
CXLE8470EB 低PF隔离反激原边恒流LED驱动芯片 | 650V MOS 两绕组 支持APFC无频闪 | 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXLE8470EB |
| 产品类型: | 照明驱动 |
| 产品系列: | 隔离不带PFC |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 47 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 85~265V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | ADJ |
| 输出电流 (IOUT) | 50W |
| 工作频率 | 300K |
| 转换效率 | 93% |
| 封装类型 | DIP7 |
| Dimming method | PWM |
| 功率管 | 650V耐压MOS内阻1.8Ω |
| 功耗 | 10μA |
| Thd | ±3% |
| Power | 50W |
| Pf value | .9 |
| Topology | 隔离不带PFC |
| Application | 照明驱动 |
| Topology type | PSR |
| Ripple | <5% |
| Operating temp | -40℃~85℃ |
| Protection | OVP/OCP/短路保护 |
| Certification | UL/CE |
| Features | AC/DC隔离低PF(驱动MOS) |
| MOS内阻 | 1.8Ω |
| 输出功率 @Vin:85V-265V(W) | - |
产品详细介绍
CXLE8470EB 低PF隔离反激原边恒流LED驱动芯片:650V MOS、两绕组原边反馈、支持APFC两级隔离无频闪
嘉泰姆电子 CXLE8470EB 是一款高精度低PF隔离反激原边恒流LED驱动芯片,内置650V高压MOS管,采用两绕组原边反馈架构,无需副边反馈回路和环路补偿电容。适合搭配前级APFC升压电路,实现两级隔离无频闪应用。芯片工作在临界连续模式和准谐振模式,降低开关损耗及EMI,提供输出开路保护、短路保护、逐周期限流、过温降电流等完善保护,采用DIP-7封装,适用于LED面板灯、筒灯等隔离驱动电源。
产品概述:低PF隔离反激原边恒流驱动新选择
CXLE8470EB 是嘉泰姆电子(JTM)推出的一款高精度低PF隔离反激原边恒流LED驱动芯片,内部集成650V高压功率MOS管、高压JFET启动电路。芯片采用先进的原边恒流控制技术,通过差分采样检测输出电压和退磁信号,实现两绕组隔离应用(VCC可独立供电或自供电),无需光耦和次级反馈电路,极大节约系统成本和体积。特别适合搭配前级Boost APFC升压电路,构成两级隔离无频闪LED驱动方案,满足高PF和低频闪要求的商业照明应用。
CXLE8470EB工作在电感电流临界连续模式(BCM)和准谐振(QR)模式,降低了开关损耗及EMI,提升变压器利用率。芯片内置完善的保护功能:输出开路保护(OVP)、输出短路保护、逐周期限流保护、过温降电流保护、电感和输出二极管短路保护等。采用DIP-7封装,具有良好的散热性能和抗干扰能力,适用于LED面板灯、筒灯等中高功率隔离驱动电源。
核心特点与技术优势
- 两绕组原边反馈:无需辅助绕组反馈,VCC可独立供电,简化变压器设计,降低成本。
- 内置650V高压MOS管:集成650V/1.52Ω功率管,满足宽输入电压范围,减少外部元件。
- 高压JFET启动:内置高压启动电路,启动速度快,待机功耗低。
- 支持APFC两级隔离无频闪:搭配前级Boost APFC,实现高PF、无频闪隔离驱动。
- 准谐振/临界导通模式:降低开关损耗,改善EMI,提高转换效率。
- 高精度恒流:内部基准电压200mV(典型),输出电流精度±5%。
- 可编程输出过压保护(OVP):通过外部电阻灵活设置输出开路保护电压。
- 过温降电流保护:结温超过145°C时自动降低输出电流,提高系统可靠性。
- 完善的保护功能:逐周期限流、输出短路保护、电感/输出二极管短路保护、VCC欠压锁定等。
