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<font color='FF4B0A'>晶振用IC CXCL3467系列是高频率,低消耗电流,采用CMOS工艺生产的芯片。芯片内置了晶体振荡器和分配器电路。CXCL3467系列的输出可选为:f0 : f0/1, f0/2, f0/4, f0/8 。CXCL3467系列芯片的内置振荡器电容和振荡反馈电</font>

晶振用IC CXCL3467系列是高频率,低消耗电流,采用CMOS工艺生产的芯片。芯片内置了晶体振荡器和分配器电路。CXCL3467系列的输出可选为:f0 : f0/1, f0/2, f0/4, f0/8 。CXCL3467系列芯片的内置振荡器电容和振荡反馈电

晶振用IC CXCL3467系列是高频率,低消耗电流,采用CMOS工艺生产的芯片。芯片内置了晶体振荡器和分配器电路。CXCL3467系列的输出可选为:f0 : f0/1, f0/2, f0/4, f0/8 。CXCL3467系列芯片的内置振荡器电容和振荡反馈电阻型,只需外接一个水晶振子便可构成一个稳定的基波振荡器或一个3次谐波振荡器,如选用外接型,可通过外接一个

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>PLL时钟发生器</font>

PLL时钟发生器

PLL时钟发生器

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>內置晶振電路的PLL時鐘發生器CXCL3470系列是以高频, 低消耗电流工作的晶振用CMOS 集成电路。内置晶振电路, 分频电路和时钟信号倍频用PLL电路。可从主时钟f0,及f0×5, f0×6, f0×7, f0×8, f0/2, f0/4, f0/8中选择1</font>

內置晶振電路的PLL時鐘發生器CXCL3470系列是以高频, 低消耗电流工作的晶振用CMOS 集成电路。内置晶振电路, 分频电路和时钟信号倍频用PLL电路。可从主时钟f0,及f0×5, f0×6, f0×7, f0×8, f0/2, f0/4, f0/8中选择1

內置晶振電路的PLL時鐘發生器CXCL3470系列是以高频, 低消耗电流工作的晶振用CMOS 集成电路。内置晶振电路, 分频电路和时钟信号倍频用PLL电路。可从主时钟f0,及f0×5, f0×6, f0×7, f0×8, f0/2, f0/4, f0/8中选择1种输出频率。内置振荡容量, 振荡反馈电阻,仅外置晶体振荡器即能够构成稳定的振荡电路。另外,可通过外部输入

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>内置分频, 倍频电路超小型PLL时钟发生器CXCL3471BC8系列是能在低频输入8kHz, 4095倍的范围内倍频工作的PLL时钟发生器IC。小型化, 同步抖动小, 实现128倍, 256倍, 512倍等高倍频。分频电路, 相位频率比较器, 电荷泵, </font>

内置分频, 倍频电路超小型PLL时钟发生器CXCL3471BC8系列是能在低频输入8kHz, 4095倍的范围内倍频工作的PLL时钟发生器IC。小型化, 同步抖动小, 实现128倍, 256倍, 512倍等高倍频。分频电路, 相位频率比较器, 电荷泵,

内置分频, 倍频电路超小型PLL时钟发生器CXCL3471BC8系列是能在低频输入8kHz, 4095倍的范围内倍频工作的PLL时钟发生器IC。小型化, 同步抖动小, 实现128倍, 256倍, 512倍等高倍频。分频电路, 相位频率比较器, 电荷泵, VCO内置,不需要复杂的滤波因子的计算, ,只需要加上电源和输入时钟就可简单实现时钟变换。另外,可用于和音频

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>Schottky Barrier Diode, 100mA, 30V Type 100mA 30V CXLN65125S15R CXLN65125S16R肖特基二极管是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器</font>

Schottky Barrier Diode, 100mA, 30V Type 100mA 30V CXLN65125S15R CXLN65125S16R肖特基二极管是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器

