CXDC65247CJ IMVP8兼容CPU电源控制器
G-NAVP™ | 4/3/2/1相CORE VR + 3/2/1相AXG VR | SVID接口 | 0.5% DAC精度

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年4月 | 型号：CXDC65247CJ | 封装：WQFN-56L 6x6

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXDC65247CJ 是一款符合IMVP8规范的CPU电源控制器，包含两个电压轨：用于CORE VR的4/3/2/1相同步Buck控制器，以及用于AXG VR的3/2/1相同步Buck控制器。CXDC65247CJ采用G-NAVP™（Green Native AVP）拓扑，这是基于有限直流增益误差放大器与电流模式控制的专有技术，使其能够轻松设置droop以满足Intel CPU的所有AVP（自适应电压定位）要求。基于G-NAVP™拓扑，CXDC65247CJ还具备快速响应机制，在负载瞬态期间优化AVP性能。芯片支持多种工作状态模式转换，内置串行VID（SVID）接口与Intel IMVP8兼容CPU通信，支持Fast、Slow和Decay三种转换速率。CXDC65247CJ内置高精度DAC，将SVID代码转换为0.25V至1.52V输出电压，步进5mV。集成的高精度ADC用于平台设置功能，如快速响应触发电平或过流电平。芯片还提供VR就绪输出信号，并具备完整的故障保护功能，包括过压（OV）、负压（NV）、过流（OC）和欠压锁定（UVLO）。CXDC65247CJ采用WQFN-56L 6x6小尺寸封装。

1. 产品概述与市场定位

在笔记本电脑、台式机和服务器中，CPU核心供电需要高精度、高效率且满足Intel IMVP8规范的电源管理方案。CXDC65247CJ 作为一款IMVP8兼容的CPU电源控制器，其核心价值在于将 多相CORE VR控制、多相AXG VR控制、SVID通信 和 高精度ADC 集成于单一芯片，显著简化CPU供电设计。

CXDC65247CJ 采用 G-NAVP™拓扑，这是基于有限直流增益误差放大器与电流模式控制的专有技术，使droop设置变得简单。G-NAVP™拓扑还使工作频率随VID、负载和输入电压变化，即使在CCM模式下也能进一步提升效率。此外，G-NAVP™结合CCRCOT（恒定电流纹波恒定导通时间）技术，在整个输入/输出范围内提供优异的输出电压纹波。芯片支持 多相、单相和二极管仿真模式（DEM） 等多种工作状态转换，允许整个电源控制系统实现最低功耗。CXDC65247CJ 支持 DCR和检测电阻电流检测，提供CORE VR和AXG VR的电源就绪信号，并具备完整的故障保护功能，包括过压、负压、过流和欠压锁定。

2. 主要特点与技术亮点

• IMVP8兼容：满足Intel IMVP8串行VID接口规范，支持CORE和AXG双路输出。
• 4/3/2/1相CORE VR：支持多相操作，可根据负载动态调整相数。
• 3/2/1相AXG VR：独立多相Buck控制器，支持外部驱动器。
• G-NAVP™拓扑：有限直流增益补偿器与电流模式控制，轻松设置AVP，满足Intel负载线要求。
• SVID接口：内置串行VID接口，与Intel IMVP8 CPU通信，支持Fast、Slow、Decay三种转换速率。
• 高精度DAC：0.5%精度，输出电压范围0.25V至1.52V，5mV步进。
• 差分远端电压检测：消除PCB走线、CPU内部走线和插座接触电阻的影响。
• 内置ADC：用于平台设置，如快速响应触发电平、过流电平、最大电流和最大温度设置。
• 精确电流平衡：内部电流平衡机制，确保各相电流均衡。
• 温度补偿AVP：支持NTC热敏电阻温度补偿，保持全温度范围内输出精度。
• 二极管仿真模式：轻载条件下单相DEM操作，提高轻载效率。
• 快速瞬态响应：G-NAVP™拓扑与快速响应机制，优化负载瞬态性能。
• VR就绪指示：PGOOD输出，指示电源正常。
• 热节流：VR_HOT输出，支持温度监测和热保护。
• 电流监测输出：IMON/IMONA引脚输出与负载电流成比例的电压。
• 全面保护：OVP、OCP、NVP、UVLO，确保系统安全。
• Slew Rate设置/地址翻转：支持转换速率设置和VR地址灵活配置。
• DVD增强：动态VID补偿，加快稳定时间。
• WQFN-56L封装：6x6mm紧凑封装，RoHS合规，无卤素。

