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CXLD64435A 2A超低压差LDO稳压器 | 0.8V输入 | 可编程软启动 | PG指示 - 嘉泰姆电子
| 产品型号： | CXLD64435A |
| 产品类型： | LDO线性稳压器 |
| 产品系列： | 线性稳压器单通道输出 |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 7 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 0.8 - 5.5V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 0.8~3.6V |
| 输出电流 (IOUT) | 2000mA |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | WDFN3x3-10 |
| Dropout voltage | 100 @ 2A |
| Psrr. | 60dB@1kHz |
| Noise | 30μVRMS |
| Protection | 过流/过温 |
| Features | Adjustable Soft-Start;Enable Input;Low Dropout;OCP;Power Good |
| Application | 线性稳压器单通道输出 |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Output capacitor | Ceramic |
| Precision | ±2% |
| Bias Rail | Yes |
| Charge Pump | No |
| Output Adj. Method | Resistor |
产品详细介绍
CXLD64435A 2A超低压差LDO稳压器
0.8V-5.5V输入 | VBIAS 2.7V-5.5V | 可编程软启动 | 功率良好指示
产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXLD64435A | 封装：WDFN-10L 3x3
技术咨询：ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXLD64435A 是一款超低压差线性稳压器，可从低至 0.8V 的输入电压工作，提供高达 2A 的输出电流，典型压差仅 100mV。器件需要 VBIAS（2.7V-5.5V） 为内部控制和基准供电，而输出电流直接来自 VIN 输入，实现高效率调节。用户可编程的 软启动 限制启动浪涌电流，使能（EN） 和 功率良好（PG） 引脚方便系统级时序控制。CXLD64435A 输出电压范围 0.8V 至 3.6V，精度 ±1%，适用于 FPGA、DSP 核心/IO 供电、服务器、仪表及后级调节等应用。采用 WDFN-10L 3x3mm 封装，推荐环境温度 -40°C~85°C。
1. 产品概述与市场定位
在高性能 FPGA、DSP、服务器以及精密仪器中，核心电源轨需要大电流、低压差和低噪声的供电方案。CXLD64435A 凭借 2A 输出能力 和 100mV 超低压差，可在输入电压接近输出电压时仍保持高效稳压，特别适合 1.8V/1.2V/0.9V 等低压轨 的后级调节。器件内置 可编程软启动，有效抑制启动浪涌；PG 指示 方便系统监控；过流和过温保护 确保安全。CXLD64435A 是替代 DC-DC 转换器的理想选择，在简化设计的同时保持高效率。
2. 主要特点与技术亮点
- 超低输入电压（VIN）：低至 0.8V，兼容低压电源轨，适用于 1V 以下核心电压应用。
- 独立 VBIAS 供电：内部电路由 VBIAS 供电，输出电流来自 VIN，提高效率，允许超低压差。
- 可编程软启动：外部电容设定启动斜率，限制浪涌电流，减少输入电源应力。
- 功率良好指示（PG）：开漏输出，指示 VOUT 是否处于稳压状态，方便多级电源时序控制。
- 宽输出电压范围：0.8V 至 3.6V 可调，通过外部电阻分压设定。
- 稳定于任何 ≥2.2μF 输出电容：兼容各类陶瓷电容，设计灵活。
- 全面保护：过流折返保护（限流约 2.25A），过温关断（160°C 关断，140°C 恢复）。
- 小型封装：WDFN-10L 3x3mm，底部散热焊盘，适合高密度 PCB。
3. 引脚配置与功能描述
图1. CXLD64435A 引脚封装图（WDFN-10L 3x3）
（此处预留封装外形及引脚排列示意图位置，编辑时可替换为实际封装图纸）
引脚 1,2=VIN，3=PG，4=VBIAS，5=EN，6=Exposed Pad（GND），7=SS，8=FB，9,10=VOUT
| 引脚号 | 名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1, 2 | VIN | 功率输入（0.8V~5.5V），需靠近放置 ≥1μF 陶瓷电容。 |
| 3 | PG | 功率良好指示，开漏输出，需外接上拉电阻（10kΩ~1MΩ）至 ≤5.5V 电源。 |
| 4 | VBIAS | 内部控制电路偏置输入（2.7V~5.5V），需靠近放置 ≥0.1μF 电容。 |
| 5 | EN | 使能（高有效），低于0.4V关断，高于1.1V开启，可接VIN或VBIAS。 |
| 6 | GND（Exposed Pad） | 地，散热焊盘需焊接至大面积地平面。 |
| 7 | SS | 软启动电容引脚，连接电容至GND设置启动时间。 |
| 8 | FB | 反馈输入，连接外部电阻分压器设定VOUT。 |
| 9, 10 | VOUT | 稳压输出，需靠近放置 ≥2.2μF 陶瓷电容。 |
4. 电气特性（设计参考）
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN, VBIAS, EN, PG, FB, SS | 各引脚电压 | -0.3 | 6 | V |
| VOUT | 输出电压 | -0.3 | VIN+0.3 | V |
| TJ | 结温 | — | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压（VIN） | 0.8 | 5.5 | V |
