CXAR41336 2.65W D类音频功率放大器
高效PWM驱动 | 无滤波器拓扑 | 2.5-5.5V宽压 | 差分输入

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXAR41336 | 封装：WDFN-8L 3x3 / WL-CSP-9B 1.45x1.45

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的CXAR41336 是一款2.65W高效率D类音频功率放大器，内部集成低电阻功率MOSFET，增益可通过外部输入电阻灵活设置。无滤波器拓扑省去了输出滤波器，减少了外部元件数量、PCB面积和系统成本。

CXAR41336 采用2.5V至5.5V单电源供电，能够驱动4Ω扬声器，连续平均输出功率达2.65W（10% THD+N）或2W（0.5% THD+N）。相比传统AB类放大器，CXAR41336 在驱动扬声器时具有更高的效率。例如，3.6V电源驱动8Ω负载、400mW输出功率时效率高达88%。该器件非常适合功耗敏感型应用，如手机、PDA及电池供电设备。此外，CXAR41336 提供快速启动时间，可最大程度减少器件开启和关断时的爆破噪声，同时集成过热和过流保护电路。

CXAR41336 提供 WDFN-8L 3x3 和 WL-CSP-9B 1.45x1.45 (BSC) 两种封装。

1. 产品概述与市场定位

在手机、PDA、便携多媒体设备等电池供电的音频应用中，D类音频放大器因其高效率和低功耗特性正逐步取代传统AB类放大器。CXAR41336 专为这些应用优化，在2.5V至5.5V宽电压范围内提供2.65W峰值输出功率，同时保持极高的能效。无滤波器拓扑消除了输出LC滤波器，不仅降低了BOM成本，还避免了滤波器带来的相位失真问题，提升了音频保真度。

该器件的差分输入架构可有效抑制RF干扰和共模噪声，无需外部旁路电容，简化了设计。集成的爆音抑制电路和快速启动时间确保了良好的听感体验。WDFN和WL-CSP小封装使其非常适用于空间受限的便携设备。

2. 主要特点与技术亮点

• 增益可调： 通过外部输入电阻设置（约284k/Ri 至 316k/Ri）。
• 快速启动： 从关断模式启动时间典型值1ms。
• 高信噪比： 95dB（A加权）。
• 低THD+N： 0.06% @ 1W/8Ω。
• RoHS合规，无卤素。

3. 引脚封装与说明

CXAR41336 提供 WDFN-8L 3x3 和 WL-CSP-9B 1.45x1.45 (BSC) 两种封装。引脚功能包括：SHDN（关断控制，低电平有效）、INP（正差分输入）、INN（负差分输入）、OUTP（正输出）、OUTN（负输出）、VDD（电源）、GND（地）。详细引脚排列请参考数据手册。

4. 典型应用电路与内部方框图

图2. 典型应用电路

5. 极限参数与电气特性（设计参考）

6. 工作原理与设计指导

6.1 全差分架构

CXAR41336 是一款全差分放大器，具有差分输入和差分输出。内部集成差分放大器和共模电压控制器，确保输出差分电压等于差分输入乘以增益。差分架构可有效抑制RF整流效应和共模噪声，无需外部旁路电容。该器件支持差分输入和单端输入两种应用方式。

6.2 增益设置

增益通过外部输入电阻 Ri 设置，计算公式如下：

6.3 输入电容

在差分输入应用中，若信号源已偏置在 0.5V 至 VDD-0.8V 范围内，则无需输入耦合电容。若使用单端输入，输入电容 C1 用于让放大器将输入信号偏置到合适的直流电平。C1 与 Ri 构成高通滤波器，截止频率 fc = 1/(2πxRi×C1)。建议选择 C1 使 fc ≤ 10Hz 以保证良好的低频响应。

6.4 电源去耦

CXAR41336 对电源去耦要求较高。建议在 VDD 引脚附近放置 1μF 低 ESR 陶瓷电容，以滤除高频瞬态和数字噪声。在更大范围的低频噪声滤波方面，可额外并联 10μF 或更大的电容。去耦电容应尽量靠近 VDD 和 GND 引脚放置，以降低走线电感和电阻对效率的影响。

6.5 欠压锁定（UVLO）

UVLO 电路在 SHDN=1 时持续监控电源电压。上电时，芯片保持关断状态直到 VDD 升至约 2.2V（典型值）；掉电时，芯片保持工作状态直到 VDD 降至约 2.1V（典型值）。

7. 应用信息与设计指南

7.1 输出功率与效率

CXAR41336 在 5V 供电下驱动 4Ω 负载时可提供 2.65W 输出功率（10% THD+N），驱动 8Ω 负载时可提供 1.45W。其高效率特性在便携设备中尤为突出——3.6V 供电、8Ω 负载、400mW 输出时效率达 88%，有效延长电池寿命。

7.2 关断控制

SHDN 引脚为低电平有效关断控制。将 SHDN 拉低可使器件进入关断模式，静态电流降至 1μA 以下。启动时间典型值为 1ms，可快速响应音频信号。

7.3 保护功能

器件内置过热保护（OTP）和过流保护（OCP）。当芯片结温超过阈值时，OTP 电路关断输出；当输出短路或过载时，OCP 电路限制输出电流，保护器件免受损坏。

7.4 热管理

最大功耗取决于封装热阻、PCB 布局和环境温度。WDFN-8L 热阻 θJA=70°C/W，WL-CSP-9B 热阻 θJA=80°C/W。在 TA=25°C 时，WDFN-8L 最大功耗 1.429W，WL-CSP-9B 最大功耗 1.250W。建议将散热焊盘焊接至大面积铜皮以增强散热。

8. PCB布局建议

• 去耦电容： 将 1μF 陶瓷电容尽量靠近 VDD 和 GND 引脚放置，额外并联 10μF 电容以抑制低频噪声。
• 差分走线： 差分输入（INP/INN）和差分输出（OUTP/OUTN）走线应等宽、等长且尽量短，以保持差分信号的平衡。
• 输入电阻： 增益设置电阻应靠近 INP/INN 引脚放置，减少噪声耦合。
• 接地： GND 和散热焊盘（Exposed Pad）应连接至大面积地平面，以提供良好散热和噪声屏蔽。
• 电源走线： VDD 走线应尽量宽，以降低供电阻抗，确保瞬态电流供应。
• 输出走线： 输出走线应短而宽，避免过大的寄生电阻影响输出功率。

9. 订购信息与技术支持

CXAR41336 提供 WDFN-8L 3x3 和 WL-CSP-9B 1.45x1.45 (BSC) 两种封装，无铅、RoHS合规且无卤素。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计、应用笔记和FAE现场支持。