CXLC89113 双输出AMOLED偏压芯片 | 4.6V正输出 | -0.6V至-2.4V可调负输出 | SWIRE编程 - 嘉泰姆电子

CXLC89113 双输出AMOLED偏压芯片 | 4.6V正输出 | -0.6V至-2.4V可调负输出 | SWIRE编程 - 嘉泰姆电子

产品型号:CXLC89113
产品类型:显示屏驱动
产品系列:栅极驱动器与 DrMOS栅极驱动器
产品状态:量产
浏览次数:7 次
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产品简介

CXLC89113 是一款双输出AMOLED偏压芯片,集成Boost、LDO和反相电荷泵,支持2.5V-4.6V输入,固定4.6V正输出,负输出-0.6V至-2.4V可调(SWIRE编程),最大55mA输出电流,采用WL-CSP-15B封装。嘉泰姆电子提供完整AMOLED偏压方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)2.5 - 4.6V
输出电压 (VOUT)40V
输出电流 (IOUT)1A
工作频率6MHz
转换效率95%
封装类型WL-CSP1.39x2.07-15(BSC)
TopologyLCD与OLED显示屏电源液晶屏偏置电源
Dimming methodPWM调光
Dimming ratio1000:1
ProtectionOVP/OCP/OTP
FeaturesCurrent Mode Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;Enable Input;Fast Transient Response;Internal Compensation;OCP;SCP;UVP
Pwm frequency20kHz
Application typeOLED for Watch
Led voltage4.6
Number of Boost Converters1
Number of Negative Outputs1
Number of LDO Regulators1
Number of Channels3

产品详细介绍

CXLC89113 双输出AMOLED偏压芯片
Boost+LDO+反相电荷泵 | 55mA输出 | SWIRE编程 | WL-CSP-15B封装

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLC89113 | 封装:WL-CSP-15B(1.39×2.07mm)

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLC89113 是一款高度集成的双输出AMOLED偏压芯片,专为便携设备AMOLED显示屏供电设计。芯片内部集成了同步Boost升压转换器、低压差线性稳压器(LDO)以及反相电荷泵,可同时提供稳定的正、负输出偏压。输入电压范围 2.5V至4.6V,正输出固定 4.6V,负输出可通过 SWIRE单线接口-0.6V至-2.4V 范围内以100mV步进编程。芯片采用自动模式切换的分数电荷泵(-0.33x/-0.5x),在全负载范围内保持高效率,最大输出电流达 55mA。CXLC89113 集成软启动、快速放电、UVLO、OCP、SCP、OTP 等完善保护功能,关断电流低于 1μA,采用 WL-CSP-15B(1.39×2.07mm) 超小封装,是智能手机、智能手表、AR/VR眼镜等AMOLED显示设备的理想偏压解决方案。

核心优势: 双输出AMOLED偏压 | 2.5V-4.6V宽输入 | 4.6V固定正输出 | -0.6V至-2.4V可调负输出(SWIRE编程) | 自动模式切换电荷泵 | 55mA输出能力 | 集成软启动与快速放电 | 完善保护(UVLO/OCP/SCP/OTP) | 关断电流<1μA | WL-CSP-15B超小封装。

1. 产品概述与市场定位

在智能手机、智能手表、AR/VR眼镜等便携设备中,AMOLED显示屏因其高对比度、低功耗和快速响应等优势而成为主流显示技术。AMOLED面板需要两组稳定的偏压电源:一组正电压(通常为4.6V)为驱动电路供电,一组负电压(通常为-1.0V至-2.4V)用于像素关断控制。CXLC89113 作为一款 双输出AMOLED偏压芯片,其核心优势在于 高度集成的架构——单个芯片同时集成了Boost转换器、LDO和反相电荷泵,无需外部多个分立器件,极大简化了系统设计并节省PCB面积。