Schottky Barrier Diode, 100mA, 30V Type 100mA 30V CXLN65125S15R CXLN65125S16R肖特基二极管是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>Schottky Barrier Diode, 100mA, 30V Type CXLN65125S1CR CXLN65125V1DR 100mA 30V 肖特基二极管集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器</font>

Schottky Barrier Diode, 100mA, 30V Type CXLN65125S1CR CXLN65125V1DR 100mA 30V 肖特基二极管集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器

Schottky Barrier Diode, 100mA, 30V Type CXLN65125S1CR CXLN65125V1DR 100mA 30V 肖特基二极管集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器

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<font color='FF4B0A'>200mA 30V 肖特基二极管,Schottky Barrier Diode, 200mA, 30V Type CXLN65126P11R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最用应于小电流整流。</font>

200mA 30V 肖特基二极管,Schottky Barrier Diode, 200mA, 30V Type CXLN65126P11R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最用应于小电流整流。

200mA 30V 肖特基二极管,Schottky Barrier Diode, 200mA, 30V Type CXLN65126P11R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最用应于小电流整流。

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<font color='FF4B0A'>500mA 30V 肖特基二极管CXLN65128P11R CXLN65128V13R CXLN65128V15R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器。Schottky Barrier Diode, 500mA, 30V Type</font>

500mA 30V 肖特基二极管CXLN65128P11R CXLN65128V13R CXLN65128V15R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器。Schottky Barrier Diode, 500mA, 30V Type

500mA 30V 肖特基二极管CXLN65128P11R CXLN65128V13R CXLN65128V15R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器。Schottky Barrier Diode, 500mA, 30V Type

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<font color='FF4B0A'>1A 40V 肖特基二极管CXLN65129P11R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器</font>

1A 40V 肖特基二极管CXLN65129P11R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器

1A 40V 肖特基二极管CXLN65129P11R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器

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<font color='FF4B0A'>2A 30V 肖特基二极管CXLN65130V19R集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器,Schottky Barrier Diode, 2A, 30V Type</font>

2A 30V 肖特基二极管CXLN65130V19R集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器,Schottky Barrier Diode, 2A, 30V Type

2A 30V 肖特基二极管CXLN65130V19R集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器,Schottky Barrier Diode, 2A, 30V Type

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<font color='FF4B0A'>2A 40V 肖特基二极管CXLN65131S19R CXLN65131V19R集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等,Schottky Barrier Diode, 2A, 40V Type</font>

2A 40V 肖特基二极管CXLN65131S19R CXLN65131V19R集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等,Schottky Barrier Diode, 2A, 40V Type

2A 40V 肖特基二极管CXLN65131S19R CXLN65131V19R集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等,Schottky Barrier Diode, 2A, 40V Type

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<font color='FF4B0A'>2A 60V 肖特基二极管CXLN65132S19R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等Schottky Barrier Diode, 2A, 60V Type</font>

2A 60V 肖特基二极管CXLN65132S19R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等Schottky Barrier Diode, 2A, 60V Type

2A 60V 肖特基二极管CXLN65132S19R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等Schottky Barrier Diode, 2A, 60V Type

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<font color='FF4B0A'>3A 30V 肖特基二极管CXLN65133V19R CXLN65133V29R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器。Schottky Barrier Diode, 3A, 30V Type</font>

3A 30V 肖特基二极管CXLN65133V19R CXLN65133V29R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器。Schottky Barrier Diode, 3A, 30V Type

3A 30V 肖特基二极管CXLN65133V19R CXLN65133V29R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器。Schottky Barrier Diode, 3A, 30V Type

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<font color='FF4B0A'>3A 60V 肖特基二极管CXLN65135P11R CXLN65135S19R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器Schottky Barrier Diode, 3A, 60V Type</font>

3A 60V 肖特基二极管CXLN65135P11R CXLN65135S19R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器Schottky Barrier Diode, 3A, 60V Type

