CXLD64453H 2A超低噪声LDO稳压器 | 1.1V-6.5V输入 | 可调0.8V-5.5V | 90mV压差 - 嘉泰姆电子

CXLD64453H 2A超低噪声LDO稳压器 | 1.1V-6.5V输入 | 可调0.8V-5.5V | 90mV压差 - 嘉泰姆电子

产品型号:CXLD64453H
产品类型:LDO线性稳压器
产品系列:线性稳压器单通道输出
产品状态:量产
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产品简介

CXLD64453H 是一款2A超低噪声LDO稳压器,输入电压1.1V-6.5V,输出可调0.8V-5.5V,压差90mV@2A,噪声7.8μVrms,PSRR 43dB@500kHz,带NR/SS软启动/降噪、PGOOD指示,采用WQFN-12L 2.2x2.5 (FC)封装。嘉泰姆电子提供大电流低噪声LDO方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)1.1 - 6.5V
输出电压 (VOUT)0.8~5.5V
输出电流 (IOUT)2000mA
工作频率1000kHz
转换效率95%
封装类型WQFN2.2x2.5-12(FC)
Dropout voltage34 @ 2A
Quiescent current2800
Psrr.60dB@1kHz
Noise30μVRMS
Protection过流/过温
FeaturesAdjustable Soft-Start;Enable Input;Extra Low Noise;High PSRR;Low Dropout;OCP;Power Good
Application线性稳压器单通道输出
Temperature range-40℃~125℃
Output capacitorCeramic
Precision±1%
Bias RailNo
Charge PumpYes
Output Adj. MethodResistor

产品详细介绍

CXLD64453H 2A超低噪声LDO稳压器
1.1V-6.5V输入 | 可调0.8V-5.5V | 90mV压差 | 7.8μVrms噪声

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64453H | 封装:WQFN-12L 2.2x2.5 (FC)

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64453H 是一款大电流(2A)、超低噪声(7.8μVrms)、高精度(±1%)的超低压差线性稳压器,输入电压范围 1.1V 至 6.5V。输出电压通过外部电阻分压可调,范围为 0.8V 至 5.5V。CXLD64453H 具有 90mV 的超低压差(@2A)高PSRR(43dB@500kHz)超低噪声 特性,非常适合为 ADC、DAC、RF 组件、FPGA、DSP 和 ASIC 等噪声敏感型大电流负载供电。器件集成 使能控制(EN)可编程软启动/噪声抑制(NR/SS)功率良好指示(PGOOD)输出主动放电过流/过温保护,采用 WQFN-12L 2.2x2.5(FC) 超小封装,工作结温范围 -40°C~125°C。

核心优势: 2A 大电流 | 1.1V-6.5V 宽输入 | 可调输出0.8-5.5V | 压差90mV@2A | 超低噪声7.8μVrms | PSRR 43dB@500kHz | ±1% 精度 | 可编程软启动/降噪 | PGOOD指示 | 过流/过温保护 | WQFN-12L 2.2x2.5 (FC)封装。

1. 产品概述与市场定位

在高端无线基础设施、FPGA/DSP 核心供电、射频前端以及精密数据转换器中,电源轨的 噪声瞬态响应电流能力 直接影响系统性能。CXLD64453H 凭借 2A 输出能力7.8μVrms 的超低输出噪声90mV 的极低压差,能够为高功耗、噪声敏感型负载提供干净、稳定的电源。器件支持 1.1V 超低输入电压,兼容低压电源轨,内置 NR/SS 引脚 实现噪声抑制和软启动可编程,PGOODEN 引脚便于系统时序控制。CXLD64453H 是替代多路 DC-DC 后级 LDO 的理想选择,适用于便携设备、无线基础设施、射频/中频组件等高性能大电流应用。