3. 典型应用电路

CXDC65247CJ的典型应用电路包含：VCC供电，CORE VR连接4相功率级（通过驱动器+MOSFET+电感），AXG VR连接3相功率级，SVID接口连接CPU（PGOOD、VR_HOT、VCLK、VDIO、ALERT），电流检测采用电感DCR或检测电阻，差分远端检测连接VCC_SENSE和VSS_SENSE，IMON/IMONA电流监测输出，以及各种设置引脚（SET1、SET2、SET3、SETA1、SETA2、TONSET、TONSETA、IBIAS、TSEN、TSENA等）。

图2. 典型应用电路

引脚封装图

4. 极限参数与电气特性（设计参考）

5. 工作原理与设计指导

5.1 G-NAVP™控制模式

CXDC65247CJ 采用 G-NAVP™控制器，这是一种带直流偏移消除的电流模式恒定导通时间控制。该方法不仅能改善直流偏移问题以提高系统精度，还能提供快速瞬态响应。当电流反馈信号达到COMP信号时，CXDC65247CJ产生一个导通时间宽度以实现PWM调制。

5.2 SVID接口与动态VID

CXDC65247CJ 内置 SVID接口，支持SetVID_Fast、SetVID_Slow、SetVID_Decay等命令，与Intel IMVP8 CPU通信。支持动态VID增强功能，通过SET1/SET2引脚建立虚拟充电电流信号，抵消实际感应充电电流信号，减少droop效应，使输出电压更快稳定到目标值。

5.3 工作模式转换

CXDC65247CJ 支持多种工作模式转换，包括PS0（全相CCM）、PS1（单相CCM）、PS2（单相DEM）。通过SetPS命令切换，优化不同负载条件下的效率。CORE VR支持4/3/2/1相操作，AXG VR支持3/2/1相操作。

5.4 电流检测与平衡

CXDC65247CJ 支持 DCR和检测电阻电流检测。内部电流平衡机制比较各相电流与平均电流，自动调整各相导通时间，实现精确均流。总电流检测方法只需一个NTC电阻进行温度补偿，节省NTC电阻成本。

5.5 保护功能

• 过压保护（OVP）：VSEN超过VID+350mV（VID>1V）或1V+350mV（VID<1V）时触发，锁存并关断高侧MOSFET，开启低侧MOSFET。
• 负压保护（NVP）：OVP锁存期间，VSEN低于-0.07V时触发，关断低侧MOSFET。
• 过流保护（OCP）：通过SET1/SETA1引脚设置阈值，逐周期限流，连续15周期触发锁存。
• 欠压锁定（UVLO）：VCC或DVD低于POR阈值时触发，关断所有驱动器。
• 热保护：TSEN/TSENA引脚监测VR温度，VR_HOT输出报警，支持温度区域报告。

5.6 电流监测与温度监测

CXDC65247CJ 提供IMON/IMONA电流监测输出，电压与负载电流成比例，通过ADC转换为数字格式存储于寄存器。TSEN/TSENA引脚监测VR温度，ADC转换后存储于Temperature_Zone寄存器，支持SVID热报警。

6. 基于CXDC65247CJ的笔记本CPU供电设计实例

设计目标：一款IMVP8兼容的笔记本CPU供电方案，CORE VR采用4相Buck，AXG VR采用3相Buck，输入电压12V，输出电压0.25V-1.52V可调，最大电流110A（CORE）+90A（AXG）。

• 系统配置：选用CXDC65247CJ，VCC接5V。CORE VR使用4个外部驱动器+MOSFET+电感。AXG VR使用3个外部驱动器+MOSFET+电感。SVID接口连接CPU，PGOOD、VR_HOT、VCLK、VDIO、ALERT信号正确连接。
• 参数设置：SET1/SETA1设置ICCMAX和OCP阈值，SET2/SETA2设置QR阈值和宽度，SET3设置VR地址和AI增益，TONSET/TONSETA设置On-Time，IBIAS连接100kΩ电阻到地。
• 保护设计：OVP、OCP、NVP、UVLO全面启用，TSEN/TSENA连接NTC热敏电阻实现温度监测和补偿。
• PCB布局：输入电容靠近高侧MOSFET漏极和低侧MOSFET源极，功率回路最小化，电流检测采用Kelvin连接，高速开关节点远离敏感模拟区域。

7. PCB布局建议

• 输入电容：陶瓷输入电容尽可能靠近高侧MOSFET漏极和低侧MOSFET源极，最小化功率回路。
• 高电流路径：保持短而宽，特别是接地端子。
• 功率走线：保持短，这是实现高效率的关键。
• 电流检测：ISENxP和ISENxN采用Kelvin连接，确保电流检测精度。
• 高速开关节点：远离敏感模拟区域（COMP、FB、ISENxP、ISENxN等）。
• 散热：WQFN-56L 6x6封装，散热焊盘连接大面积地平面，至少5个过孔连接至内部地平面。

8. 订购信息与技术支持

CXDC65247CJ 采用 WQFN-56L 6x6 封装，无铅、RoHS合规，无卤素。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和FAE现场支持。