
CXAS42311B 120mΩ/1.8A可编程限流电源开关 | 75mA-1.8A | ±10%精度 | SOT-23-6 - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXAS42311B |
| 产品类型: | ADC/DAC |
| 产品系列: | 电子开关模拟开关 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 21 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 2.5V~5.5V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | adj |
| 输出电流 (IOUT) | 1.8A |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | SOT-26;WDFN2x2-6 |
| Topology | 电子开关模拟开关 |
| Control method | Power Switch |
| Internal resistance(mΩ) | 120 |
| Features | Adjustable Current Limit;Cycle-by-Cycle Current Limit;Enable Input;OCP;SCP |
| Reaction time | 0.02ms |
| Number of channels | 1 |
| Protections | 过流/过压/过温 |
| Iq (typ) (mA) | 0.12 |
| FLAG Indicator | Yes |
| Iocp Adjustable | Yes |
| Safety | UL |
产品详细介绍
CXAS42311B 120mΩ/1.8A可编程限流电源开关
75mA-1.8A宽范围编程 | ±10%精度 | 15kV ESD | SOT-23-6 / WDFN-6L
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年8月 | 型号:CXAS42311B | 封装:SOT-23-6 / WDFN-6L 2×2
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXAS42311B 是一款高性价比、低电压、单P-MOSFET高侧电源开关IC,专为USB应用设计,集成可编程电流限制功能。器件支持75mA至1.8A的宽范围电流限值(典型值),通过外部电阻即可灵活设置,±10%的限流精度确保在各种负载条件下提供准确可靠的过流保护。
CXAS42311B具有低导通电阻(120mΩ典型值)和低静态电流(120μA典型值),内置软启动功能有效限制启动浪涌电流,集成过温保护和反向输入-输出保护。芯片提供FLAG开漏故障指示输出,在过流、过温或反向电压条件下拉低,方便系统监控。器件具备15kV IEC 61000-4-2 ESD防护能力(加外部电容),并通过Nemko IEC62368-1认证,采用SOT-23-6和WDFN-6L 2×2两种封装,是USB集线器、USB外设、3G/4G数据卡和机顶盒等应用的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
在USB集线器、USB外设、3G/4G数据卡和机顶盒等应用中,系统需要灵活的电源分配和精确的过流保护。CXAS42311B作为一款可编程限流高侧P-MOSFET电源开关,集成了低导通电阻的功率开关和宽范围可编程电流限制控制电路,为各种USB和便携式应用提供全面的电源路径保护。
芯片通过外部电阻(RILIM)可简单设置电流限制阈值,范围覆盖75mA至1.8A(典型值),相比同系列产品提供更高的电流能力,满足更大功率USB应用的需求。其±10%的限流精度确保在各种工作条件下都能提供准确可靠的保护。内置的软启动功能有效控制输出电压上升斜率,限制大容性负载造成的浪涌电流,避免输入电压跌落。
CXAS42311B已通过Nemko IEC62368-1安全认证,并具备15kV IEC 61000-4-2 ESD防护能力(加外部电容),适合在严苛的静电环境中使用。器件提供SOT-23-6和WDFN-6L 2×2两种封装选项,满足不同PCB空间需求。该器件适用于USB总线/自供电集线器、USB外设端口、ACPI电源分配、电池供电设备、3G/4G数据卡和机顶盒等应用。
2. 主要特点与技术亮点
- 宽范围可编程电流限制:通过ILIM引脚外接电阻(15kΩ-232kΩ)设置75mA-1.8A的限流阈值(典型值),ILIM短接至VIN时限流75mA,灵活适配各种应用需求。
- 高精度限流:±10%的电流限制精度(@1.3A),确保过流保护的准确性和可靠性。
- 低导通电阻P-MOSFET:典型值120mΩ,降低导通损耗,提高系统效率。
- 低静态电流:典型值120μA,关断电流仅1μA(典型值),适合电池供电和低功耗应用。
- 内置软启动:控制输出电压上升斜率,有效限制容性负载的浪涌电流。
- 过温保护(OTP):结温过高时自动关断MOSFET,防止器件过热损坏。
- 反向电压保护:当VOUT > VIN时(典型值135mV),MOSFET快速关断,防止反向电流倒灌。
