CXMD3574C / CXMD3574D 高频同步整流MOSFET驱动器
5V/12V供电 | 内置自举二极管 | WDFN-8L封装

版本：Rev 1.0 | 2026年7月 | 型号：CXMD3574C / CXMD3574D | 封装：WDFN-8L（3×3mm）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXMD3574C 和 CXMD3574D 是一款高频同步整流单相双MOSFET驱动器，专为从普通MOSFET驱动到高性能CPU VR/GPU VR等应用而设计。两款型号均可工作于 5V或12V 供电电压，内置自举功率开关替代外部自举二极管，简化PCB设计并降低BOM成本。支持最高 500kHz 开关频率，UGATE和LGATE驱动电路的上升/下降时间小于30ns，自适应直通保护机制有效防止高侧和低侧功率MOSFET同时导通。PWM三态关断和OD输入关断功能可将驱动输出强制为高阻态。CXMD3574C与CXMD3574D的区别在于传输延迟（tUGATEPdh），CXMD3574D具有较大的延迟以进一步增强直通保护，适用于对安全性要求较高的系统；而CXMD3574C则推荐用于性能导向的应用（如高功率密度CPU VR或GPU VR）。采用紧凑的 WDFN-8L（3×3mm） 封装，是主板、显卡、高密度DC/DC转换器等的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

CXMD3574C/CXMD3574D是一款高度集成的高频同步整流双MOSFET驱动器，适用于需要高效率、高功率密度的DC/DC转换应用。其内部集成了自举功率开关，无需外部自举二极管，简化了系统设计。芯片支持5V或12V的VCC供电，可灵活适配不同应用场景。驱动器输出级具有快速上升/下降时间（典型值小于30ns），能够高效驱动大电容负载的功率MOSFET，并内置自适应直通保护，通过监测PHASE节点和UGATE电压，确保在开关过程中高侧和低侧MOSFET不会同时导通。PWM输入具有三态关断窗口，当输入信号进入该窗口时，输出驱动被禁用并拉低，同时OD引脚可强制关断两个通道。CXMD3574C和CXMD3574D的差异在于传输延迟的设定，前者优化性能，后者优先考虑安全裕度，用户可根据系统需求灵活选择。该系列驱动器适用于主板CPU核心供电、显卡GPU供电、高性能DC/DC转换器等应用，采用WDFN-8L 3x3超小封装，节省PCB空间。

2. 主要特点与技术亮点

• 灵活供电：VCC可工作在5V或12V，兼顾效率与驱动能力，优化系统效率。
• 集成自举开关：内置自举功率开关取代外部自举二极管，简化设计，降低成本。
• 自适应直通保护：通过监测PHASE和UGATE电压，确保在安全条件下切换，防止上下管同时导通。
• 快速开关特性：驱动上升/下降时间典型值<30ns，支持高频操作，减少开关损耗。
• 高开关频率：支持高达500kHz的开关频率，适用于小型化、高功率密度的设计。
• 可靠关断机制：PWM三态输入和OD引脚可快速禁用输出，将UGATE和LGATE拉低。
• 两种延迟选择：CXMD3574C具有更短的传输延迟，适合性能优先的应用；CXMD3574D具有较长的延迟，提供更强的直通保护裕度，适合安全优先的场景。
• 紧凑封装：WDFN-8L 3x3封装，热阻低（θ_JA=31°C/W），适合高密度布局。

3. 引脚配置与功能说明

CXMD3574C/D主要引脚包括：BOOT（自举供电，外接电容至PHASE）、PWM（PWM控制输入）、OD（输出禁用，低电平时禁用）、VCC（电源，5V或12V）、LGATE（低侧MOSFET栅极驱动）、PHASE（连接高侧MOSFET源极和低侧MOSFET漏极）、UGATE（高侧MOSFET栅极驱动）、GND（地）。详细引脚定义见数据手册。