- DIP-7封装:直插式封装,易于PCB布局和散热,适合工业化生产。
典型应用电路

图1:CXLE8470EB 典型应用电路原理图
(反激拓扑,两绕组原边反馈,可搭配前级APFC构成两级无频闪方案,详细参数参考数据手册)
引脚封装与管脚功能

图2:CXLE8470EB DIP-7 封装外形及管脚分布图
(具体机械尺寸参见数据手册封装章节)
管脚功能描述 (DIP-7)
| 管脚号 | 名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | CS | 电流采样端,采样电阻接在CS与GND之间,用于原边峰值电流检测 |
| 2 | ROVP | 输出过压保护设置引脚,外接电阻到地,设置输出开路保护电压 |
| 3 | VCC | 芯片供电引脚,外接旁路电容到GND,可由外部电源或辅助绕组供电 |
| 4 | GND | 芯片地,信号地与功率地单点连接 |
| 5 | HV | 高压启动和供电引脚,同时用于输入电压检测和退磁采样,接母线电压 |
| 6,7 | DRAIN | 内置MOS管漏极,接变压器原边绕组 |
极限参数与电气特性 (TA=25°C)
绝对最大额定值
| 符号 | 参数 | 范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| DRAIN | 内置MOS漏极电压 | -0.3 ~ 650 | V |
| HV | 高压启动和输入检测引脚 | -0.3 ~ 700 | V |
| CS | CS引脚电压 | -0.3 ~ 6 | V |
| ROVP | ROVP引脚电压 | -0.3 ~ 6 | V |
| VCC | 芯片供电电压 | -0.3 ~ 30 | V |
| PDMAX | 最大功耗 (DIP-7) | 0.9 | W |
| θJA | 结到环境的热阻 | 80 | °C/W |
| TJ | 工作结温范围 | -40 ~ 150 | °C |
| TSTG | 储存温度范围 | -55 ~ 150 | °C |
| ESD | 人体模型 | 2 | kV |
电气参数 (典型值,无特别说明TA=25°C)
| 符号 | 参数描述 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC_CLAMP | VCC钳位电压 | IVCC=1mA | 23 | 24.2 | 25.4 | V |
| VCC_ON | VCC启动电压 | VCC上升 | 13.5 | 15 | 16.5 | V |
| VCC_UVLO | VCC欠压保护阈值 | VCC下降 | 8.1 | 9 | 9.9 | V |
| VREF | 内部恒流基准电压 | - | 194 | 200 | 206 | mV |
| RDS_ON | MOSFET导通阻抗 | VGS=10V, Ip=1.5A | - | 1.52 | - | Ω |
| BVDSS | MOSFET漏源击穿电压 | - | 650 | - | - | V |
| FMAX | 最大工作频率 | - | 105 | 130 | 160 | kHz |
| TREG | 过温调节温度 | 内部结温检测 | - | 145 | - | °C |
注:典型值在25°C下测试,参数由设计保证。CXLE8470EB 内置650V MOS,适用于两绕组隔离反激拓扑。
原边反馈恒流工作原理与输出电流设定
CXLE8470EB采用先进的原边反馈控制架构,通过检测HV引脚上的电压(反映变压器退磁和输出电压信息)和CS引脚上的原边峰值电流,实现输出恒流控制,无需光耦和次级反馈电路。
启动过程:系统上电后,母线电压通过HV引脚内部JFET对VCC电容充电。VCC电压低于2.5V时以大电流充电;2.5V到4.8V之间以较小电流充电;4.8V到启动阈值之间再次以大电流充电,确保快速启动。当VCC达到VCC_ON(典型15V)时,芯片开始工作。每次VCC从UVLO以下恢复时,都会经历100ms软启动过程,CS峰值电压分段线性增加,减小开机应力。
恒流控制:芯片工作于电感电流临界连续模式(BCM)和准谐振模式(QR)。内部基准VREF=200mV。输出LED电流计算公式:
