CXLE8469DB 原边反馈隔离恒流LED驱动芯片 | 650V耐压 原边恒流 支持APFC无频闪 | 嘉泰姆电子

CXLE8469DB 原边反馈隔离恒流LED驱动芯片 | 650V耐压 原边恒流 支持APFC无频闪 | 嘉泰姆电子

产品型号:CXLE8469DB
产品类型:照明驱动
产品系列: 隔离不带PFC
产品状态:量产
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产品简介

CXLE8469DB 是一款高精度原边反馈隔离恒流LED驱动芯片,内置650V高压MOS管,集成高压JFET启动供电。工作于原边反馈模式,无需次级反馈电路,即可实现高精度恒流输出,特别适合搭配前级Boost APFC升压电路,构建两级隔离无频闪LED驱动方案。采用SOP-8封装,适用于LED面板灯、筒灯等中高功率隔离驱动电源

技术参数

输入电压范围 (VIN)85~265V
输出电压 (VOUT)ADJ
输出电流 (IOUT)25W
工作频率300K
转换效率93%
封装类型SOP8
Dimming methodPWM
功率管650V耐压MOS内阻3Ω
功耗10μA
Thd±3%
Power25W
Pf value.9
Topology隔离不带PFC
Application照明驱动
Topology typePSR
Ripple<5%
Operating temp-40℃~85℃
ProtectionOVP/OCP/短路保护
CertificationUL/CE
FeaturesAC/DC隔离低PF(驱动MOS)
MOS内阻
输出功率 @Vin:85V-265V(W)-

产品详细介绍

CXLE8469DB 原边反馈隔离恒流LED驱动芯片:650V MOS、原边恒流、支持APFC两级隔离无频闪

嘉泰姆电子 CXLE8469DB 是一款高精度原边反馈隔离恒流LED驱动芯片,内置650V高压MOS管,集成高压JFET启动供电。工作于原边反馈模式,无需次级反馈电路,即可实现高精度恒流输出,特别适合搭配前级Boost APFC升压电路,构建两级隔离无频闪LED驱动方案。采用SOP-8封装,适用于LED面板灯、筒灯等中高功率隔离驱动电源。

产品概述:高精度原边反馈隔离恒流驱动

CXLE8469DB 是嘉泰姆电子(JTM)推出的一款高性能原边反馈隔离恒流LED驱动芯片,内部集成650V高压功率MOS管、高压JFET启动电路。芯片采用先进的原边反馈控制技术,通过检测辅助绕组电压和原边电流实现高精度恒流,无需光耦和次级反馈电路,显著简化隔离LED驱动设计,提高系统可靠性。特别适合搭配前级Boost APFC升压电路,构建两级无频闪隔离LED驱动方案,满足高PF(>0.9)和无频闪(SVM<0.4)的严苛要求。

CXLE8469DB内置软启动、逐周期限流、输出过压保护、短路保护、过温降电流等多种保护功能,确保系统安全可靠。芯片采用SOP-8封装,具有小体积和良好的散热性能,适用于LED面板灯、筒灯、日光灯管等中高功率隔离驱动应用。

核心特点与技术优势

  • 原边反馈恒流控制:无需光耦和次级反馈电路,实现高精度输出恒流控制。
  • 内置650V高压MOS管:集成650V功率管,RDS_ON典型值3.3Ω,满足中高功率隔离应用。
  • 高压JFET启动:集成JFET高压启动电路,启动速度快,待机功耗低。
  • 支持Boost APFC两级应用:可与前级APFC升压电路配合,实现高PF无频闪隔离驱动。
  • 可编程输出过压保护(OVP):通过外部电阻设置输出开路保护电压,灵活适配不同输出电压。
  • 过温降电流保护:芯片过热时自动降低输出电流(过温点137°C),提高系统可靠性。
  • 完整的保护功能:包括逐周期限流、CS短路保护、输出短路保护、空载保护等。
  • 内置线性调整率补偿:补偿信号传播延时,改善线性调整率。
  • 软启动功能:100ms软启动时间,减小开机应力。
  • SOP-8封装:贴片封装,适合自动化生产,节省PCB空间。