4. 极限参数与电气特性

5. 工作原理与设计指导

5.1 驱动与控制逻辑

CXMD3574C/D通过PWM输入信号控制高侧和低侧N-MOSFET的导通与关断。芯片内部包含自适应直通保护电路，在PWM信号跳变时，会监测PHASE节点电压和UGATE电压，确保在安全条件下进行切换，防止上下管同时导通。当PWM输入为高电平时，首先强制LGATE拉低，经过死区时间后UGATE允许升高；PWM为低电平时，首先强制UGATE拉低，当UGATE和PHASE达到预定低电平后，LGATE允许升高。PWM输入具有三态关断窗口，当输入电平处于该窗口时，输出驱动被禁用并拉低。OD引脚低电平可强制禁用两个通道。

5.2 自举电路设计

芯片内置自举功率开关，取代了传统的外部自举二极管。在低侧MOSFET导通期间，VCC通过内部开关为BOOT电容充电，为高侧驱动提供浮动电源。建议BOOT电容值不小于0.1μF，典型应用推荐1μF陶瓷电容，并尽量靠近芯片BOOT和PHASE引脚放置，以减少噪声和寄生效应。

5.3 栅极驱动电流需求

驱动MOSFET所需的峰值电流取决于栅极电荷和开关速度。计算时需考虑Ciss（输入电容）和Crss（反向传输电容），以及所需的上升时间。芯片可提供高达数安培的峰值驱动电流（受内部驱动级限制），具体可参考数据手册中的计算示例和曲线。

5.4 功耗与散热

驱动器的功耗主要来自开关频率和负载电容（MOSFET栅极电容）。功耗随频率和电容的增加而增加。用户可根据数据手册中的功耗曲线估算功耗，WDFN-8L封装具有优异的散热性能（θ_JA=31°C/W），适合高功率密度应用。

5.5 型号选择建议

CXMD3574C具有更短的低侧到高侧传输延迟，适用于对开关速度有较高要求、追求极致性能的应用（如高功率密度CPU VR、GPU VR）。CXMD3574D具有较大的延迟，可提供更充裕的直通保护裕度，适用于对安全性要求较高的系统，或使用较大Qg的MOSFET时，以降低穿通风险。

6. 典型应用电路

图2. 典型应用电路（同步降压转换器）

外围元件：VCC去耦电容（1μF+0.1μF）、BOOT电容（1μF）、PHASE节点连接的功率MOSFET（高侧和低侧）、输出电感L、输出电容等。具体电路参考数据手册典型应用图。

7. PCB布局建议

• 功率回路：高侧MOSFET、低侧MOSFET和输入电容之间的回路应尽量短，减少寄生电感。
• 驱动走线：UGATE、LGATE和PHASE走线应尽量短而宽，以降低电阻和电感，保证驱动信号的完整性。
• 自举电容：BOOT电容必须尽量靠近芯片引脚放置，走线短而直。
• 去耦电容：VCC和GND之间的去耦电容应靠近芯片，高频电容（0.1μF）紧贴引脚。
• 地线处理：功率地和信号地应分开，在芯片下方单点连接，以减少噪声耦合。
• 散热：底部Exposed Pad应大面积焊接至地平面，并通过过孔散热，确保结温在额定范围内。

8. 主板CPU供电设计实例

目标：设计一款主板CPU核心供电（VR）的MOSFET驱动器，输入12V，驱动高侧和低侧N-MOSFET，开关频率300kHz，要求高效、可靠。

• 型号选择：若追求最高效率，选用CXMD3574C；若系统对直通保护有更高要求或使用较大Qg的MOSFET，选用CXMD3574D。
• 供电与电容：VCC接12V，并接1μF+0.1μF陶瓷电容；BOOT电容选用1μF/25V X7R，靠近芯片。
• 驱动参数：根据选择的MOSFET计算栅极驱动电流需求，确保驱动器能提供足够的峰值电流。
• 保护配置：PWM输入由PWM控制器提供，OD引脚可通过系统信号控制，实现故障时快速关断。
• PCB布局：遵循上述布局建议，特别注意功率回路的紧凑性和驱动走线的短直。
• 热管理：WDFN-8L封装散热性能优异，通过大面积铜箔和过孔散热，确保结温低于125°C。

9. 订购信息与技术支持

CXMD3574C和CXMD3574D采用WDFN-8L（3×3mm）封装，无铅、RoHS合规。提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持。