中文
English
首页
产品中心
电源管理芯片
LED驱动芯片
电池管理与充电
电机与驱动
模拟与混合信号
微控制器与存储
接口与隔离
功率器件
技术资源
产品文档下载
技术方案
芯片目录
常见问题
新闻与动态
公司新闻
行业动态
产品发布
促销活动
旧闻博览
关于我们
客户服务
样品申请
技术支持
反馈建议
资料下载
人才招聘
人才招聘
人才理念
常见问题
芯片目录
技术方案
产品文档下载
首页
>
技术资源
>
常见问题
常见问题
Class-D功放
Class-D功放是指一种利用脉宽调制(PWM)技术进行功率放大的音频放大器
2025-05-20 23:56:41
查看详情
ROHS标准
ROHS标准是指《关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令》(Restriction of Hazardous Substances Directive),简称ROHS。这一指令由欧盟制定,旨在减少电子电气产品中的有害物质,保护环境和人类健康。ROHS标准规定了在电子电器产品中禁止或限制使用的有害物质,包括铅(Pb)、镉(Cd)、汞(Hg)、六价铬(Cr6+)、多溴联苯(PBBs)和多溴二苯醚(P
2025-05-20 23:53:54
查看详情
逻辑信号处理电路
逻辑信号处理电路在数字电路和嵌入式系统中广泛使用,用于控制、通信和数据处理等多种场景。通过对逻辑信号的精确处理,逻辑信号处理电路能够实现对复杂系统的高效控制和管理。
2025-05-20 23:50:24
查看详情
电平位移电路
电平位移电路(Level Shift Circuit)是一种电子电路,用于将一个电压域中的信号转换到另一个电压域中,以便不同电压电平的系统之间能够进行通信和控制。这种电路在多电压系统设计中尤为重要,因为不同系统可能需要不同电压的信号来工作。
2025-05-20 23:42:54
查看详情
悬浮自举电源设计
悬浮自举电源设计是指一种用于高压侧供电的电路设计,它通过自举电容和二极管等元件,利用下管开关的导通时机对自举电容充电,从而在高端驱动电路中产生一个高于系统输入电压的悬浮电压。具体来说:
原理:当下管开关导通时,系统电源通过自举二极管和电阻对自举电容充电,使自举电容两端电压上升至电源电压以上。
优势:简化了高压侧供电
2025-05-20 23:42:01
查看详情
电路图绘制
1. 电源与自举电路设计
高压悬浮供电
采用自举二极管+电容架构,推荐(40V/0.5A)配合0.1μF X7R电容(耐压≥100V)
计算公式:C_boot = Q_gate / (ΔV_boot × 0.2)
典型值:1A驱动电流时选用0.47μF/100V陶瓷电容
VCC退耦设计
需配置10μF钽电容+100nF陶瓷电容并联,布局距离芯片VCC引脚<5mm
2. 栅极驱动路径优化
驱动电阻选型
根据开
2025-05-17 10:45:15
查看详情
高压驱动芯片技术升级趋势及核心创新方向
高压驱动芯片技术升级趋势及核心创新方向一、第三代半导体材料加速渗透,突破传统性能瓶颈 氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)技术突破
基于GaN和SiC的驱动芯片在高压场景中展现出显著优
2025-05-17 10:31:30
查看详情
智能设备电源管理核心技术解析 | 多模能效优化 | 低功耗电源树设计指南
通过采用先进电源管理方案,某TWS耳机厂商成功将充电仓待机时间从3个月延长至18个月,整机能效提升22%,该方案获2023年CES创新工程奖。
2025
2025-04-21 00:23:01
查看详情
能源收集电源方案综合分析,结合核心器件特性和应用场景优化策略
以下是基于最新技术进展的能源收集电源方案综合分析,结合核心器件特性和应用场景优化策略:一、核心技术方案分类 全集成PMIC方案 集成MPPT算法与升压DC-DC,支持3V-19V输入
2025
2025-04-21 00:14:31
查看详情
纳米级待机功耗技术解析与行业应用
纳米级待机功耗技术通过材料革新、高集成封装与智能电源管理实现突破,目前主流方案已接近或达到微安级别(如GaNSlim的3μA),而更前沿研究正迈向纳安甚至皮安领域。未来,随着GaN/SiC技术成熟与AI算法的引入,超低功耗设计将重塑电子设备的能效标准。
2025
2025-04-20 23:59:22
查看详情
页次:13/28 每页10 总数274
首页
上一页
下一页
尾页
转到:
第 1 页
第 2 页
第 3 页
第 4 页
第 5 页
第 6 页
第 7 页
第 8 页
第 9 页
第 10 页
第 11 页
第 12 页
第 13 页
第 14 页
第 15 页
第 16 页
第 17 页
第 18 页
第 19 页
第 20 页
第 21 页
第 22 页
第 23 页
第 24 页
第 25 页
第 26 页
第 27 页
第 28 页