典型应用电路

CXLE8469DB 典型应用电路原理图
图1:CXLE8469DB 典型应用电路原理图
(反激拓扑,原边反馈,集成Boost APFC前级时构成两级无频闪方案,详细参数参考数据手册)

引脚封装与管脚功能

CXLE8469DB SOP-8 封装外形及管脚分布图
图2:CXLE8469DB SOP-8 封装外形及管脚分布图
(具体机械尺寸参见数据手册封装章节)

管脚功能描述 (SOP-8)

管脚号 名称 功能描述
1 ROVP 输出过压保护设置引脚,外接电阻到地,设置输出空载保护电压
2 VCC 芯片供电引脚,外接旁路电容到GND
3,6 NC 无连接,悬空
4 HV 高压启动和供电引脚,同时用于输入电压检测和退磁采样,接母线电压
5 DRAIN 内置MOS管漏极,接变压器原边绕组
7 CS 电流采样端,采样电阻接在CS与GND之间,用于原边峰值电流检测
8 GND 芯片地,信号地与功率地单点连接

极限参数与电气特性 (TA=25°C)

绝对最大额定值

符号 参数 范围 单位
DRAIN 内置MOS漏极电压 -0.3 ~ 650 V
HV 高压启动和输入检测引脚 -0.3 ~ 700 V
CS, ROVP 低压引脚电压 -0.3 ~ 6 V
VCC 芯片供电电压 -0.3 ~ 30 V
PDMAX 最大功耗 (SOP-8) 0.45 W
θJA 结到环境的热阻 145 °C/W
TJ 工作结温范围 -40 ~ 150 °C
TSTG 储存温度范围 -55 ~ 150 °C

电气参数 (典型值,无特别说明TA=25°C)

符号 参数描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VCC_CLAMP VCC钳位电压 IVCC=1mA 23 24.5 25.7 V
VCC_ON VCC启动电压 VCC上升 13.5 15 16.5 V
VCC_UVLO VCC欠压保护阈值 VCC下降 8.1 9 9.9 V
VREF 内部恒流基准电压 - 196 202 208 mV
RDS_ON MOSFET导通阻抗 VGS=10V, ID=1.5A - 3.3 4.2 Ω
BVDSS MOSFET漏源击穿电压 - - 650 - V
FMAX 最大工作频率 - 120 150 178 kHz
TREG 过温调节温度 内部结温检测 - 137 - °C

注:典型值在25°C下测试,参数由设计保证。CXLE8469DB 内置650V MOS,过温点137°C,更早介入保护。

原边反馈恒流工作原理与输出电流设定

CXLE8469DB采用原边反馈控制架构,通过检测辅助绕组的电压和原边峰值电流来实现输出恒流控制,无需光耦和次级反馈电路。

启动过程:系统上电后,母线电压通过HV引脚内部JFET对VCC电容充电。VCC电压低于2.5V时以大电流充电;2.5V到4.8V之间以较小电流充电;4.8V到启动阈值之间再次以大电流充电,确保快速启动。当VCC达到VCC_ON(典型15V)时,芯片开始工作。每次VCC从UVLO以下恢复时,都会经历100ms软启动过程,CS峰值电压分段线性增加,减小开机应力。

恒流控制:芯片工作于断续模式(DCM)或临界模式,通过原边采样电阻检测峰值电流。内部基准VREF=202mV。输出LED电流计算公式:

Iout ≈ (VREF / (2 × RCS)) × (NP / NS)

其中RCS为原边采样电阻,NP/NS为变压器初次级匝比。例如,若VREF=0.202V,RCS=0.5Ω,匝比NP/NS=5,则输出电流Iout≈0.202/(2×0.5)×5=1.01A。

