
CXSD61130A 7A I²C控制同步降压转换器 | 3V-6.5V | VID可编程 | 1MHz - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXSD61130A |
| 产品类型: | DC-DC转换器 |
| 产品系列: | 开关稳压器降压 (Buck) 转换器 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 8 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 3V~6.5V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 0.6V~1.725V |
| 输出电流 (IOUT) | 7A |
| 工作频率 | 1000;1500;600;800kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | UQFN3x3-13(FC) |
| Topology | 开关稳压器降压 (Buck) 转换器 |
| Control method | Digital |
| Switching frequency | 2700kHz~3000kHz |
| Protection | 过流/过压/过温 |
| Features | ACOT Control;Adjustable Current Limit;Adjustable Frequency;Adjustable Soft-Start;Built-in Bootstrap Switch;Cycle-by-Cycle Current Limit;Enable Input;Fast Transient Response;I2C;Internal Compensation;OCP;OTP;PSM;Power Good;Stable with Ceramic Capacitor;UVP |
| Application | 开关稳压器 |
| Operating temp | -40℃~125℃ |
| Precision | ±1% |
| Ext Sync | No |
| Ron HS (typ) (mOhm) | 12 |
| Ron LS (typ) (mOhm) | 8 |
| Iq (typ) (mA) | 0.1 |
| Interface | I2C |
| Current Limit (typ) (A) | 8;8.8;9.6 |
| Number of Outputs | 1 |
产品详细介绍
CXSD61130A 7A I²C控制同步降压转换器
3V-6.5V输入 | I²C可编程输出0.6V-1.725V | ACOT | 1MHz
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年8月 | 型号:CXSD61130A | 封装:UQFN-13L 3×3(FC)
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXSD61130A 是一款高性能同步降压DC/DC转换器,能够从 3V 至 6.5V 的输入电压范围内提供 7A 的连续输出电流。芯片内部集成了超低阻抗功率MOSFET(高侧12mΩ,低侧8mΩ),无需外部肖特基二极管,实现了高达 95% 的转换效率。采用 先进恒定导通时间(ACOT®) 控制架构,提供超快瞬态响应,在全输入电压、负载和输出电压范围内保持近似恒定的开关频率(1MHz)。
CXSD61130A 的输出电压通过 I²C 接口在 0.6V 至 1.725V 范围内以 12.5mV 步进编程(7-bit VID),非常适合为应用处理器、图形处理器、DSP以及LPDDR内存等核心负载供电。轻载时自动进入 省电模式(PSM),维持高效率;也可通过I²C强制进入 PWM 模式,满足对输出电压精度有严格要求的应用。芯片提供 可编程软启动(外部电容)、电源良好指示(PGOOD)、逐周期过流保护(谷值限流,典型8.8A)、输入欠压锁定、输出欠压保护(打嗝模式) 和 过温保护(150°C关断,100°C恢复)。开关频率、限流阈值和过温阈值均可通过I²C配置。CXSD61130A 采用 UQFN-13L 3×3mm(FC) 封装,热阻低至38.1°C/W,是手机、手持设备、机顶盒、xDSL平台以及通用负载点电源的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
在智能手机、平板电脑、游戏机以及高性能便携设备中,处理器和存储器的核心供电需要高电流能力、高灵活性、快速瞬态响应和高效率。CXSD61130A 作为一款 I²C数字控制同步降压转换器,其核心价值在于 数字可编程性、高集成度、大电流能力和优异的动态性能。宽输入电压范围(3V-6.5V)完美适配单节锂离子电池、USB电源以及3.3V/5V系统总线,可灵活输出0.6V至1.725V的低压轨,为ARM、Tegra、OMAP、Krait等处理器以及LPDDR内存提供精确供电。
