CXDR75152 微功耗电压检测器 | 手动复位 | 1.2V-5V阈值 | 3μA功耗 | CMOS输出 - 嘉泰姆电子

CXDR75152 微功耗电压检测器 | 手动复位 | 1.2V-5V阈值 | 3μA功耗 | CMOS输出 - 嘉泰姆电子

产品型号:CXDR75152
产品类型:电压检测/复位IC
产品系列:监控与重置 IC重置 IC
产品状态:量产
浏览次数:12 次
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产品简介

CXDR75152 是一款微功耗电压检测器,内置手动复位输入,支持1.2V-5V固定阈值检测,精度±1.5%,功耗仅3μA,CMOS推挽输出,提供0ms/55ms/220ms/450ms复位延迟选项,采用SC-82/SOT-143封装。嘉泰姆电子提供完整方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)0.9V~6V
输出电压 (VOUT)adj
输出电流 (IOUT)500mA
工作频率1000kHz
转换效率95%
封装类型SOT-143;SC-82
Detection voltage0.9V~6V
Detection accuracy±1.5%
Reset delay0.02ms
Output type监控与重置 IC重置 IC
Detection direction上升沿/下降沿
Temperature range-40℃~125℃
Features低功耗/高精度
ApplicationMCU复位/电压监控
Power consumption1μA
VTH (min) (V)1.2
VTH (max) (V)5
Accuracy (±%)1.5
Reset Active TypeLow
Reset Time-out Period (typ) (ms)55

产品详细介绍

CXDR75152 微功耗电压检测器
手动复位 | 1.2V-5V固定阈值 | 精度±1.5% | 功耗3μA | CMOS推挽输出

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年8月 | 型号:CXDR75152 | 封装:SC-82 / SOT-143

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXDR75152 是一款微功耗电压检测器,内置手动复位(MR)输入,专为微处理器(µP)和数字系统的电源电压监控而设计。该器件提供1.2V至5V范围内以0.1V步进的固定检测阈值,覆盖大多数数字应用需求,并具有±1.5%的高精度仅3µA的超低供电电流

CXDR75152通过监测VDD电压实现系统复位功能:当VDD电压低于预设阈值时,RESET推挽输出被拉低并持续到VDD恢复。当VDD回升超过阈值后,复位信号经过可选的延迟时间(0ms、55ms、220ms或450ms)后释放。通过将手动复位输入(MR)拉低,可随时强制触发复位。与开漏输出版本不同,CXDR75152采用CMOS推挽输出,无需外接上拉电阻,可直接驱动CMOS逻辑电路。器件提供SC-82和SOT-143两种封装选项,是便携式设备、智能仪器和电池供电系统的理想选择。

核心优势: 1.2V-5V固定阈值(0.1V步进)| 精度±1.5% | 功耗3µA | 内置手动复位 | 复位延迟可选(0/55/220/450ms)| CMOS推挽输出 | SC-82/SOT-143小封装 | 无需外部元件。

1. 产品概述与市场定位

在微处理器和数字系统中,电源电压的稳定监控至关重要。CXDR75152作为一款微功耗电压检测器,集成了精确的电压比较器、内部参考电压源、可编程复位延迟定时器和手动复位输入,为系统提供可靠的上电复位和掉电保护功能。

芯片支持1.2V至5V范围内以0.1V步进的固定阈值,用户无需外部电阻分压即可实现精确的电压监控。超低的3µA工作电流使其特别适合电池供电的便携设备。内置的手动复位(MR)输入允许用户随时强制复位,方便系统调试和故障恢复。CMOS推挽输出可直接驱动CMOS逻辑电路,无需外接上拉电阻,进一步简化系统设计并降低功耗。

CXDR75152提供四种复位延迟选项(0ms、55ms、220ms、450ms),可根据系统需求灵活选择,确保在VDD稳定后再释放复位信号。采用SC-82和SOT-143两种小封装选项,适用于计算机、控制器、智能仪器及便携/电池供电设备。

2. 主要特点与技术亮点

固定阈值检测1.2V-5V,0.1V步进
高精度±1.5%阈值精度
超低功耗工作电流仅3µA
手动复位输入MR引脚强制复位
可选复位延迟0/55/220/450ms
CMOS推挽输出无需上拉电阻
快速响应复位延迟<20µs
SC-82/SOT-143两种小封装可选
  • 固定阈值电压:1.2V至5V,以0.1V为步进,覆盖常见数字系统供电电压。
  • 高阈值精度:±1.5%精度(典型值),确保可靠的系统复位。
  • 超低功耗:供电电流典型值仅3µA,适合电池供电设备。
  • 手动复位输入(MR):外部逻辑低电平触发强制复位,方便系统调试。
  • 可编程复位延迟:提供0ms、55ms、220ms、450ms四种延迟选项,适应不同系统上电时序。
  • CMOS推挽输出:无需外接上拉电阻,可直接驱动CMOS逻辑电路,输出高电平为VDD,低电平为GND。
  • 快速响应:VDD低于阈值后,RESET在20µs内拉低。
  • 无需外部元件:内部集成精密参考源和定时器,简化设计。
  • 小型封装:提供SC-82和SOT-143两种小封装选项,节省PCB面积。