其中RCS为原边采样电阻,NP/NS为变压器初次级匝比。例如,若VREF=0.2V,RCS=0.5Ω,匝比NP/NS=4,则输出电流Iout≈0.2/(2×0.5)×4=0.8A。
两级APFC无频闪应用:CXLE8470EB作为后级恒流电路,前级搭配Boost APFC升压电路(如BP系列PFC芯片),可实现PF>0.95、THD<10%、无频闪(SVM<0.4)的隔离LED驱动方案,满足高端商业照明和欧洲ERP标准要求。
关键技术深度解析
1. 两绕组原边反馈与输出过压保护(OVP)设置
CXLE8470EB采用两绕组变压器,无需辅助绕组。HV引脚同时承担高压启动、输入电压检测和退磁/输出电压采样功能。通过差分采样技术,精确检测输出电压。ROVP引脚用于设置输出空载保护电压,通过外接电阻ROVP到GND编程。计算公式:
其中NPS=NP/NS,VOVP为设定的输出开路保护电压。ROVP引脚对地建议并联1nF-10nF电容,防止噪声误触发。
2. 准谐振与临界导通模式
芯片通过检测HV引脚上的退磁信号,在变压器磁芯复位后,检测到谐振谷底时导通功率管,实现准谐振(QR)开关。这种工作模式降低了开关损耗(减小开通损耗),改善了EMI特性,同时提高了轻载效率。最大工作频率被限制在130kHz(典型),避免过高的开关损耗。
3. 线性调整率补偿与温度补偿
由于信号传播延时和MOSFET关断延时,输出电流会随输入电压变化。CXLE8470EB内置线性调整率补偿功能,通过HV引脚检测输入母线电压,转换成补偿电压叠加到采样到的VCS电压上,使输出电流在宽输入电压范围内保持恒定。同时,芯片内置温度补偿电路,补偿CS采样电阻温漂、变压器感量变化和输出二极管漏电流增加导致的输出电流下降,确保全温度范围恒流精度。
4. 保护功能详解
- 逐周期限流:每个周期检测CS电压,超过VCS_TH1(0.35V)时立即关断功率管。
- 输出短路保护:连续35ms检测不到退磁信号(或检测到输出电压异常),进入短路保护,等待350ms后重启。
- 电感/输出二极管短路保护:CS电压超过VCS_TH2(1.2V)时触发保护。
- VCC过压/欠压保护:VCC超过26.5V(典型)触发钳位或保护;低于UVLO阈值时关闭输出。
- 过温降电流保护:结温超过145°C时,输出电流线性下降,Toff延长,系统进入DCM模式,温度恢复后自动复原。
5. 设计实例与变压器设计要点
以30W 1A输出隔离LED驱动为例:输入电压200-240V(经APFC后母线电压400V),输出30V/1A。选择匝比NP/NS=400V/(30V+1V)=12.9,取13。则RCS=VREF/(2×Iout)×NP/NS=0.2/(2×1)×13=1.3Ω。变压器设计需保证最大工作频率<130kHz,确保BCM/QR模式。辅助供电可由外部独立电源提供,也可通过增加辅助绕组实现自供电(需注意两绕组模式下VCC需外部供电)。PCB布局时需注意:VCC旁路电容紧靠芯片,CS采样电阻功率地线短而粗,ROVP电阻紧靠芯片并加滤波电容,减小大电流环路面积以降低EMI。
PCB Layout指南
- VCC的旁路电容必须紧靠芯片VCC和GND引脚。
- 电流采样电阻的功率地线尽可能粗,且要离芯片的地尽量近,信号地需要单独连接到芯片的地引脚。
- 减小大电流环路的面积:变压器初级、功率管及吸收网络的环路面积,以及变压器次级、次级二极管、输出电容的环路面积,以减小EMI辐射。
- 接到ROVP的电阻必须靠近ROVP引脚,且节点要远离变压器的动点,否则系统噪声容易误触发ROVP的OVP保护功能。
- HV引脚走线注意高压安全间距,与低压区域保持至少1.5mm距离。HV引脚对地可加一个小电容(<22pF)滤除噪声,但需注意不影响退磁检测。
- DIP-7封装建议在芯片下方铺设铜皮辅助散热,或使用散热片。
订购信息与封装
| 产品型号 | 封装 | 包装方式 | 打印标识 |
|---|---|---|---|
| CXLE8470EB | DIP-7 | 管装 50只/管 | CXLE8470E + 批次码 |
芯片符合RoHS、REACH及无卤素标准,工作结温范围-40℃~150℃,存储温度-55℃~150℃。建议波峰焊或手工焊接温度遵循相关标准。
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