芯片的 I²C接口 允许系统动态调整输出电压,实现动态电压缩放(DVS),并可通过寄存器配置电压转换斜率(5mV/μs至20mV/μs可选)和开关频率(0.6MHz/0.8MHz/1.0MHz/1.5MHz),优化功耗与瞬态性能。固定1MHz的开关频率允许使用0.47μH的小型电感,配合UQFN封装,整体方案面积极小。PSM模式在轻载时通过零电流检测和跳脉冲,显著提高效率;强制PWM模式则保持固定频率,适合对频率稳定性和EMI有严格要求的应用。PGOOD引脚提供开漏输出,指示输出电压是否就绪,便于系统时序管理。CXSD61130A 采用 UQFN-13L 3×3mm(FC)封装,热阻低至38.1°C/W,是高密度、高性能便携设备电源转换的优选方案。
2. 主要特点与技术亮点
- I²C数字控制:支持标准模式(100kHz)和快速模式(400kHz),可编程输出电压、DVS斜率、开关频率、PSM/PWM模式选择,寄存器在关断或POR时复位。
- 可编程输出电压(0.6V-1.725V):通过I²C寄存器以12.5mV步进设定,覆盖低压处理器和存储器的核心电压需求。
- 动态电压缩放(DVS):支持在运行中平滑调整输出电压,斜率可编程(5mV/μs至20mV/μs),优化功耗管理。
- ACOT控制与内部补偿:无需外部补偿网络,在全陶瓷电容方案下保持稳定;提供超快瞬态响应,适合负载突变应用。
- PSM/PWM可选:轻载时自动进入PSM模式,降低开关频率,减少损耗;可通过I²C强制进入PWM模式,保证低纹波和快速响应。
- 低静态电流(睡眠<100μA,关断<1μA):在轻载或待机模式下保持低功耗,延长电池寿命。
- 电源良好指示(PGOOD):开漏输出,当输出电压达到设定值的95%以上时释放,用于系统时序控制。
- 完善保护:逐周期谷值限流(可编程8A/8.8A/9.6A)、输入欠压锁定(UVLO,典型2.625V)、输出欠压保护(UVP,打嗝模式,阈值70%)、过温保护(OTP,可编程140°C/150°C/170°C)。
- 可编程软启动:SS引脚外接电容,内部10μA电流源,可调启动时间,限制启动浪涌电流,支持预偏置启动。
- 超小封装:UQFN-13L 3×3mm(FC),占板面积小,适合便携设备。
3. 典型应用电路
CXSD61130A 的典型应用电路包括输入电容(10μF+0.1μF)、输出电容(22μF×4)、功率电感(0.47μH)、I²C上拉电阻以及EN和SS控制。具体原理图如下所示,详细元件参数可参考数据手册推荐表。

图1. CXSD61130A 典型应用电路(7A I²C控制同步降压转换器)
图2. CXSD61130A 内部功能方框图
内部集成:P-MOSFET高侧开关、N-MOSFET低侧同步整流器、ACOT控制器、误差放大器、电流检测、I²C接口、DVS控制、软启动、PGOOD比较器、UVLO、过流/欠压/过温保护逻辑等。
4. 极限参数与电气特性(设计参考)
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN | 输入电压 | -0.3 | 7 | V |
| SW | 开关节点电压(连续) | -0.3 | 7 | V |
| SW (<10ns) | 开关节点瞬态 | -3 | 8.5 | V |
| BOOT | 自举引脚电压 | -0.3 | 13 | V |
| BOOT to SW | 自举电压差 | -0.3 | 6 | V |
| 其他I/O引脚 | 电压 | -0.3 | 6 | V |
| PD @ TA=25°C | 最大功耗(UQFN-13L FC) | — | 2.62 | W |
| θJA | 结到环境热阻 | — | 38.1 | °C/W |
| θJC | 结到外壳热阻 | — | 4.1 | °C/W |
| TJ | 结温范围 | -40 | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VIN 输入电压 | 3 | 6.5 | V |
| 结温 TJ | -40 | 125 | °C |
| 环境温度 TA | -40 | 85 | °C |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 关断电流 | EN=0V | 1 | μA |
| 睡眠电流 | VFB>0.6V | 100 | μA |
| 反馈参考电压 | — | 0.6 | V |
| 高侧MOSFET导通电阻 | — | 12 | mΩ |
| 低侧MOSFET导通电阻 | — | 8 | mΩ |
| 开关频率(默认) | 寄存器0x01[1:0]=10b | 1.0 | MHz |
| 谷值限流(默认) | 寄存器0x05[7:6]=10b | 8.8 | A |
| UVLO上升阈值(AVCC) | — | 2.625 | V |
| UVLO下降阈值(AVCC) | — | 2.5 | V |
| EN高电平阈值 | — | 0.92 | V |
| EN低电平阈值 | — | 0.74 | V |
| PGOOD高阈值(FB上升) | VFB/ref | 95% | — |
| PGOOD故障阈值(FB上升) | VFB/ref | 110% | — |
| PGOOD低阈值(FB下降) | VFB/ref | 90% | — |
| UVP触发阈值 | VFB/ref | 70% | — |
| 过温保护阈值(默认) | 寄存器0x05[5:4]=10b | 150 | °C |
| 过温恢复阈值 | — | 100 | °C |
| 软启动时间(SS悬空) | 10%-90% VOUT | 1.2 | ms |
| 放电电阻 | EN=0V | 50 | Ω |