芯片的 SWIRE单线接口 使得负输出电压可通过一颗MCU的单个GPIO引脚进行编程,无需I2C或SMBus等复杂总线,节省引脚资源。自动模式切换的 分数电荷泵(-0.33x/-0.5x) 可在不同负载条件下自动选择最优工作模式,显著提升轻载效率。CXLC89113 采用 WL-CSP-15B(1.39×2.07mm) 超小封装,是空间受限的便携设备AMOLED偏压方案的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

双输出偏压正4.6V + 负可调
宽输入电压2.5V-4.6V
负压可编程SWIRE接口,-0.6V至-2.4V
自动模式切换-0.33x/-0.5x电荷泵
55mA输出正负双路输出能力
超低关断电流<1μA
快速放电可编程放电功能
完善保护UVLO/OCP/SCP/OTP
  • 高度集成:单芯片集成Boost、LDO和反相电荷泵,无需外部分立偏压器件。
  • 固定正输出:VOP固定4.6V输出,精度高,满足AMOLED驱动电压要求。
  • 可编程负输出:通过SWIRE引脚单线编程,-0.6V至-2.4V范围,100mV步进,共20档可选。
  • 自动模式切换电荷泵:根据负载条件自动在-0.33x和-0.5x模式间切换,优化全负载效率。
  • 软启动:内置软启动电路,有效抑制启动浪涌电流,保护系统电源。
  • 快速放电功能:可通过SWIRE脉冲使能输出放电,在关断或故障时快速泄放输出电容电荷。
  • 全面保护:包括UVLO(欠压锁定)、OCP(逐周期过流保护)、SCP(短路保护)、OTP(过温保护)。
  • 超低功耗:关断模式静态电流小于1μA,延长电池待机时间。
  • 超小封装:WL-CSP-15B(1.39×2.07mm),适合空间受限的便携设备。

3. 典型应用电路

CXLC89113 的典型应用电路包括:输入电容(CIN,4.7μF)、功率电感(L1,2.2μH)、Boost输出电容(CBOOST,20μF)、正输出电容(COP,10μF)、负输出电容(CON,30μF)、飞电容(CF1和CF2,各1μF)。输入电压VIN(2.5V-4.6V)经过Boost升压至约5.2V(内部节点),一路经LDO稳压输出VOP=4.6V,另一路驱动反相电荷泵产生VON负输出。SWIRE引脚连接MCU的GPIO,用于使能控制和负电压编程。VON输出范围-0.6V至-2.4V,通过SWIRE脉冲数设定。

典型应用电路
图1. 典型应用电路(AMOLED双输出偏压)

图2. CXLC89113 内部功能方框图
内部集成:同步Boost升压转换器、LDO线性稳压器(VOP=4.6V)、反相电荷泵控制器(含-0.33x/-0.5x自动模式切换)、SWIRE解码器、软启动控制、快速放电控制、UVLO/OCP/SCP/OTP保护电路、参考电压源、振荡器等。

4. 极限参数与电气特性(设计参考)

极限参数 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VIN 输入电压 -0.3 6 V
VOP 正输出引脚 -0.3 6 V
VON 负输出引脚 -6 0.3 V
其他引脚 控制/逻辑引脚 -0.3 6 V
PD 功耗(TA=25°C) 2 W
θJA 热阻(WL-CSP-15B) 49.8 °C/W
TJ 结温范围 -40 150 °C
TSTG 存储温度 -65 150 °C
ESD (HBM) 人体模型 2 kV
推荐工作条件
参数 最小值 最大值 单位
VIN 输入电压 2.5 4.6 V
VOP 正输出电压 4.6 V
VON 负输出电压范围 -2.4 -0.6 V
环境温度 -40 85 °C
结温 -40 125 °C
关键电气特性 (VIN=3.7V, TA=25°C, 典型值)
参数 条件 典型值 单位
输入电压范围 2.5 – 4.6 V
UVLO 阈值(上升) VIN 上升 2.2 V
UVLO 阈值(下降) VIN 下降 2.1 V
关断电流 SWIRE=0V <1 μA
正输出电压 VOP 4.6 V
负输出电压 VON 范围 SWIRE 编程 -2.4 至 -0.6 V
VON 步进 每脉冲 100 mV
最大输出电流 VOP + VON 总负载 55 mA
效率(1mA负载) VIN=3.7V, VOP=4.6V, VON=-2.4V 58 %
效率(5mA负载) 同上 75 %
效率(15mA负载) 同上 83 %
OTP 过温保护 140 °C
OTP 迟滞 15 °C
SWIRE 低电平时间(关断) 350 μs
开关频率 Boost 转换器 1.5 MHz