2. 主要特点与技术亮点

2A 输出电流满足高功耗负载
超低噪声7.8μVrms(0.8V输出)
高PSRR43dB@500kHz
宽输入电压1.1V - 6.5V
可调输出0.8V - 5.5V
超低压差90mV@2A
高精度±1%
可编程软启动NR/SS电容控制
  • 超低噪声:输出噪声低至 7.8μVrms(0.8V 输出),12.8μVrms(5V 输出),为射频和精密模拟电路提供纯净电源。
  • 高PSRR:43dB@500kHz,有效抑制高频开关纹波,适合噪声敏感应用。
  • 超低压差:2A 负载时典型压差仅 90mV(最大),极大提高效率,降低功耗。
  • 高精度:±1% 输出电压精度,满足严苛电压容差要求。
  • 可编程软启动/噪声抑制:NR/SS 引脚电容同时实现噪声滤波和软启动时间编程,限制浪涌电流。
  • 功率良好(PGOOD):开漏输出,指示输出电压状态,便于系统级上电时序控制。
  • 全面保护:过流保护(限流 3.3A 典型,折返限流 1A)、过温保护(160°C 关断,20°C 迟滞)、欠压锁定(UVLO)。
  • 超小封装:WQFN-12L 2.2x2.5(FC)倒装芯片封装,适合高密度 PCB 布局。

3. 引脚配置与功能描述

图1. CXLD64453H 引脚封装图(WQFN-12L 2.2x2.5 FC)

(此处预留封装外形及引脚排列示意图位置,编辑时可替换为实际封装图纸)

引脚 1,2=VIN;3=EN;4=NR/SS;5=NC;6,7,12=GND;8=PGOOD;9=FB;10,11=VOUT;Exposed Pad=GND

引脚功能表
引脚号 名称 功能描述
1, 2 VIN 电源输入(1.1V~6.5V),需靠近放置 ≥47μF 陶瓷电容。
3 EN 使能(高有效),高电平(>1.1V)使能,低电平(<0.5V)关断。
4 NR/SS 噪声抑制/软启动,外接电容至 GND 降低噪声并设定启动时间。
5 NC 无内部连接,可悬空或接地以增强散热。
6, 7, 12 GND 地,散热焊盘需焊接至大面积地平面。
8 PGOOD 功率良好指示,开漏输出,需外接上拉电阻(10kΩ~100kΩ)。
9 FB 反馈输入,外部电阻分压设定输出电压(基准 0.8V)。
10, 11 VOUT 稳压输出,需靠近放置 ≥47μF 陶瓷电容(有效容值≥22μF)。

4. 电气特性(设计参考)

极限参数 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VIN, PGOOD, EN 电压范围 -0.3 7 V
VOUT 输出电压 -0.3 7 V
NR/SS, FB 电压范围 -0.3 3.6 V
PD (TA=25°C) 功耗 2.01 W
θJA(EVB) 热阻 49.7 °C/W
TJ 结温范围 -40 125(推荐) °C
TSTG 存储温度 -65 150 °C
ESD (HBM) 人体模型 2 kV
推荐工作条件
参数 最小值 最大值 单位
输入电压(VIN) 1.1 6.5 V
输出电压(可调) 0.8 5.5 V
输出电流 0 2 A
结温范围 -40 125 °C
关键电气特性(VIN=1.1V~6.5V, VOUT(TARGET)=0.8V, VOUT接50Ω负载, VEN=1.1V, CIN=10μF, COUT=47μF, CNR/SS=0nF, TA=25°C,典型值)
参数 测试条件 典型值 单位
输入电压范围 1.1 – 6.5 V
反馈参考电压(VREF) 0.8 V
欠压锁定上升阈值 VIN上升 1.02 V
欠压锁定迟滞 100 mV
输出电压精度 1mA≤IOUT≤2A, VIN=VOUT+0.3V ±1(最大) %
线性调整率 1.1V≤VIN≤6.5V, IOUT=1mA 0.05 %/V
负载调整率 1mA≤IOUT≤2A 0.08 %/A
压差电压 IOUT=2A 34(最大90) mV
电流限制 VOUT=90%VOUT(TARGET) 3.3(典型) A
折返限流(短路) RLOAD=20mΩ 1 A
PSRR f=500kHz, IOUT=2A, VOUT=0.8V 43 dB
输出噪声 100Hz~100kHz, VOUT=0.8V 7.8 μVrms
输出噪声 100Hz~100kHz, VOUT=5V 12.8 μVrms
EN 上升阈值 1.1(最小) V
EN 下降阈值 0.5(最大) V
关断电流 VEN<0.5V 25(最大) μA
过温关断阈值 160 °C
过温迟滞 20 °C