| I²C时钟频率 | — | 400 | kHz |
5. 工作原理与设计指导
5.1 ACOT控制与内部补偿
CXSD61130A 采用 先进恒定导通时间(ACOT) 控制。在每个开关周期,反馈电压与内部虚拟电感电流斜坡叠加后与参考电压比较。当组合信号低于参考电压且满足最小关断时间(100ns)和限流条件时,触发导通时间单稳态,高侧MOSFET导通固定导通时间(由输入/输出电压和频率决定),然后关断,低侧MOSFET导通直到下一个周期。ACOT无需外部补偿网络,内部虚拟斜坡替代了传统COT所需的ESR纹波,支持低ESR陶瓷输出电容,提供超快瞬态响应。
5.2 I²C接口与输出电压编程
CXSD61130A 提供I²C接口(支持标准模式和快速模式),通过寄存器可编程输出电压(0.6V-1.725V,12.5mV步进)、DVS斜率(5mV/μs至20mV/μs)、开关频率(0.6MHz/0.8MHz/1.0MHz/1.5MHz)、PSM/PWM模式选择、限流阈值(8A/8.8A/9.6A)以及过温阈值(140°C/150°C/170°C)。寄存器在EN拉低或POR时复位,保证上电默认状态。
5.3 PSM/PWM模式
在PSM模式下,轻载时芯片进入省电模式,通过零电流检测关断低侧MOSFET,避免负电感电流,并进入睡眠状态以降低开关损耗,显著提高轻载效率。用户也可通过I²C强制进入PWM模式,使芯片在所有负载下保持固定频率开关,适合对频率稳定性和噪声水平要求较高的应用。
5.4 软启动与PGOOD
SS引脚外接电容可调整软启动时间(内部10μA充电),若悬空则使用内部最小启动时间(典型1.2ms)。软启动限制启动浪涌电流,支持预偏置启动。PGOOD为开漏输出,当FB电压达到设定值的95%以上且软启动完成后释放;当FB低于90%或高于110%以及触发保护时,PGOOD被拉低。
5.5 保护功能
- 输入欠压锁定(UVLO):AVCC低于2.5V时关断,高于2.625V时重新启动。
- 逐周期谷值限流:典型限流值8.8A(可编程8A/8.8A/9.6A),防止过载或短路损坏。
- 输出欠压保护(打嗝模式):当FB低于70%参考值时,触发打嗝模式,芯片关断并尝试重启,有效降低短路功耗。
- 过温保护(OTP):结温超过设定的阈值(默认150°C)时关断,冷却至100°C后自动恢复。
- 输出放电:关断时内部50Ω放电电阻快速泄放输出电容电压。
6. 基于 CXSD61130A 的 1.0V/6A 处理器供电设计
设计目标:为智能手机应用处理器提供1.0V/6A供电,输入来自电池(3.0V-4.2V)或USB 5V,要求I²C可调电压、快速DVS、小尺寸和高轻载效率。
- 系统配置:选用 CXSD61130A,输入电容 10μF(0402, X5R)+0.1μF,输出电容 22μF×4(0603, X5R),电感 0.47μH(饱和电流>10A)。I²C上拉电阻10kΩ至VIN,EN由PMIC控制,SS悬空(默认1.2ms软启动)。上电默认VOUT=0.75V,通过I²C写寄存器0x02设置SEL=0b0100000(1.0V)。
- 效率与热设计:在3.6V输入、1.0V/6A输出时,典型效率约90%。功耗 PD ≈ (1-η) × Pout = 0.1 × 6 = 0.6W。UQFN-13L封装在85°C环境下的允许功耗 (125-85)/38.1 ≈ 1.05W,热裕量充足。
- DVS应用:在处理器进入休眠时,通过I²C将输出电压从1.0V降至0.7V,下降斜率设置为5mV/μs;唤醒时以20mV/μs升回1.0V,优化功耗与性能。
- PGOOD指示:PGOOD引脚通过100kΩ上拉至1.8V,当VOUT达到0.95V以上时释放,用于处理器复位时序。
7. PCB 布局建议
- 输入电容就近放置:VIN和PGND之间放置10μF和0.1μF陶瓷电容,靠近芯片引脚,以抑制输入电压振铃。
- 功率回路最小化:VIN → 高侧MOSFET → 电感 → 输出电容 → PGND 路径应短而宽,降低寄生电感。SW节点面积尽可能小,减少EMI。
- 反馈网络:FB分压电阻(若使用外部分压)应靠近芯片,走线远离SW节点,避免噪声耦合。
- I²C走线:SCL/SDA走线短且远离高频节点,上拉电阻靠近芯片。
- SS和WDT走线:SS电容和WDT控制线应短且远离噪声源。
- 散热焊盘:芯片底部Exposed Pad必须焊接至PCB地平面,并通过多个过孔连接至内层地和底层,以降低热阻。
- AGND与PGND:模拟地和功率地应单点连接(通常在芯片下方),避免功率电流耦合噪声。
8. 订购信息与技术支持
CXSD61130A 采用 UQFN-13L 3×3mm(FC) 封装,无铅、RoHS合规。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和FAE现场支持。
图3. CXSD61130A 引脚封装图(UQFN-13L 3×3mm FC)
引脚分布:1:EN | 2:WDT | 3:BOOT | 4:SW | 5:PGND | 6:VIN | 7:AVCC | 8:AGND | 9:PGOOD | 10:SDA | 11:SCL | 12:SS | 13:FB。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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