两级APFC无频闪应用:CXLE8469DB特别适合作为后级恒流电路,前级搭配Boost APFC升压电路(如BP系列PFC芯片),可实现PF>0.95、THD<10%、无频闪(SVM<0.4)的隔离LED驱动方案,满足高端商业照明和欧洲ERP标准要求。

关键技术深度解析

1. 输出过压保护(OVP)设置

ROVP引脚用于设置输出空载保护电压。通过外接电阻ROVP到GND,可以编程输出过压保护阈值。计算公式:

ROVP ≈ (36.75kΩ) / ( (5V / (VOVP × NPS)) + 0.9 ) - 1 (kΩ)

其中NPS=NP/NS,VOVP为设定的输出开路保护电压。ROVP引脚对地建议并联1nF-10nF电容,防止噪声误触发。

2. 线性调整率补偿

由于信号传播延时和MOSFET关断延时,输出电流会随输入电压变化。CXLE8469DB内置线性调整率补偿功能,通过HV引脚检测输入母线电压,转换成补偿电压叠加到采样到的VCS电压上,使输出电流在宽输入电压范围内保持恒定。

3. 过温降电流与温度补偿

当芯片结温达到137°C时,过温调节电路开始线性降低输出电流,抑制温升。在过温降电流过程中,关断时间(Toff)逐渐加长,系统进入DCM模式。同时,芯片内置温度补偿电路,补偿CS采样电阻温漂、变压器感量变化和输出二极管漏电流增加导致的输出电流下降,确保全温度范围恒流精度。137°C的过温点比常见的150°C更低,能更早介入保护,尤其适合密闭环境下的LED驱动。

4. 保护功能详解

  • 逐周期限流:每个周期检测CS电压,超过VCS_TH1(0.35V)时关断功率管。
  • CS短路保护:CS引脚对地短路时,芯片在20-45μs内检测并触发保护。
  • 输出短路保护:连续35ms检测不到退磁信号,进入短路保护,等待350ms后重启。
  • 电感/输出二极管短路保护:CS电压超过VCS_TH2(1.2V)时触发保护。
  • VCC过压保护:VCC电压超过26.9V(典型)时触发钳位或保护。

5. 设计实例与变压器设计要点

以30W 1A输出隔离LED驱动为例:输入电压200-240V(经APFC后母线电压400V),输出30V/1A。选择匝比NP/NS=400V/(30V+1V)=12.9,取13。则RCS=VREF/(2×Iout)×NP/NS=0.202/(2×1)×13≈1.31Ω。辅助绕组电压经电阻分压给ROVP设定OVP点。变压器设计需保证最大工作频率<150kHz,确保DCM模式。PCB布局时需注意:VCC旁路电容紧靠芯片,CS采样电阻功率地线短而粗,ROVP电阻紧靠芯片并加滤波电容,减小大电流环路面积以降低EMI。

PCB Layout指南

  • VCC的旁路电容必须紧靠芯片VCC和GND引脚。
  • 电流采样电阻的功率地线尽可能粗,且要离芯片的地尽量近,信号地需要单独连接到芯片的地引脚。
  • 减小大电流环路的面积:变压器初级、功率管及吸收网络的环路面积,以及变压器次级、次级二极管、输出电容的环路面积,以减小EMI辐射。
  • 接到ROVP的电阻必须靠近ROVP引脚,节点要远离变压器的动点,并且ROVP脚需要并1nF-10nF电容到地,防止噪声误触发OVP保护。
  • HV引脚走线注意高压安全间距,与低压区域保持至少1.5mm距离。
  • SOP-8封装散热能力有限,建议在芯片下方铺设铜皮辅助散热,对于功率超过15W的应用,考虑增加散热面积或使用散热片。

订购信息与封装

产品型号 封装 包装方式 打印标识
CXLE8469DB SOP-8 卷盘 4000PCS/盘 CXLE8469D + 批次码

芯片符合RoHS、REACH及无卤素标准,工作结温范围-40℃~150℃,存储温度-55℃~150℃。建议回流焊温度遵循IPC/JEDEC J-STD-020标准。

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