CXMD3579A 高压同步整流双通道Buck MOSFET驱动器
双通道 | 4A灌电流 | 笔记本CPU供电 | WDFN-12L

版本：Rev 1.0 | 2026年7月 | 型号：CXMD3579A | 封装：WDFN-12L（3×3mm）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXMD3579A 是一款高频双通道同步整流MOSFET驱动器，专为笔记本电脑等移动计算应用中的同步降压转换器拓扑而设计。每通道可驱动两只功率N-MOSFET，配合嘉泰姆系列多相Buck PWM控制器，可为先进微处理器提供完整的核心电压调节方案。驱动器具备快速上升/下降时间（8ns，驱动3nF负载）和快速传播延迟（20ns），支持高开关频率。上管驱动采用自举方式，仅需外部电容，降低了实现复杂度并允许使用高性能、低成本的N-MOSFET。集成 自适应直通保护，防止两只MOSFET同时导通。输出级具备 0.5Ω导通电阻 和 4A灌电流 能力，可高效驱动大功率MOSFET。采用紧凑的 WDFN-12L（3×3mm） 封装，是Intel/AMD移动微处理器核心供电、高频DC/DC转换器的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

CXMD3579A是一款高性能双通道同步整流MOSFET驱动器，专为笔记本电脑、超极本等移动计算平台的核心电压调节（VR）应用而设计。芯片集成了两个独立的驱动通道，每个通道可驱动同步降压转换器中的高侧和低侧N-MOSFET，适用于多相Buck转换器架构。驱动器采用5V VCC供电，输入电压范围4.5V至5.5V，功率级输入电压支持高达26V。其输出级具有0.5Ω（典型值）的导通电阻和4A灌电流能力，能够以极快的开关速度驱动大栅极电容的功率MOSFET。集成自举开关简化了高侧驱动设计，无需外部自举二极管。自适应直通保护机制通过监测UGATE-PHASE电压和PHASE节点电压，确保高侧和低侧MOSFET不会同时导通。CXMD3579A采用WDFN-12L（3×3mm）封装，适用于笔记本CPU核心供电、显卡GPU供电、高密度DC/DC转换器等应用。

2. 主要特点与技术亮点

• 双通道独立驱动：两路独立的MOSFET驱动器，可分别控制两相或多相Buck转换器，适合多相CPU核心供电。
• 高驱动能力：0.5Ω（典型值）导通电阻，4A灌电流能力，可高效驱动大功率MOSFET，减少开关损耗。
• 快速开关特性：8ns上升/下降时间（3nF负载），20ns传播延迟，支持高频开关操作。
• 自适应直通保护：通过监测UGATE-PHASE电压（<1.1V）和PHASE电压（<2V），确保高侧MOSFET完全关断后才开启低侧MOSFET。
• 三态PWM输入：支持高、低、关断三种状态，关断窗口内输出驱动被禁用并拉低。
• 集成自举开关：内部自举功率开关替代外部自举二极管，简化PCB设计，降低BOM成本。
• EN使能控制：独立使能引脚，实现灵活的电源时序管理，低电平时两通道均关断。
• 低静态电流：典型120μA静态电流，关断电流<5μA，适合电池供电的移动设备。
• 紧凑封装：WDFN-12L 3×3mm封装，热阻仅30.5°C/W，适合高密度布局。

3. 引脚配置与功能说明

CXMD3579A主要引脚包括：UGATE1/UGATE2（高侧MOSFET栅极驱动）、BOOT1/BOOT2（自举供电，外接电容至PHASEx）、PHASE1/PHASE2（连接高侧MOSFET源极和低侧MOSFET漏极）、LGATE1/LGATE2（低侧MOSFET栅极驱动）、PWM1/PWM2（PWM控制输入）、EN（使能控制，低电平关断）、VCC（5V电源）、GND（地）。底部Exposed Pad需焊接至地平面散热。详细引脚定义见数据手册。

4. 极限参数与电气特性

5. 工作原理与设计指导

5.1 供电与POR

CXMD3579A由5V VCC供电，典型工作电压4.5V至5.5V。建议在VCC引脚旁放置至少1μF陶瓷电容进行去耦，并尽量靠近芯片放置。芯片内置POR（上电复位）电路，监测VCC电压。当VCC超过POR上升阈值（典型3.85V）时，芯片复位并准备工作；VCC低于POR下降阈值（典型3.65V）时，UGATEx和LGATEx保持低电平，防止MOSFET在欠压时异常导通。