| 偏置电压（VBIAS） | 2.7 | 5.5 | V |
| 输出电压（VOUT） | 0.8 | 3.6 | V |
| 环境温度 | -40 | 85 | °C |
| 参数 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压范围（VIN） | — | 0.8 – 5.5 | V |
| VBIAS 电压范围 | — | 2.7 – 5.5 | V |
| 参考电压（VREF） | TA=25°C | 0.8 | V |
| 输出电压精度 | 2.97V≤VBIAS≤5.5V, 50mA≤IOUT≤2A | ±1（最大） | % |
| 线性调整率 | VOUT+0.3≤VIN≤5.5V | 0.03 | %/V |
| 负载调整率 | 50mA≤IOUT≤2A | 0.09 | %/A |
| VIN 压差电压 | IOUT=2A, VBIAS - VOUT ≥3.25V | 100（最大150） | mV |
| VBIAS 压差电压 | IOUT=2A, VIN=VBIAS | 1.3（最大） | V |
| 电流限制 | VOUT=80%×VOUT(NOM) | 2.5（最小值） | A |
| 偏置电流（IBIAS） | — | 12 | mA |
| 关断电流 | VEN=0.4V | 150（最大） | μA |
| PSRR（VIN→VOUT） | 1kHz, IOUT=1.5A, VIN=1.8V, VOUT=1.5V | 60 | dB |
| PSRR（VBIAS→VOUT） | 1kHz, IOUT=1.5A, VIN=1.8V, VOUT=1.5V | 50 | dB |
| 输出噪声电压 | 100Hz~100kHz, IOUT=1.5A, Css=0.001μF | 25×VOUT | μVrms |
| 软启动充电电流（Iss） | Vss=0.4V | 440 | nA |
| EN 上升阈值 | — | 1.1 | V |
| EN 下降阈值 | — | 0.4 | V |
| 过温关断阈值 | — | 160 | °C |
5. 典型应用电路
CXLD64435A 典型应用需外接输入电容、偏置电容、输出电容、软启动电容以及反馈电阻分压器。PG 输出需上拉电阻。
图2. CXLD64435A 典型应用电路
图3. CXLD64435A 内部功能方框图
内部集成：基准源、误差放大器、P-MOSFET调整管、软启动控制、PG比较器、EN逻辑、UVLO、OCP、OTP等。
| 位号 | 描述 | 推荐值 | 封装 |
|---|---|---|---|
| CIN | 输入陶瓷电容（X5R/X7R） | ≥1μF（10V） | 0603/0805 |
| CBIAS | 偏置电容 | ≥0.1μF（10V） | 0402/0603 |
| COUT | 输出陶瓷电容（X5R/X7R） | ≥2.2μF（6.3V） | 0603/0805 |
| CSS | 软启动电容 | 1nF~100nF | 0402/0603 |
| R1, R2 | 反馈分压电阻 | R2≤4.99kΩ | 0603 |
| RPG | PG上拉电阻 | 10kΩ~1MΩ | 0603 |
反馈电阻计算：VOUT = VREF × (1+R1/R2)，VREF=0.8V。例如 VOUT=1.5V 时，R1≈4.12kΩ, R2=4.99kΩ（参考数据手册表）。
6. 工作原理与设计指导
6.1 VIN 与 VBIAS 供电
VBIAS 为内部控制和基准供电，VIN 提供输出电流。当 VBIAS 比 VOUT 高 3.25V 以上时，可获得极低压差（100mV@2A）。若辅助偏置不可用，可将 VIN 与 VBIAS 短接，此时压差较大（约1.3V@2A），需注意功耗和散热。
6.2 使能与软启动
EN 高电平（>1.1V）使能；低电平（<0.4V）关断。软启动时间由外部电容 CSS 设定：
tSS = (0.8V × CSS) / 0.44μA
例如 CSS=10nF，tSS≈18.2ms。
6.3 功率良好（PG）
当 VOUT 高于 PG 阈值（约 VREF 的 90%+迟滞）时，PG 输出高阻；若 VOUT 欠压、VBIAS 低于 1.9V、器件禁用或保护触发，PG 拉低。
6.4 过流与过温保护
过流时输出电流折返限制（约 2.25A），防止短路损坏；过温关断阈值 160°C，恢复迟滞 20°C。长期结温超过 125°C 会降低可靠性。
7. 应用信息与设计指导
7.1 电容选择
- VIN：≥1μF 陶瓷（X5R/X7R），靠近引脚。
- VBIAS：≥0.1μF 陶瓷，若与 VIN 共用，则需 ≥4.7μF。
- VOUT：任何类型 ≥2.2μF 电容（建议陶瓷），有效容值需考虑 DC 偏压衰减。
7.2 输出电压设定
通过外部电阻 R1（上）和 R2（下）设定，R2 建议 ≤4.99kΩ 以保证精度。VOUT = 0.8V × (1+R1/R2)。
7.3 热设计
最大功耗：PD(MAX) = (TJ(MAX) - TA) / θJA，TJ(MAX)=125°C，WDFN-10L 四层板 θJA=41.5°C/W，TA=25°C 时 PD=2.41W。实际需根据功耗 (VIN-VOUT)×IOUT 核算。
7.4 PCB 布局建议
- 输入电容靠近 VIN 引脚，输出电容靠近 VOUT 引脚，减少寄生电感。
- 反馈分压网络靠近 FB 引脚，走线远离噪声源。
- 底部散热焊盘（Exposed Pad）必须焊接至大面积地平面，多过孔散热。
- PG 上拉电阻的电源可接 VIN 或 VBIAS，但电压不能超过 5.5V。
图4. CXLD64435A PCB 布局参考（WDFN-10L）
（此处预留布局示意图位置，编辑时可替换为实际布局图纸）
8. 订购信息与技术支持
CXLD64435A 采用 WDFN-10L 3x3 封装，无铅、RoHS 合规。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持，帮助客户快速完成大电流 LDO 电源设计。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578
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