3A 60V 肖特基二极管CXLN65135P11R CXLN65135S19R是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。除电脑,手机以外，还适用于各种便携式电子仪器Schottky Barrier Diode, 3A, 60V Type

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<font color='FF4B0A'>Schottky Barrier Diode 5A 40V 肖特基二极管CXLN65136V1AR是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等</font>

Schottky Barrier Diode 5A 40V 肖特基二极管CXLN65136V1AR是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等

Schottky Barrier Diode 5A 40V 肖特基二极管CXLN65136V1AR是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>5A 60V 肖特基二极管CXLN65137S1AR是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等Schottky Barrier Diode</font>

5A 60V 肖特基二极管CXLN65137S1AR是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等Schottky Barrier Diode

5A 60V 肖特基二极管CXLN65137S1AR是集合了低VF,低IR,高ESD強度的肖特基势垒二极管。最适用于整流,防止电池反向连接等Schottky Barrier Diode

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>瞬态电压抑制器（TVS瞬态抑制二极管）</font>

瞬态电压抑制器（TVS瞬态抑制二极管）

瞬态电压抑制器（TVS瞬态抑制二极管）

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>低容量TVS二极管矩阵CXLN14E5UFN安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC,Low Capacitance TVS Diode Array</font>

低容量TVS二极管矩阵CXLN14E5UFN安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC,Low Capacitance TVS Diode Array

低容量TVS二极管矩阵CXLN14E5UFN安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC,Low Capacitance TVS Diode Array

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXLN06V1E4MR CXLN06V4E2HR CXLN06V4E4GR适用于4沟道的TVS二极管矩阵。采用了小型表面安装式封装,最适用于高密度电子仪器Four elements in SOT-25 package (Anode Common) High ESD</font>

CXLN06V1E4MR CXLN06V4E2HR CXLN06V4E4GR适用于4沟道的TVS二极管矩阵。采用了小型表面安装式封装,最适用于高密度电子仪器Four elements in SOT-25 package (Anode Common) High ESD

CXLN06V1E4MR CXLN06V4E2HR CXLN06V4E4GR适用于4沟道的TVS二极管矩阵。采用了小型表面安装式封装,最适用于高密度电子仪器Four elements in SOT-25 package (Anode Common) High ESD

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>Low Capacitance TVS Diode Array 低容量TVS二极管矩阵CXLN65140安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC</font>

Low Capacitance TVS Diode Array 低容量TVS二极管矩阵CXLN65140安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC

Low Capacitance TVS Diode Array 低容量TVS二极管矩阵CXLN65140安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>Low Capacitance TVS Diode Array CXLN65141低容量TVS二极管矩阵,安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC。</font>

Low Capacitance TVS Diode Array CXLN65141低容量TVS二极管矩阵,安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC。

Low Capacitance TVS Diode Array CXLN65141低容量TVS二极管矩阵,安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC。

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>低容量TVS二极管矩阵Low Capacitance TVS Diode Array CXLN65142安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC。</font>

低容量TVS二极管矩阵Low Capacitance TVS Diode Array CXLN65142安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC。

低容量TVS二极管矩阵Low Capacitance TVS Diode Array CXLN65142安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC。

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC 低容量TVS二极管矩阵CXLN65144 CXLN65145 TVS Diode</font>

安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC 低容量TVS二极管矩阵CXLN65144 CXLN65145 TVS Diode

安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC 低容量TVS二极管矩阵CXLN65144 CXLN65145 TVS Diode

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>低容量TVS二极管矩阵CXLN65146低容量TVS二极管矩阵安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC</font>

低容量TVS二极管矩阵CXLN65146低容量TVS二极管矩阵安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC

低容量TVS二极管矩阵CXLN65146低容量TVS二极管矩阵安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>低容量TVS二极管矩阵CXLN65147安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC</font>

低容量TVS二极管矩阵CXLN65147安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC

低容量TVS二极管矩阵CXLN65147安装在外部接口附近,用于保护配置在静电放电后级的IC

2020-04-06 09:43:38

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