5. 典型应用电路

CXLD64453H 典型应用包括输入电容、输出电容、NR/SS 电容、反馈电阻分压器以及 PGOOD 上拉电阻。EN 可由逻辑控制或接 VIN 常开。

典型应用电路
图2. CXLD64453H 典型应用电路

图3. CXLD64453H 内部功能方框图

内部集成:带隙基准、误差放大器、PMOS调整管、使能逻辑、UVLO、过流保护、过温保护、NR/SS软启动/噪声滤波、PGOOD比较器、输出放电。

推荐外部元件
位号 描述 推荐值 备注
CIN 输入陶瓷电容(X7R/X5R) ≥47μF(16V) 靠近VIN引脚
COUT 输出陶瓷电容(X7R/X5R) ≥47μF(有效容值≥22μF) 靠近VOUT引脚
CNR/SS 噪声抑制/软启动电容 10nF~1μF(推荐10nF) 靠近NR/SS引脚
R1, R2 反馈分压电阻 建议R2≤12kΩ VOUT = 0.8V×(1+R1/R2)
RPGOOD PGOOD上拉电阻 10kΩ~100kΩ 接逻辑电源(≤6.5V)
CFF(可选) 前馈电容 10nF 优化瞬态和PSRR

6. 工作原理与设计指导

6.1 使能与关断

EN 高电平(>1.1V)使能,低电平(<0.5V)关断,关断电流 <25μA。EN 内部有 50mV 迟滞,可容忍缓慢变化信号。若不用 EN,可接 VIN(建议串联电阻)。

6.2 软启动与噪声抑制(NR/SS)

NR/SS 引脚外接电容 CNR/SS 同时实现两个功能:
1) 与内部电阻构成低通滤波器,降低带隙基准噪声;
2) 设定启动斜率,限制浪涌电流。启动时间近似:tSS = (0.8V × CNR/SS) / INR/SS(INR/SS 为内部充电电流,典型值 4~9μA)。推荐 CNR/SS ≥ 10nF 以获得低噪声性能。

6.3 功率良好(PGOOD)

开漏输出,当 FB 电压达到参考电压的 88%(典型)以上时,PGOOD 为高阻(需上拉);当输出欠压、EN 关断、过流或过温时,PGOOD 拉低。可用于系统上电时序监控。

6.4 压差与功耗

压差 VDROP = RDS(ON) × IOUT,典型 RDS(ON) 约 17mΩ(34mV@2A,最大 90mV)。最大功耗 PD(MAX) = (125°C - TA) / θJA(EVB),WQFN-12L 的 θJA(EVB)=49.7°C/W,25°C 时 PD=2.01W。实际功耗 = (VIN - VOUT)×IOUT,需保证结温 ≤125°C。

7. 应用信息与设计指导

7.1 输入/输出电容选型

  • CIN:推荐 ≥47μF 陶瓷(X7R/X5R),靠近 VIN 引脚,以抑制输入电压振铃。
  • COUT:推荐 ≥47μF(有效容值≥22μF)陶瓷,靠近 VOUT 引脚。注意陶瓷电容在直流偏压和温度下的容值衰减,建议选择较大封装(如 1210)或更高额定电压。
  • CNR/SS:10nF~1μF,推荐 10nF,低漏电陶瓷电容。

7.2 前馈电容(CFF)

可在 R1 上并联 10nF 前馈电容,优化瞬态响应、PSRR 和噪声。但会延长启动时间,需权衡。

7.3 反向电流保护

若 VOUT > VIN + 0.3V,内部体二极管可能导通产生反向电流。建议在 VIN 与 VOUT 间并联肖特基二极管,限制压降 <0.3V,防止损坏。

7.4 PCB 布局建议

  • 输入输出电容紧靠 IC 引脚,走线短而宽。
  • GND 引脚/散热焊盘连接至大面积地平面,多过孔散热。
  • FB 走线远离噪声源,电阻分压器靠近 IC。
  • NR/SS 引脚电容靠近 IC,避免长走线引入噪声。
  • PGOOD 上拉电阻靠近 IC,走线短。

图4. CXLD64453H PCB 布局参考(WQFN-12L)

(此处预留布局示意图位置,编辑时可替换为实际布局图纸)

8. 订购信息与技术支持

CXLD64453H 采用 WQFN-12L 2.2x2.5(FC)超小封装,可调输出电压 0.8V~5.5V,精度 ±1%。产品符合 RoHS 和 J-STD-020 标准。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持,助力客户快速完成大电流低噪声 LDO 电源设计。

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