5.2 PWM控制与三态关断

初始化后，PWMx信号控制驱动输出。PWM上升沿首先强制LGATEx拉低，经过非重叠时间后UGATEx允许升高，避免直通电流。PWM下降沿首先强制UGATEx拉低，当UGATEx或PHASEx达到预定低电平后，LGATEx允许升高。PWM输入具有三态关断窗口：当PWMx电平进入并保持在1.1V至3.8V之间的关断窗口时，输出驱动器被禁用，两个MOSFET栅极均被拉低。PWM悬空时，内部电路将引脚保持在约1.8V，提供可识别的电平。

5.3 使能控制

EN引脚用于时序控制。当EN引脚电压超过VENH（典型2V）时，芯片初始化并跟随PWMx命令控制UGATEx和LGATEx。当EN引脚电压低于VENL（典型0.5V）时，芯片关断，UGATEx和LGATEx保持低电平。

5.4 自适应直通保护

为防止UGATEx拉低和LGATEx拉高期间的重叠，非重叠电路监测PHASEx节点电压和高侧栅极驱动电压（UGATEx-PHASEx）。当PWM输入变低时，UGATEx开始拉低（经过传播延迟）。在LGATEx拉高之前，非重叠保护电路确保（UGATEx-PHASEx）电压低于1.1V或PHASE电压低于2V。一旦满足条件，LGATEx开始拉高。同样，在LGATEx拉低和UGATEx拉高期间，电路监测LGATEx电压，当LGATEx低于1.1V时，UGATEx允许拉高。

5.5 自举电路设计

芯片集成自举功率开关，替代传统外部自举二极管。低侧MOSFET导通时，自举开关导通，VCC通过内部开关为BOOT电容充电。推荐自举电容值不小于0.1μF，典型应用使用1μF陶瓷电容，并尽量靠近BOOT和PHASE引脚放置。

5.6 驱动能力与MOSFET选型

驱动器输出级具有低阻抗特性：UGATE和LGATE源电阻典型1Ω，LGATE灌电阻典型0.5Ω，UGATE灌电阻典型1Ω。低侧驱动器灌电流能力高达4A（VLGATE=2.5V），可快速关断大电容MOSFET。详细的MOSFET开关时间计算可参考数据手册中的公式和示例。

6. 典型应用电路

图2. 典型应用电路（双通道同步降压转换器）

外围元件：VCC去耦电容（1μF）、BOOT电容（0.1μF~1μF）、PHASE节点连接的功率MOSFET（高侧和低侧）、输出电感L、输出电容等。具体电路参考数据手册典型应用图。

7. PCB布局建议

• 芯片位置：将CXMD3579A尽量靠近功率MOSFET放置，减小寄生元件。
• VCC旁路电容：1μF陶瓷电容尽量靠近VCC引脚，消除高频噪声。
• 自举电容：尽量靠近BOOT和PHASE引脚，减小寄生电感。
• 驱动走线：UGATEx、PHASEx、LGATEx和GND应短而宽，降低寄生阻抗。高侧驱动UGATEx和PHASEx直接连接MOSFET栅极和源极。
• 功率回路：高侧MOSFET源极靠近低侧MOSFET漏极，低侧MOSFET源极到GND走线宽而短。
• 信号走线：PWMx和EN走线远离开关节点了，避免高dV/dt噪声干扰。
• 散热：底部Exposed Pad应大面积焊接至地平面，并通过过孔散热。WDFN-12L封装θ_JA=30.5°C/W，确保结温在额定范围内。
• 双通道隔离：两个通道的功率回路和驱动走线应保持独立，减少相互干扰。

8. 笔记本CPU双相供电设计实例

目标：设计一款笔记本电脑CPU核心供电的双相同步降压转换器，输入来自电池或适配器（典型12V-19V），输出1.0V/30A，使用CXMD3579A驱动两相功率级。

• 型号选择：CXMD3579A提供双通道驱动，每相使用一个通道，适合两相或多相VR设计。
• 供电与电容：VCC接5V（由系统待机电源提供），并接1μF陶瓷电容；每相BOOT电容选用0.47μF/25V X7R，靠近芯片。
• MOSFET选型：每相高侧和低侧选用低Qg、低RDS(on)的N-MOSFET（如30V/20A器件），计算驱动电流需求（CXMD3579A可提供4A灌电流）。
• 保护配置：EN连接系统电源管理控制器，实现时序控制；PWM三态关断确保异常时输出安全。
• PCB布局：两相功率级对称布局，驱动走线等长，确保两相电流均衡。
• 热管理：WDFN-12L封装θ_JA=30.5°C/W，通过大面积铜箔和过孔散热，确保结温低于125°C。

9. 订购信息与技术支持

CXMD3579A采用WDFN-12L（3×3mm）封装，无铅、RoHS合规。提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持。