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CXHB6556D 200V高压高速MOSFET/IGBT栅极驱动芯片
| 产品型号： | CXHB6556D |
| 产品类型： | DC-DC转换器 |
| 产品系列： | 通用系列 |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 124 次 |
产品简介
技术参数
| 输出电压 (VOUT) | ADJ |
|---|---|
| 工作频率 | 100kHz |
| 转换效率 | 95% |
产品详细介绍
CXHB6556D 200V高压高速MOSFET/IGBT栅极驱动芯片
高端低端独立输出 | 1A/1A驱动能力 | SOIC8封装 | 3.3V逻辑兼容
CXHB6556D 现已量产，欢迎申请免费样品与技术支持。
一、产品概述
在电机驱动、电源变换器和功率转换等应用中，工程师需要一款既能驱动高端 N 沟道 MOSFET，又能承受较高电压应力且具备快速开关特性的栅极驱动芯片。嘉泰姆电子推出的 CXHB6556D 是一款基于 P_SUB P_EPI 工艺的高压高速功率 MOSFET/IGBT 栅极驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道。
CXHB6556D 的浮动通道可工作于最高 200V 电压，轻松覆盖中小功率电机驱动、半桥/全桥变换器等应用场景。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，最低支持 3.3V 逻辑电平，便于与 MCU 直接连接。输出驱动级采用高脉冲电流缓冲级设计，最大限度减小驱动级交叉导通，传播延迟匹配良好，适用于高频应用。
芯片内置 VCC 和 VBS 双通道欠压锁定（UVLO）保护，确保供电不足时输出处于安全状态。死区时间典型值 300ns，有效防止上下管直通。采用 SOIC8 小封装，外围电路简洁，BOM 成本优化。
二、主要特点与技术优势
| 高耐压 | 最高 200V 浮动通道，兼容各种高压应用 |
| 强驱动能力 | Source/Sink 电流 1A/1A（典型值） |
| 3.3V 逻辑兼容 | 可直接对接 MCU GPIO，无需电平转换 |
| dV/dt 抗扰 | ±50 V/nsec，适应高频开关环境 |
| 宽供电范围 | 6V~18V，灵活适配系统电源 |
| 负压偏置能力 | -9V Vs 偏置，增强抗干扰能力 |
| UVLO 保护 | VCC 和 VBS 双通道欠压锁定 |
| 死区时间 | 内置 300ns 死区，防止直通 |
| 小封装 | SOIC8，节省 PCB 空间 |
三、关键技术参数
极限参数
| 参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 高端浮动供电 | VB | -0.3 | 220 | V |
| 高端浮动供电返回 | VS | VB-20 | VB+0.3 | V |
| 高端栅极驱动输出 | VHO | VS-0.3 | VB+0.3 | V |
| 低侧供电 | VCC | -0.3 | 20 | V |
| 低侧栅极驱动输出 | VLO | -0.3 | VCC+0.3 | V |
| 逻辑输入 | VIN | -0.3 | VCC+0.3 | V |
| ESD（HBM） | 1.5 | kV | ||
| ESD（CDM） | 500 | V | ||
| 结温 | TJ | 150 | ℃ | |
| 存储温度 | TS | -55 | 150 | ℃ |
推荐工作条件
| 参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 高端浮动供电 | VB | VS+6 | VS+18 | V |
| 高端浮动供电返回 | VS | -9 | 200 | V |
| 低侧供电 | VCC | 6 | 18 | V |
| 逻辑输入电压 | VIN | 0 | VCC | V |
| 环境温度 | TA | -40 | 125 | ℃ |
动态电气特性（VBIAS=15V, CL=1000pF, TA=25℃）
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 高端开通传播延迟 | tON | -- | 150 | 250 | ns |
| 高端关断传播延迟 | tOFF | -- | 110 | 250 | ns |
| 延迟匹配时间 | MT | -- | -- | 50 | ns |
| 死区时间 | DT | -- | 300 | -- | ns |
| 上升时间 | tR | 60 | 100 | -- | ns |
| 下降时间 | tF | 60 | 100 | -- | ns |
静态电气特性（VBIAS=15V, TA=25℃）
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 高端浮动供电漏电流 | ILK | -- | -- | 50 | μA |
| VBS 静态电流 | IQBS | -- | 70 | 120 | μA |
| VCC 静态电流 | IQCC | -- | 200 | 280 | μA |
| VCC UVLO 触发电压 | UVCCT | 4.4 | 5.0 | 5.6 | V |
| VCC UVLO 迟滞 | VUVCCHY | -- | 0.3 | -- | V |
| VBS UVLO 触发电压 | UVBST | 3.2 | 3.8 | 4.4 | V |
| VBS UVLO 迟滞 | VUVBSHY | -- | 0.3 | -- | V |
| 高电平输出压降 | VOH | -- | -- | 0.2 | V |
| 低电平输出电压 | VOL | -- | -- | 0.1 | V |
| 高电平输入阈值 | VIH | 2.5 | -- | -- | V |
| 低电平输入阈值 | VIL | -- | -- | 0.8 | V |
四、引脚功能与定义
| 引脚号 | 名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | VCC | 低侧和主供电电源 |
| 2 | HIN | 高端栅极驱动逻辑输入 |
| 3 | LIN | 低端栅极驱动逻辑输入 |
| 4 | COM | 地 |
| 5 | LO | 低端栅极驱动输出（与 LIN 反相） |
| 6 | VS | 高端浮动供电返回/自举返回 |
| 7 | HO | 高端栅极驱动输出（与 HIN 同相） |
| 8 | VB | 高端浮动供电 |
五、典型应用电路
CXHB6556D 典型应用电路中，VCC 接入 15V 供电，VB-VS 间连接自举二极管（建议使用超快恢复或肖特基二极管）和自举电容。HIN 和 LIN 分别接收 MCU 输出的高端和低端 PWM 信号，经芯片内部处理后通过 HO 和 LO 驱动外置 N 沟道 MOSFET。典型应用包括三相电机驱动、半桥/全桥功率变换器。
设计提示：自举电阻 RB 建议使用 10Ω；自举电容 CBS 按 PWM 控制条件选择；MOSFET 栅源间建议并联 10kΩ 下拉电阻；HIN/LIN 与 MCU 间串联 100Ω~1kΩ 电阻以抑制振铃。
六、应用领域
- 中小功率电机驱动
- 功率 MOSFET/IGBT 栅极驱动
- 半桥功率变换器
- 全桥功率变换器
- 各类互补驱动变换器
七、封装信息
CXHB6556D 采用标准 SOIC8 封装，本体尺寸 4.90mm x 6.00mm，引脚间距 1.27mm。工作温度范围 -40℃ 至 +125℃，满足工业和汽车环境要求。
订购信息
| 型号 | 订购代码 | 封装 | 包装方式 |
|---|---|---|---|
| CXHB6556D | CXHB6556DSEC-R1 | SOIC8 | 编带 / 4000 只 |
CXHB6556D 200V高压高速MOSFET/IGBT栅极驱动芯片，欢迎咨询样品与技术支持。
邮件咨询：ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线：13823140578
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