3. 技术参数与电气特性

极限参数 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VDD 供电电压 -0.3 6.0 V
其他输入 MR, RESET -0.3 VDD+0.3 V
IDD 输入电流 20 mA
PD 功耗(TA=25°C)SC-82 0.25 W
PD 功耗(TA=25°C)SOT-143 0.285 W
TJ 结温 -40 125 °C
ESD (HBM) 人体模型 2 kV
推荐工作条件
参数 最小值 典型值 最大值 单位
VDD 工作电压 0.9 6 V
环境温度范围 -40 85 °C
结温范围 -40 125 °C
关键电气特性 (VDD = 3V, TA = 25°C, 典型值)
参数 条件 典型值 单位
供电电流 VTH=3V, VDD=4.5V 3 μA
阈值电压精度 ±1.5 %
VDD下降复位延迟 VDROP = VTH -125mV 20 μs
复位延迟时间(A/E型) 0 ms
复位延迟时间(B/F型) 55 ms
复位延迟时间(C/G型) 220 ms
复位延迟时间(D/H型) 450 ms
RESET输出低电平 VDD < VTH, ISINK=3.5mA, VTH≥3V 0.4 V
RESET输出高电平 VDD > VTH, ISOURCE=800μA, VTH≥3V VDD-1.5 V
迟滞宽度 0.01×VTH V
MR输入低阈值 0.25×VDD V
MR输入高阈值 0.7×VDD V

4. 应用场景

  • 计算机:台式机、笔记本电脑的电源监控和复位控制。
  • 控制器:工业控制器、PLC的系统复位。
  • 智能仪器:测试设备、仪表的上电复位。
  • 关键µP/µC电源监控:为微处理器/微控制器提供可靠的复位信号。
  • 便携/电池供电设备:低功耗设计,延长电池寿命。

5. 功能框图

图1. CXDR75152 内部功能方框图
内部集成:精密电压基准、比较器、复位延迟定时器(0/55/220/450ms可选)、手动复位输入逻辑、CMOS推挽RESET输出驱动等。

6. 典型应用电路

典型应用电路
图2. CXDR75152 典型应用电路(µP电源监控)

典型应用电路包括:VDD引脚连接被监控的电源(如3.3V或5V),GND接地,RESET推挽输出直接连接µP/µC的复位输入引脚(无需上拉电阻),MR引脚连接外部手动复位按钮或控制器逻辑输出(低电平有效)。无需其他外部元件。对于SC-82封装,引脚1为GND,引脚2为RESET,引脚3为MR,引脚4为VDD(具体请参考数据手册引脚定义)。

7. 引脚配置与功能描述

图3. CXDR75152 引脚配置图(SC-82 / SOT-143封装)
SC-82(4引脚)和SOT-143(4引脚)小封装。

主要引脚包括:GND(地)、RESET(推挽复位输出,低电平有效)、MR(手动复位输入,低电平触发)、VDD(电源输入)。

8. 工作原理与设计指导

8.1 电压检测与复位

CXDR75152内部集成精密电压基准电压比较器。当VDD电压高于预设阈值(VTH)时,RESET输出为高电平(VDD)。当VDD电压降至VTH以下时,比较器翻转,RESET在20µs内被拉低,触发系统复位。RESET低电平状态持续到VDD回升超过VTH加上迟滞电压(约0.01×VTH)为止。

8.2 复位延迟时间

当VDD回升超过VTH后,复位信号不会立即释放,而是经过一个可编程的延迟时间。CXDR75152提供四种延迟选项:

  • 0ms(A/E型):VDD恢复后立即释放复位。
  • 55ms(B/F型):适用于大多数微处理器上电时序。
  • 220ms(C/G型):适用于需要更长时间稳定电源的应用。
  • 450ms(D/H型):适用于慢速上电或需要较长复位延时的系统。

用户可根据系统需求选择相应型号。

8.3 手动复位(MR)

MR引脚为低电平有效的手动复位输入。当MR被拉低至VIL以下时,无论VDD电压如何,RESET输出立即被拉低,并保持低电平直到MR恢复高电平且VDD高于VTH(并经过延迟时间)。该功能可用于系统调试、软件复位或外部故障恢复。

8.4 CMOS推挽输出

CXDR75152采用CMOS推挽输出,与开漏输出版本不同,推挽输出无需外接上拉电阻,可直接驱动CMOS逻辑电路。输出高电平为VDD(在驱动能力范围内),输出低电平为GND。这简化了系统设计,降低了功耗,并节省了PCB面积。

8.5 低功耗设计

CXDR75152在检测状态下仅消耗3µA(典型值)电流,非常适合电池供电设备。在VDD低于0.9V时,器件仍能保持低功耗状态,确保系统在欠压时仍能维持复位输出。

9. 外部元件选型与布局建议

9.1 外部元件

  • 去耦电容:VDD引脚建议并联0.1µF陶瓷电容,靠近IC放置,以滤除电源噪声。
  • 手动复位按钮:MR引脚可连接按键开关至地,建议串联限流电阻(如1kΩ)和上拉电阻(10kΩ)至VDD,确保电平稳定。由于MR内部有上拉结构(需确认),但外部上拉可增加抗干扰能力。
  • 无需上拉电阻:CMOS推挽输出直接驱动复位输入,无需外接上拉电阻。

9.2 PCB布局

  • 将VDD和GND走线尽量短而宽,降低阻抗。
  • 去耦电容靠近VDD引脚放置。
  • MR和RESET走线远离高频噪声源,避免误触发。
  • 若使用长走线,可考虑在MR和RESET引脚附近加小电容(如100pF)滤除毛刺。

10. 热性能信息

热参数 SC-82 SOT-143 单位
θJA(JEDEC标准) 400 350 °C/W

最大功耗计算(SC-82, TA=25°C):PD(MAX) = (125°C - 25°C) / (400°C/W) = 0.25W

最大功耗计算(SOT-143, TA=25°C):PD(MAX) = (125°C - 25°C) / (350°C/W) = 0.285W

11. 订购信息与技术支持

CXDR75152提供多种阈值电压和延迟时间组合,采用SC-82SOT-143两种封装选项,无铅、RoHS合规。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括参考设计和FAE现场支持。

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