5. 工作原理与设计指导

5.1 双输出架构

CXLC89113 采用 Boost+LDO+反相电荷泵 三合一架构。输入电压 VIN(2.5V-4.6V)首先经同步Boost升压转换器提升至内部节点(约5.2V),一路通过高精度LDO稳压输出 VOP=4.6V,为AMOLED驱动电路提供正偏压;另一路驱动反相电荷泵控制器,通过飞电容(C1、C2)和内部开关网络产生负电压 VON。负输出通过 SWIRE单线接口 编程设定,范围-0.6V至-2.4V,步进100mV。

5.2 负电压编程(SWIRE 接口)

SWIRE 引脚实现单线通信协议,通过GPIO脉冲计数来设定 VON 输出电压。芯片内部对SWIRE引脚上的脉冲个数进行计数,根据计数值选择对应的 VON 电压档位。默认值(0脉冲)为-2.4V,每增加1个脉冲,VON 绝对值减小0.1V,直至19个脉冲对应-0.6V。20个脉冲对应0V(负输出关闭/高阻)。当 SWIRE 引脚持续低电平超过 350μs 时,芯片进入关断模式,静态电流低于1μA。

VON 电压 = -2.4V + (N × 0.1V),其中 N = 0 至 19;N=20 时 VON=0V(关闭)

这种编程方式无需I2C/SMBus等复杂总线,仅需MCU一个GPIO引脚即可完成电压配置,极大简化系统设计并节省引脚资源。

5.3 自动模式切换电荷泵

反相电荷泵支持 -0.33x 和 -0.5x 两种工作模式,根据负载电流和输入电压条件自动切换。在轻载条件下(如待机或低亮度显示),电荷泵工作在 -0.33x 模式,开关损耗更低,效率更高;在重载条件下(如高亮度显示),自动切换至 -0.5x 模式,提供更强的驱动能力。这种自适应模式切换策略确保芯片在全负载范围内均保持较高效率。

5.4 软启动与快速放电

芯片内置 软启动电路,在启动过程中通过内部斜率补偿控制输出电压缓慢上升,有效抑制启动浪涌电流,避免对输入电源和AMOLED面板造成冲击。软启动时间由内部电路设定,典型值约 1ms。

快速放电功能 可通过SWIRE脉冲(21个脉冲)使能。使能后,在芯片关断或发生故障时,VOP 和 VON 输出端内部放电电路将输出电容电荷快速泄放至地,确保AMOLED面板在断电后快速关断,避免残影或显示异常。放电时间约 20ms,之后输出进入高阻态。该功能默认禁用,输出在关断时直接进入高阻态。

5.5 保护机制

  • UVLO(欠压锁定):当 VIN 低于 2.1V 时,芯片自动关断,防止电池深度放电或输入欠压导致的异常工作;当 VIN 回升至 2.2V 以上时,芯片恢复正常工作。
  • OCP(过流保护):逐周期电感电流限制,当电感电流超过设定阈值时,功率开关立即关断,防止过流损坏芯片。
  • SCP(短路保护):当 VOP 或 VON 输出对地短路时,芯片检测到输出电压异常,持续约 1ms 后触发保护,芯片进入关断模式。需通过 SWIRE 引脚重新触发(低电平至高电平转换)才能恢复工作。
  • OTP(过温保护):当芯片结温超过 140°C 时,芯片自动关断以防止过热损坏;当温度降至 125°C 以下时,芯片自动恢复工作。