- FLAG故障指示:开漏输出,过流、过温或反向电压时拉低,去抖时间典型值7.5ms。
- 宽输入电压范围:2.5V至5.5V,兼容多种系统电源。
- 高ESD防护:15kV IEC 61000-4-2防护能力(加外部电容),增强系统抗静电能力。
- Nemko IEC62368-1认证:满足安全和可靠性标准要求。
3. 技术参数与电气特性
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN | 供电输入电压 | -0.3 | 6.5 | V |
| 其他引脚 | EN, ILIM, FAULT等 | -0.3 | 6 | V |
| PD | 功耗(TA=25°C)SOT-23-6 | — | 0.4 | W |
| PD | 功耗(TA=25°C)WDFN-6L | — | 0.606 | W |
| TJ | 结温 | -40 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN 输入电压 | 2.5 | — | 5.5 | V |
| 环境温度范围 | -40 | — | 85 | °C |
| 结温范围 | -40 | — | 125 | °C |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| EN 逻辑高阈值 | — | 1.1 | V |
| EN 逻辑低阈值 | — | 0.66 | V |
| 限流设置电阻范围 | — | 15~232 | kΩ |
| UVLO 上升阈值 | — | 2.3 | V |
| UVLO 下降阈值 | — | 2.1 | V |
| 关断电流 | VEN=0V, VIN=3.6V | 1 | μA |
| 静态电流 | IOUT=0A, RILIM=20kΩ | 120 | μA |
| 反向漏电流 | VOUT=5V, VIN=0V | 1 | μA |
| 导通电阻(RDS(ON)) | ISW=0.2A | 120 | mΩ |
| 反向电压比较器阈值 | VOUT - VIN | 135 | mV |
| 限流值(RILIM=20kΩ) | — | 1295 | mA |
| 限流值(RILIM=49.9kΩ) | — | 520 | mA |
| 限流值(RILIM=210kΩ) | — | 130 | mA |
| 限流值(ILIM短接至VIN) | — | 75 | mA |
| FAULT输出低电平 | IFAULT=1mA | 180 | mV |
| FAULT去抖时间 | 过流条件 | 7.5 | ms |
4. 应用场景
- USB总线/自供电集线器:为USB集线器的下行端口提供电源分配和保护。
- USB外设端口:为USB外设设备提供电源开关和过流保护。
- ACPI电源分配:高级配置和电源接口系统中的电源分配。
- 电池供电设备:低静态电流,适合便携式电池供电设备。
- 3G/3.5G数据卡:为无线数据卡提供电源管理。
- 机顶盒(Set-Top Boxes):为机顶盒内部USB端口提供电源保护。
5. 功能框图
图1. CXAS42311B 内部功能方框图
内部集成:P-MOSFET功率开关、可编程电流限制放大器、软启动控制、过温保护(OTP)、反向电压检测、FAULT故障指示逻辑、EN使能控制等。
6. 典型应用电路

图2. CXAS42311B 典型应用电路(USB电源分配)
典型应用电路包括:VIN输入(2.5V-5.5V)并联10μF陶瓷电容,VOUT输出连接USB端口,ILIM引脚通过电阻(15kΩ-232kΩ)设置电流限制阈值,EN引脚连接系统使能控制信号(高电平导通),FAULT引脚外接上拉电阻(如100kΩ)至系统电压。VIN和VOUT之间连接P-MOSFET功率开关,GND连接地,Exposed Pad焊接至大面积地平面。详细元件选型请参考数据手册。
7. 引脚配置与功能描述
图3. CXAS42311B 引脚配置图(SOT-23-6 / WDFN-6L 2×2封装)
6引脚 SOT-23-6 和 WDFN 2×2封装,底部散热焊盘(Exposed Pad)。
主要引脚包括:VIN(电源输入)、VOUT(输出)、ILIM(限流设置)、FAULT(开漏故障指示)、EN(使能控制,高电平有效)、GND(地)、Exposed Pad(散热焊盘,需接地)。SOT-23-6和WDFN-6L引脚分配略有不同,请参考数据手册。
8. 工作原理与设计指导
8.1 可编程电流限制
CXAS42311B通过ILIM引脚外接电阻(RILIM)设置电流限制阈值。推荐RILIM范围为15kΩ至232kΩ,对应的限流值范围为75mA至1.8A(典型值)。当ILIM引脚短接至VIN时,限流值为75mA(典型值)。当负载电流超过设定的限流阈值时,器件进入恒流模式,输出电流被限制在设定值。建议使用1%精度电阻以获得最佳的限流精度。
需要注意,限流值较低时(如250mA以下),FAULT故障指示的触发偏移可能引起较大误差。例如250mA设置下,FAULT触发最小电流可能为150mA(约40%误差)。
8.2 电流折返与短路保护
当输出电流超过限流阈值时,器件进入恒流模式。在严重过载或短路条件下,器件将维持恒流输出直至热关断触发或故障消除。这种机制有效保护MOSFET和下游端口免受大电流损坏。
