CXLE86280D：非隔离恒压恒流控制芯片，超低待机功耗

产品系列：CXLE86280D | 更新时间：2026年4月 | 内置500V功率MOSFET，恒压恒流双模式，SOP8封装，待机功耗＜30mW

1. 产品概述

CXLE86280D 是嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的一款低待机功耗非隔离降压型恒压恒流控制芯片。芯片在恒流状态下工作于电感电流临界连续模式，在恒压状态下工作于电感电流断续导通模式，适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的非隔离电源应用。CXLE86280D采用电压电流控制技术，无需环路补偿电容即可实现优异的恒压恒流特性，极大节约系统成本和体积。芯片集成高压启动和供电电路，采用PWM/PFM多模式控制技术，从输出端给VCC供电，有效降低系统待机功耗，提高效率和动态性能，并减小轻载时的噪声。CXLE86280D具有多重保护功能，包括输出短路保护、CS开路保护、过温保护等，采用SOP8封装，是非隔离辅助电源、电机驱动电源及LED驱动电源的理想选择。

2. 管脚封装与机械尺寸

CXLE86280D 采用标准 SOP8 封装，管脚间距1.27mm，便于PCB布局和自动化生产。管脚定义清晰，外围电路简洁。

3. 关键技术参数与电气特性

CXLE86280D 在全电压范围内提供稳定的恒压恒流输出，内置500V功率管，适应多种恶劣电网环境。以下为典型电气特性(TA=25℃)：

4. 恒流与恒压设置

4.1 输出电流设置 (恒流模式)

CXLE86280D 逐周期检测CS电压并与内部恒流基准电压 VCS_REF (典型值0.6V) 比较。当CS电压达到阈值时，功率管关断。芯片通过检测FB电压过零点控制MOSFET开通，使系统处于临界导通模式。输出电流表达式为：

例如，需要输出300mA恒流，则 R_CS = 0.6V / (2×0.3A) = 1Ω。实际可选用1Ω/1%电阻，得到约300mA恒流输出。CS采样电阻应选用低感精密电阻，走线尽量短，且直接连接到CS和GND引脚。

4.2 输出电压设置 (恒压模式)

芯片通过采样电感两端电压，经分压电阻反馈至FB引脚，与内部误差放大器基准 VFB_EA_REF (典型值2.02V) 比较，闭环控制输出电压。计算公式：

芯片在电感退磁后的TSAMPLE时刻采样输出电压，且采样时间随输出电流自动调整（满载约3.8μs，空载约1.8μs），以改善负载调整率。

5. 多模式控制与智能补偿技术

CXLE86280D 采用PWM/PFM多模式控制及准谐振技术，重载时以PWM模式工作，轻载时自动切换至PFM模式，有效降低待机功耗并抑制音频噪声。同时集成以下补偿功能：

• 线电压补偿：由于关断延时存在，高输入电压会导致峰值电流偏高。芯片内部检测母线电压，对VCS_REF进行适当补偿，提高不同输入电压下的恒流精度。
• 恒压负载调整率补偿：通过RCOMP引脚外接电阻调节负载补偿量。RCOMP阻值越小，补偿量越大，推荐40kΩ~300kΩ，典型应用使用100kΩ。相同RCOMP下，芯片自动根据输出电流大小调整补偿深度，满载时补偿最大，空载时最小，从而获得优异的负载调整率。

6. 完善的保护功能

CXLE86280D 内置多重保护，确保系统安全可靠：

• 输出短路保护：当FB电压低于VFB_SHORT (0.5V) 时，芯片将开关频率限制在20kHz，若持续100ms则触发短路保护，功率管关断，1秒后自动重启。
• 输出过压保护(OVP)：连续三个周期检测到FB电压高于VFB_OVP (3V) 时触发过压保护，关断功率管1秒后重启。过压保护点计算公式：V_OVP = 3V×(R_FBL+R_FBH)/R_FBL - V_f。
• CS开路保护：当检测到CS电压高于VCS_OPEN (3.3V) 且持续超过20μs，触发CS开路保护，关断功率管；待CS电压恢复正常后自动重启。
• 过温保护(OTP)：结温达到155℃时芯片停止工作，迟滞40℃后自动恢复。
• 逐周期限流：每个开关周期限制峰值电流，防止电感饱和。
• 内置软启动：1ms软启动时间，分段增加峰值电流，减小功率管应力。

7. 关键器件选型与设计指南

7.1 电感选择

CXLE86280D 恒流时工作于临界导通模式，电感量影响系统频率和电流纹波。一般建议电感量范围 0.5mH~2mH，具体根据输出电压和电流调整。为确保在最低输入电压下仍能实现恒流，电感饱和电流应大于峰值电流的1.5倍。

7.2 输入输出电容

输入电容建议使用电解电容（10μF~47μF/400V）配合陶瓷电容，滤除高频噪声。输出电容根据纹波要求选择，典型值 100μF~470μF，并并联1μF陶瓷电容降低ESR。

7.3 续流二极管

选用快恢复二极管或超快恢复二极管，反向耐压大于500V，推荐 ES1J、US1M 或 FR107。导通压降直接影响恒压精度和效率。

7.4 反馈电阻与RCOMP

FB分压电阻建议使用精度1%的电阻，总阻值在100kΩ~500kΩ之间。RCOMP电阻按典型100kΩ配置，可根据实际负载调整率微调。

8. PCB布局设计指南

• VCC旁路电容 (通常10μF/50V) 必须紧靠VCC和GND引脚，走线最短。
• FB分压电阻应靠近FB引脚放置，且节点远离电感和DRAIN的动点，避免噪声耦合。
• CS采样电阻的功率地线应单独走线，与芯片GND及其他小信号地线分头接到母线电容的地端（星形接地）。
• 减小功率环路面积：输入母线电容→DRAIN→电感→续流二极管→输出电容→GND的回路面积，以及电感、续流二极管、输出电容的回路面积，以降低EMI辐射。
• DRAIN引脚及其连接的铜皮可适当加大面积以辅助散热，但需与低压引脚保持安全距离。
• 若输出电压高于27V且待机功耗要求严格，可考虑增加辅助绕组供电以降低内部JFET供电损耗。

9. 典型应用与订购信息

CXLE86280D 适用于非隔离辅助电源、电机驱动供电、LED驱动电源、智能家电控制器等。芯片提供 SOP8 封装，工作温度范围-40℃~105℃。订购型号为 CXLE86280D (基础型号，内置500V/10Ω MOSFET)，另有更高电流版本如 CXLE86280D (RDS_ON=4.8Ω) 和 CXLE86280D (RDS_ON=3Ω) 可根据功率需求选择。包装为编带，每盘4000颗。

封装代号：SOP8；本体尺寸 4.90×6.00mm；引脚间距1.27mm。详细热阻θJA=150℃/W，最大功耗0.45W (TA=25℃)。