6. 基于 CXLC89113 的 AMOLED 偏压设计实例

设计目标:一款高端智能手表,采用1.5英寸圆形AMOLED显示屏,需要 VOP=4.6V(50mA峰值)、VON=-2.0V(5mA),输入来自单节锂离子电池(3.0V-4.4V)。

  • 系统配置:选用 CXLC89113,VIN 连接电池(3.0V-4.4V),VOP 输出 4.6V 为 AMOLED 驱动电路供电,VON 编程为 -2.0V 为像素关断提供负偏压。
  • 参数设置:SWIRE 脉冲计数设定为 4(对应 -2.0V)。输入电容 CIN=4.7μF(0603 X5R),功率电感 L1=2.2μH(屏蔽型),飞电容 CF1=CF2=1μF(0402 X5R),Boost 输出电容 CBOOST=20μF,VOP 输出电容 COP=10μF,VON 输出电容 CON=30μF。
  • 工作过程:系统上电后,MCU 通过 SWIRE 引脚发送 4 个脉冲配置 VON=-2.0V,然后拉高 SWIRE 使能芯片。CXLC89113 启动软启动,VOP 和 VON 平稳上升至设定值。在 AMOLED 显示过程中,芯片根据负载自动切换电荷泵模式以优化效率。当系统进入待机或关机时,MCU 可将 SWIRE 拉低超过 350μs 关闭芯片,静态电流 <1μA。
  • PCB 布局:功率电感 L1 靠近 LX 引脚,飞电容 CF1/CF2 靠近 C1P/C1N/C2P/C2N 引脚,输入输出电容靠近芯片引脚放置,模拟地(GND)和功率地(PGND)单点连接。
设计支持: 嘉泰姆电子提供 CXLC89113 评估板、参考设计(原理图、BOM、PCB 布局)及 FAE 技术支持,助力客户快速完成 AMOLED 偏压方案设计。

7. PCB 布局建议

  • 功率组件靠近 IC:将电感 L1、输入电容 CIN、飞电容 CF1/CF2 等功率组件尽可能靠近 CXLC89113 对应引脚放置,减小寄生电感和电阻。
  • LX 节点最小化:Boost 转换器的 LX 开关节点是主要噪声源,应尽量减小其面积,避免噪声耦合到敏感信号走线。
  • 电容紧贴引脚:输入电容 CIN 靠近 VIN 和 GND 引脚;飞电容 CF1/CF2 靠近 C1P/C1N/C2P/C2N 引脚;输出电容 COP/CON 靠近 VOP/VON 引脚,以降低 ESR 和 ESL 影响。
  • 地线分割:功率地(PGND)和模拟地(GND)应分开布线,在芯片底部或单点处连接。避免功率地电流流经模拟地回路,防止地弹噪声影响电压精度。
  • SWIRE 走线:SWIRE 信号走线应远离 LX 等噪声源,必要时可增加上拉电阻(典型值 10kΩ)以增强抗干扰能力。
  • 散热考虑:WL-CSP-15B 封装底部焊盘为散热主路径,应确保焊接可靠。对于高功率应用,可在 PCB 底部对应区域增加过孔和铜箔面积以增强散热。θJA=49.8°C/W,在 TA=25°C 时最大功耗约 2W。

8. 引脚封装图与订购信息

图3. CXLC89113 引脚封装图(WL-CSP-15B,1.39×2.07mm)
15-ball WL-CSP 封装,引脚间距 0.4mm,球径 0.24-0.30mm。封装尺寸:1.39mm(宽)×2.07mm(长)×0.50-0.60mm(高)。

CXLC89113 采用 WL-CSP-15B(1.39×2.07mm) 超小封装,无铅、RoHS 合规。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。

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