8.3 FAULT故障指示
FAULT为开漏输出,需外接上拉电阻(推荐100kΩ)。当发生过流、过温或反向电压故障时,FAULT引脚被拉低。FAULT信号具有典型值7.5ms的去抖时间,有效消除热插拔或容性负载瞬态引起的误触发。
8.4 软启动
芯片内置软启动功能,在EN引脚被拉高后,输出电压以受控的斜率上升,有效限制大容性负载(如USB端口)的浪涌电流,防止输入电压跌落。
8.5 反向电压保护
当VOUT电压高于VIN电压超过135mV(典型值)时,反向电压比较器触发,内部MOSFET快速关断,防止电流从输出端倒灌至输入端,保护上游电源和器件。
8.6 过温保护(OTP)
当结温超过150°C时,过温保护电路触发,MOSFET关断。温度降至安全范围后,器件自动恢复工作。
8.7 欠压锁定(UVLO)
UVLO电路在输入电压低于约2.1V时关断MOSFET,防止器件在欠压条件下异常工作。输入电压超过约2.3V时,MOSFET恢复正常导通。
9. 限流电阻选型指南
下表为推荐的RILIM电阻值与限流值对应关系(包含电阻公差影响):
| 目标限流 (mA) | 理想电阻 (kΩ) | 1%电阻 (kΩ) | 实际限流最小值 (mA) | 实际限流标称值 (mA) | 实际限流最大值 (mA) |
|---|---|---|---|---|---|
| 75 | — | 短接至VIN | 50.0 | 75.0 | 100.0 |
| 120 | 226.1 | 226.0 | 101.3 | 120.0 | 142.1 |
| 200 | 134.0 | 133.0 | 173.7 | 201.5 | 233.9 |
| 300 | 88.5 | 88.7 | 262.1 | 299.4 | 342.3 |
| 400 | 65.9 | 66.5 | 351.1 | 396.7 | 448.7 |
| 500 | 52.5 | 52.3 | 443.9 | 501.6 | 562.4 |
| 600 | 43.5 | 43.2 | 535.1 | 604.6 | 674.1 |
| 700 | 37.2 | 37.4 | 616.0 | 696.0 | 776.0 |
| 800 | 32.4 | 32.4 | 708.7 | 800.8 | 892.9 |
| 900 | 28.7 | 28.7 | 797.8 | 901.5 | 1005.2 |
| 1000 | 25.8 | 26.1 | 875.4 | 989.1 | 1102.8 |
| 1100 | 23.4 | 23.2 | 982.1 | 1109.7 | 1237.3 |
| 1200 | 21.4 | 21.5 | 1057.9 | 1195.4 | 1332.9 |
| 1300 | 19.7 | 19.6 | 1158.0 | 1308.5 | 1459.0 |
| 1400 | 18.5 | 18.7 | 1225.7 | 1385.0 | 1544.3 |
| 1500 | 17.3 | 17.4 | 1317.3 | 1488.5 | 1659.7 |
| 1600 | 16.2 | 16.2 | 1414.8 | 1598.7 | 1782.6 |
| 1700 | 15.2 | 15.0 | 1528.1 | 1726.7 | 1925.3 |
| 1800 | 14.4 | 14.3 | 1602.9 | 1811.2 | 2019.5 |
10. 外部元件选型与布局建议
10.1 输入电容
- 推荐在VIN与GND之间连接10μF低ESR陶瓷电容,尽可能靠近IC引脚放置,防止热插拔时输入电压跌落。
10.2 输出电容
- 商用应用(0°C-70°C):支持高达120μF的输出电容。
- 工业应用(-40°C-125°C):建议输出电容小于50μF,以确保正常启动。
10.3 FAULT上拉电阻
- 推荐使用100kΩ上拉电阻至系统电压。
10.4 PCB布局
- 输入和输出电容尽量靠近IC引脚放置,并连接至地平面以降低噪声耦合。
- GND应连接至大面积地平面,以增强散热性能。
- 主电流走线尽量短而宽,降低阻抗和压降。
- Exposed Pad(散热焊盘)必须焊接至大面积地平面,多个过孔散热。
11. 热性能信息
| 封装 | θJA(°C/W) | 最大功耗(TA=25°C) |
|---|---|---|
| SOT-23-6 | 250 | 0.4W |
| WDFN-6L 2×2 | 165 | 0.606W |
最大功耗计算(SOT-23-6):PD(MAX) = (125°C - 25°C) / (250°C/W) = 0.4W
12. 订购信息与技术支持
CXAS42311B采用SOT-23-6和WDFN-6L 2×2两种封装,无铅、RoHS合规,符合Nemko IEC62368-1认证。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和FAE现场支持。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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