CXLN65141低容量TVS二极管矩阵,安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC。
Low Capacitance TVS Diode Array CXLN65141低容量TVS二极管矩阵,安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC。
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2020-04-06 09:43:38
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低容量TVS二极管矩阵Low Capacitance TVS Diode Array CXLN65142安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC。
低容量TVS二极管矩阵Low Capacitance TVS Diode Array CXLN65142安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC。
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2020-04-06 09:43:38
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安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC 低容量TVS二极管矩阵CXLN65144 CXLN65145 TVS Diode
安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC 低容量TVS二极管矩阵CXLN65144 CXLN65145 TVS Diode
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低容量TVS二极管矩阵CXLN65146低容量TVS二极管矩阵 安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC
低容量TVS二极管矩阵CXLN65146低容量TVS二极管矩阵 安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC
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2020-04-06 09:43:38
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低容量TVS二极管矩阵CXLN65147安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC
低容量TVS二极管矩阵CXLN65147安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC
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Low Capacitance TVS Diode Array CXLN15SRV05W安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC,低容量TVS二极管矩阵
Low Capacitance TVS Diode Array CXLN15SRV05W安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC,低容量TVS二极管矩阵
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CXLN4SMAJ010C 400W Transient Voltage Suppressor (TVS)400W 瞬态电压抑制器 (TVS)
CXLN4SMAJ010C 400W Transient Voltage Suppressor (TVS)400W 瞬态电压抑制器 (TVS)
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