CXLE86261A 可调光LED驱动电流纹波抑制芯片（去频闪）

集成500V JFET供电 | 自动适应LED电压电流 | 调光全程无频闪 | OVP/短路/过温调节保护

嘉泰姆电子 (JTM-IC) 推出的 CXLE86261A 是一款专为可控硅调光及有源功率因数校正(PFC) LED驱动器设计的电流纹波抑制控制芯片。它采用高效率驱动机制，能够自动适应不同的LED输出电压和电流，有效抑制输出低频纹波，确保在调光全程(包括深度调光)下LED无频闪。芯片内置500V高压JFET供电，外围元件极少，同时集成了MOS管漏极过压保护、输出短路保护以及芯片过温调节保护，采用SOT23-6小型封装，是高品质LED球泡灯、面板灯及其他照明应用的理想选择。

典型应用原理图

 CXLE86261A 典型应用电路原理图 (配合前级PFC/可控硅调光驱动器)
主要包含：前级LED恒流输出 → CXLE86261A的HV引脚供电，外置功率MOSFET，CS采样电阻，FB分压电阻网络，COMP电容。芯片抑制输出电流纹波，实现无频闪。

管脚封装与订购信息

 CXLE86261A 管脚封装图 (SOT23-6)
封装形式：SOT23-6，符合RoHS标准，小型化封装适合紧凑型LED驱动设计。

订购型号： CXLE86261A (SOT23-6，编带3000颗/盘)，打印标记：86261A。

产品核心特点与技术优势

• - 集成500V高压JFET供电，无需外部辅助绕组或启动电阻
• - 自动适应不同LED输出电压和电流，兼容各种前级恒流源
• - 高效驱动机制，外置MOSFET损耗低，温升小
• - 支持可编程OVP保护电压，通过FB电阻灵活设定
• - 输出短路保护，降低故障时系统功耗
• - 芯片过温调节保护，温度过高时自动降电流，提高可靠性
• - COMP引脚可调环路带宽，灵活平衡纹波抑制与动态响应
• - 外围元件极少，SOT23-6小封装，节省PCB面积

电气特性与技术参数

极限参数 (Tamb=25°C)

推荐电气特性 (TA=25°C，典型值)

功能详解与工程设计指南

1. 启动与供电

CXLE86261A通过HV引脚直接连接前级LED驱动器的输出正极(或母线电压)，内部集成500V JFET为芯片提供启动和工作电流。当HV电压达到芯片内部启动阈值后，芯片开始工作。由于采用了JFET供电，无需外部辅助绕组或高压启动电阻，极大简化了设计。静态工作电流仅200μA，功耗极低。

2. 电流纹波抑制原理与输出电流设置

芯片通过控制外置功率MOSFET的导通程度，使LED电流保持恒定，从而抑制前级PFC或可控硅调光输出中残留的100/120Hz低频纹波。CS引脚外接采样电阻R_CS，内部基准VCS_LMT=0.2V。输出平均电流由下式设定：

例如需要输出平均电流350mA，则R_CS = 0.2V / 0.35A ≈ 0.571Ω，可选用0.56Ω标准电阻。注意此电流为经过纹波抑制后的LED平均电流，前级恒流源输出电流应略高于此值，具体需根据实际效率调整。

3. 漏极电压控制与OVP设定

FB引脚通过外部分压电阻(R_U, R_D)监测外置MOSFET的漏极电压。正常工作时，芯片控制漏极平均电压以维持恒流。当发生前级能量突增或输出开路时，漏极电压上升，FB电压达到OVP阈值时，芯片会快速增加GATE驱动使漏极电压被钳位在过压保护点，防止MOSFET击穿。过压保护值计算公式：

其中V_CS为CS引脚平均电压(通常接近0.2V)。设计时先确定期望的过压保护点，然后选择合适的R_U和R_D。建议R_D取值10kΩ~47kΩ，R_U根据目标V_D_OVP计算。

4. 输出短路保护

当LED输出短路时，外置MOSFET漏极电压被拉低，FB引脚内部钳位电路启动。当流过钳位电路的电流超过短路保护阈值(典型160μA)时，芯片进入短路保护状态，降低GATE驱动，系统功耗显著下降，保护MOSFET和芯片。短路保护触发电压计算公式：

其中V_FB_CLP≈5.3V，I_FB_SCP≈160μA。合理选择R_U和R_D可设定短路保护灵敏度。

5. 环路带宽调节 (COMP引脚)

COMP引脚外接电容可调节内部环路的带宽。电容值越小，环路带宽越高，输出纹波抑制能力相对减弱但动态响应更快；电容值越大，纹波抑制越彻底，但动态响应变慢。典型应用中，建议使用1μF~4.7μF电容。对于可控硅调光应用，可能需要较快的动态响应来跟踪调光角度，此时可选用较小电容(如0.47μF)。工程师可根据实际调光效果和频闪测试进行优化。

6. 过温调节保护

当芯片结温达到150°C时，内部温度调节电路启动，逐渐降低CS基准电压，从而减小输出电流，限制功率管和芯片的温升。温度继续上升时输出电流进一步减小，温度下降后自动恢复。这是一种非锁存保护，确保在过热条件下系统仍能安全工作，特别适合密闭灯具环境。

7. 外置MOSFET选型建议

CXLE86261A驱动外置N沟道功率MOSFET。选型时需考虑漏极耐压(至少高于V_D_OVP的1.2倍)、导通电阻Rds(on)(影响导通损耗)以及栅极电荷Qg。对于输出电流1A以下的应用，推荐使用耐压150V~250V、Rds(on)<1Ω的MOSFET(如2N60、4N60等)。大电流应用需选择更低导通电阻的器件，并注意散热设计。

保护机制总结

• 漏极过压保护(OVP)： 通过FB电阻分压设定，钳位漏极电压，防止MOSFET过压击穿。
• 输出短路保护(SCP)： 检测FB引脚钳位电流，触发后降低功率管导通程度，限制故障电流。
• 过温调节(OTR)： 结温超过150°C后线性降低输出电流，防止热失控。

PCB Layout 设计指南

为确保CXLE86261A达到最佳纹波抑制效果和可靠性，请遵循以下布局建议：

• 散热： 外置MOSFET漏极连接的铜箔面积应尽可能扩大，以增强散热能力。若输出电流较大，可在漏极增加散热过孔至底层铜皮。
• 抗干扰： FB、CS、COMP引脚的外围电阻和电容必须尽量靠近芯片引脚，走线短而直接，远离高压开关节点(如漏极、电感)。
• 地线： 芯片GND应单点连接到功率地，CS采样电阻的接地端应直接接至功率地，避免引入地线噪声。
• HV走线： HV引脚直接接前级输出正极，走线需满足耐压间距要求(与低压走线保持1.5mm以上)。
• GATE驱动： GATE到MOSFET栅极的走线尽量短而粗，可串联10-22Ω电阻以抑制振铃。

快速设计参数参考表 (典型应用)

相关技术资源与选型工具

* 本文档由嘉泰姆电子 (JTM-IC) 技术团队基于CXLE86261A数据手册编写，最终参数以官方数据手册为准。嘉泰姆保留更新权利，建议设计前下载最新版本。